本發(fā)明涉及晶硅太陽(yáng)能電池制造，特別是涉及一種n型topcon電池及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、當(dāng)前，晶硅太陽(yáng)能電池中的topcon電池的由于其衰減小，電池整體效率及發(fā)電量?jī)?yōu)勢(shì)明顯等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。

2、topcon是以n型硅片作為基底的電池，其正面一般利用管式硼擴(kuò)散技術(shù)制結(jié)形成p型發(fā)射極，上述方式不僅耗時(shí)較長(zhǎng)，且制備的電池效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種n型topcon電池及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)制備n型topcon電池中p型發(fā)射極耗時(shí)較長(zhǎng)，且所制備的電池效率較低的問(wèn)題。

2、為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明是通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

3、本發(fā)明提出了一種n型topcon電池的制備方法，其中，包括：

4、采用快速熱處理技術(shù)對(duì)n型硅片進(jìn)行硼擴(kuò)散處理；

5、在經(jīng)過(guò)硼擴(kuò)散處理的硅片背面形成氧化硅層及多晶硅層，并對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行磷摻雜，形成磷摻雜多晶硅層；

6、在所述硅片正面及所述磷摻雜多晶硅層表面依次形成鈍化層及電極，制得n型topcon電池。

7、進(jìn)一步地，所述的制備方法中，采用快速熱處理技術(shù)對(duì)n型硅片的正面進(jìn)行硼擴(kuò)散處理，包括：

8、對(duì)所述硅片依次進(jìn)行升溫、硼沉積、推進(jìn)氧化及降溫處理，其中，所述升溫處理的升溫速率為200～250℃/s、硼沉積處理的溫度為800～900℃、推進(jìn)氧化的溫度為930～1000℃，快速熱處理的總時(shí)長(zhǎng)為30～60min。

9、進(jìn)一步地，所述的制備方法中，硼沉積處理中，bcl3與o2的流量比為1:3～1:5。

10、進(jìn)一步地，在對(duì)n型硅片進(jìn)行硼擴(kuò)散處理之后，所述方法還包括：

11、對(duì)所述硅片正面的第一區(qū)域進(jìn)行激光摻雜處理，所述第一區(qū)域用于與正極柵線接觸。

12、進(jìn)一步地，所述的制備方法中，所述激光摻雜處理的激光功率為5～10瓦、頻率為280～300khz、掃描速度為10000～15000mm/s。

13、進(jìn)一步地，在對(duì)所述硅片正面的第一區(qū)域進(jìn)行激光摻雜處理之后，所述方法還包括：

14、對(duì)所述硅片正面的進(jìn)行氧化處理。

15、進(jìn)一步地，所述的制備方法中，所述氧化處理的溫度為600～1200℃、處理時(shí)間為30～60min。

16、進(jìn)一步地，在經(jīng)過(guò)硼擴(kuò)散處理的硅片背面形成氧化硅層及多晶硅層之前，所述方法還包括：

17、采用鏈?zhǔn)剿嵯慈コ杵趁娴呐鸸璨Ａ?，并進(jìn)行堿拋處理。

18、進(jìn)一步地，在所述硅片正面及所述磷摻雜多晶硅層表面依次形成鈍化層及電極之前，所述方法還包括：

19、采用鏈?zhǔn)剿嵯慈コ杵娴牧坠璨Ａ?，并進(jìn)行堿拋處理。

20、本發(fā)明還提出了一種n型topcon電池，其中，采用如上述的方法制備得到。

21、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn)：

22、本發(fā)明實(shí)施例中，所提供的n型topcon電池的制備方法，先采用快速熱處理技術(shù)對(duì)n型硅片的正面進(jìn)行硼擴(kuò)散處理；然后在經(jīng)過(guò)硼擴(kuò)散處理的硅片背面形成氧化硅層及多晶硅層，并對(duì)多晶硅層進(jìn)行磷摻雜，形成磷摻雜多晶硅層；再在硅片正面及磷摻雜多晶硅層表面依次形成鈍化層及電極，制得n型topcon電池。因?yàn)榭焖贌崽幚砜稍谳^短的時(shí)間內(nèi)將硅片加熱至500～1500℃內(nèi)，不僅能夠有效縮減硼擴(kuò)散時(shí)長(zhǎng)，而且在硼擴(kuò)散過(guò)程中雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)小，降低了硅片的載流子復(fù)合和體電阻，使得所制備得到的電池?fù)碛懈叩纳僮訅勖吞畛湟蜃?，電池效率可提?.03～0.05％。因此，本發(fā)明提供的制備方法可以有效解決現(xiàn)有技術(shù)制備n型topcon電池中p型發(fā)射極耗時(shí)較長(zhǎng)，且所制備的電池效率較低的問(wèn)題。

23、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本申請(qǐng)。

技術(shù)特征：

1.一種n型topcon電池的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用快速熱處理技術(shù)對(duì)n型硅片進(jìn)行硼擴(kuò)散處理，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，硼沉積處理中，bcl3與o2的流量比為1:3～1:5。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在對(duì)n型硅片進(jìn)行硼擴(kuò)散處理之后，所述方法還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述激光摻雜處理的激光功率為5～10瓦、頻率為280～300khz、掃描速度為10000～15000mm/s。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，在對(duì)所述硅片正面的第一區(qū)域進(jìn)行激光摻雜處理之后，所述方法還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述氧化處理的溫度為600～1200℃、處理時(shí)間為30～60min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在經(jīng)過(guò)硼擴(kuò)散處理的硅片背面形成氧化硅層及多晶硅層之前，所述方法還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述硅片正面及所述磷摻雜多晶硅層表面依次形成鈍化層及電極之前，所述方法還包括：

10.一種n型topcon電池，其特征在于，采用如權(quán)利要求1～9任一所述的方法制備得到。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種N型TOPCon電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實(shí)施例所提供的N型TOPCon電池的制備方法包括：采用快速熱處理技術(shù)對(duì)N型硅片的正面進(jìn)行硼擴(kuò)散處理；在經(jīng)過(guò)硼擴(kuò)散處理的硅片背面形成氧化硅層及多晶硅層，并對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行磷摻雜，形成磷摻雜多晶硅層；在所述硅片正面及所述磷摻雜多晶硅層表面依次形成鈍化層及電極，制得N型TOPCon電池。本發(fā)明提供的制備方法可以有效解決現(xiàn)有技術(shù)制備N型TOPCon電池中P型發(fā)射極耗時(shí)較長(zhǎng)，且所制備的電池效率較低的問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：張尋尋,王建明,章康平,劉凱,石劍,周錦鳳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：一道新能源科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19