本公開涉及一種芯支承構(gòu)造。

背景技術(shù)：

1、在用于電子設(shè)備的芯中，由于芯的角部與承接芯的承接構(gòu)件的角r形狀接觸，從而存在產(chǎn)生破損、或散熱性惡化的問題。針對這樣的問題，為了避免該接觸，通過在芯的角部設(shè)置倒角，在與承接構(gòu)件的角r形狀之間形成空隙，由此避免芯的角部的接觸。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2015-12607號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的問題

2、然而，在如上所述在芯的角部設(shè)置倒角的情況下，存在需要對芯的加工/尺寸管理的問題。另外，存在以下問題：由于加工而芯的體積會(huì)減少，由于磁通的減少、或芯形狀不對稱而在對承接構(gòu)件的設(shè)置時(shí)會(huì)出現(xiàn)方向性，在進(jìn)行芯的安裝作業(yè)時(shí)需要注意。

3、本公開的目的在于提供不伴隨芯的加工而能夠避免芯的角部與承接構(gòu)件接觸避免的芯支承構(gòu)造。

4、用于解決問題的技術(shù)方案

5、本公開的一方式提供一種芯支承構(gòu)造，其具備：第一芯；以及承接構(gòu)件，其承接第一芯，承接構(gòu)件具有載置第一芯的底面的底壁部和與第一芯的側(cè)面相對的側(cè)壁部，在底壁部及側(cè)壁部中的至少一方形成有避免與第一芯的角部的抵接的抵接避免部。

6、在本公開的一方式的芯支承構(gòu)造中，承接構(gòu)件具有載置第一芯的底面的底壁部和與第一芯的側(cè)面相對的側(cè)壁部。因此，第一芯的角部以接近的方式配置于底壁部和側(cè)壁部之間的角部。在此，在底壁部及側(cè)壁部中的至少一方形成避免與第一芯的角部的抵接的抵接避免部。因此，即使未在第一芯的角部設(shè)置倒角，也避免第一芯的角部與承接構(gòu)件的角r形狀抵接而接觸，第一芯以載置于底壁部的狀態(tài)設(shè)置于承接構(gòu)件。

7、也可以是，還具備與第一芯相對配置的第二芯，承接構(gòu)件是配置于第一芯和第二芯之間的間隔構(gòu)件。在該情況下，因?yàn)槟軌虮苊獾谝恍九c承接構(gòu)件接觸，所以能夠?qū)⒌谝恍竞偷诙局g的間隙的大小保持為一定。

8、也可以是，抵接避免部由形成于承接構(gòu)件的貫通孔構(gòu)成。在該情況下，能夠通過僅在承接構(gòu)件形成貫通孔的簡單結(jié)構(gòu)來設(shè)置抵接避免部。

9、也可以是，抵接避免部由形成于承接構(gòu)件的槽部構(gòu)成。在該情況下，能夠通過僅在承接構(gòu)件形成槽部的簡單結(jié)構(gòu)來設(shè)置抵接避免部。

10、也可以是，在承接構(gòu)件形成有配置有與第一芯連接的熱傳導(dǎo)構(gòu)件的貫通孔。在該情況下，能夠經(jīng)由配置于貫通孔的熱傳導(dǎo)構(gòu)件，將在第一芯中產(chǎn)生的熱向其它構(gòu)件傳遞。

11、發(fā)明效果

12、根據(jù)本公開，能夠提供不伴隨芯的加工而能夠避免芯的角部與承接構(gòu)件接觸的芯支承構(gòu)造。

技術(shù)特征：

1.一種芯支承構(gòu)造，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯支承構(gòu)造，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯支承構(gòu)造，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯支承構(gòu)造，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯支承構(gòu)造，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種芯支承構(gòu)造，其具備第一芯和承接第一芯的承接構(gòu)件，承接構(gòu)件具有載置第一芯的底面的底壁部和與第一芯的側(cè)面相對的側(cè)壁部，在底壁部及側(cè)壁部中的至少一方形成避免與第一芯的角部的抵接的抵接避免部。

技術(shù)研發(fā)人員：河村彗史,池澤輝,金子浩二,小林康一,山口賢一,澤山純平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TDK株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19