1.一種陣列基板，劃分有多個像素單元；其特征在于，所述陣列基板包括設(shè)置在所述像素單元內(nèi)的具有第一過孔的漏極盤和像素電極，以及設(shè)置在所述漏極盤上方的具有第二過孔的絕緣層；所述第二過孔露出所述第一過孔的至少部分區(qū)域以及位于所述第一過孔四周的所述漏極盤的部分區(qū)域；所述像素電極通過所述第二過孔與露出的所述漏極盤的部分區(qū)域相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述多個像素單元由柵絕緣層隔離開的交叉設(shè)置的多根柵線與多根數(shù)據(jù)線限定出；所述陣列基板還包括，
設(shè)置在襯底基板上位于相鄰兩根柵線之間的存儲電容下電極線；所述漏極盤設(shè)置在所述柵絕緣層之上，且所述漏極盤與所述存儲電容下電極線有重疊；
設(shè)置在所述漏極盤與所述柵絕緣層之間的有源層保留圖案；所述有源層保留圖案至少有部分區(qū)域與所述第二過孔重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述存儲電容下電極線為公共電極線。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層保留圖案小于所述漏極盤的圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層保留圖案具有露出所述柵絕緣層的開口；所述開口與所述第一過孔的至少部分區(qū)域重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，每個像素單元內(nèi)還設(shè)置有，薄膜晶體管；用于連接所述薄膜晶體管的漏極與所述漏極盤的漏極連接線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，每個漏極盤上的所述第一過孔的數(shù)量為兩個，且分別設(shè)置在所述漏極連接線的兩側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層包括依次遠(yuǎn)離所述襯底基板的鈍化層與平坦化層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二過孔露出所述第一過孔的部分區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述開口的長度和寬度范圍為1～20μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔和/或所述第二過孔的形狀為矩形、圓形、橢圓形中的任一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔的長度和寬度范圍為1～20μm；和/或，所述第二過孔的長度和寬度范圍為1～20μm。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層保留圖案的厚度范圍為0.01～1μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層保留圖案的長度和寬度范圍為1～20μm。
15.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至14任一項(xiàng)所述的陣列基板。