技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種超結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)，它包括N型重?fù)诫s襯底及N型輕摻雜外延層；且N型輕摻雜外延層包括元胞區(qū)及終端區(qū)；在元胞區(qū)中形成有至少一個(gè)晶體管單元，晶體管單元包括形成于N型輕摻雜外延層中的一對(duì)元胞區(qū)P柱，元胞區(qū)P柱的頂端均連接有P型體區(qū)和N型體區(qū)；N型輕摻雜外延層表面形成有柵極組件，柵極組件位于一對(duì)元胞區(qū)P柱之間；且柵極組件包括形成于N型輕摻雜外延層表面的柵氧化層及形成于柵氧化層內(nèi)的多晶硅柵極；在終端區(qū)中形成有至少一個(gè)終端區(qū)P柱，在終端區(qū)P柱的頂端形成有終端區(qū)氧化絕緣層。本實(shí)用新型中，對(duì)稱(chēng)性比傳統(tǒng)的帶光刻版注入對(duì)稱(chēng)性要高，這樣相當(dāng)于提高P元胞區(qū)P柱的厚度，有利于提高器件的耐壓程度。

技術(shù)研發(fā)人員：白玉明;徐承福;張海濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫同方微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201720346165
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.01
技術(shù)公布日：2017.11.14