技術(shù)特征：

1.一種用于產(chǎn)生場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field-effect?transistor，fet)結(jié)構(gòu)(10、10'、10”、10”')的方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，

4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，

5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，

6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，

8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，

10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，其特征在于，

13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，

14.根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，

15.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，

16.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，還包括：

17.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成所述第一結(jié)構(gòu)包括：

18.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field-effect?transistor，fet)結(jié)構(gòu)(10、10'、10”、10”')，其特征在于，可通過上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法獲得。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種產(chǎn)生場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET結(jié)構(gòu)(10、10'、10”、10”')的方法。所述方法包括下列步驟：(a)在襯底(11)上生成第一結(jié)構(gòu)，所述第一結(jié)構(gòu)包括第一層疊層(12a)、第二層疊層(12b)和位于所述第一層疊層(12a)和所述第二層疊層(12b)之間的壁(15)，其中，所述第一層疊層(12a)和所述第二層疊層(12b)分別包括以交替方式堆疊的一個(gè)或多個(gè)第一材料層(13)和兩個(gè)或兩個(gè)以上第二材料層(14)，并且所述壁(15)是不導(dǎo)電的；(b)移除所述第一層疊層(12a)的所述一個(gè)或多個(gè)第一材料層(13)以在所述第一層疊層(12a)中生成一個(gè)或多個(gè)空腔；(c)通過所述第一層疊層(12a)中的所述一個(gè)或多個(gè)空腔蝕刻到所述壁(15)的一個(gè)側(cè)面，以使所述壁(15)的所述側(cè)面凹陷，從而在所述第一層疊層(12a)與所述壁(15)的凹陷側(cè)之間生成垂直空腔(19)；(d)用柵極介電材料和柵極金屬(17)填充所述第一層疊層(12a)中的所述空腔和所述垂直空腔(19)。

技術(shù)研發(fā)人員：陳毅堅(jiān),克里希納·庫(kù)馬爾·布沃卡
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華為技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19