本實(shí)用新型涉及光伏行業(yè)的多晶硅領(lǐng)域，具體公開(kāi)一種多晶硅的清潔裝置。

背景技術(shù)：

硅片清洗機(jī)器共有10個(gè)水槽，分別是待洗槽、超聲清洗槽、超聲漂洗槽。在清洗硅片時(shí)需將各槽溫度控制在30～50℃之間，因?yàn)闇囟壬邥r(shí)非離子表面活性劑逃離水的趨勢(shì)增強(qiáng)，吸附量增大。溫度對(duì)非離子表面活性劑的去污能力的影響是明顯的，當(dāng)溫度接近于濁點(diǎn)時(shí)，清洗效果最好。但是在清洗過(guò)程中硅片經(jīng)過(guò)清洗劑超聲清洗后的污濁物質(zhì)會(huì)產(chǎn)生大量泡沫，在經(jīng)過(guò)漂洗槽是必須打開(kāi)溢流開(kāi)關(guān)將泡沫沖出水槽排至下水渠。由于打開(kāi)溢流以后進(jìn)入清洗槽內(nèi)的純水沒(méi)有進(jìn)過(guò)加熱處理會(huì)影四個(gè)漂洗槽內(nèi)清洗的水溫，會(huì)直接影響到硅片清洗出來(lái)的效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，節(jié)約水資源，控制清潔溫度，提高清潔效率的多晶硅清潔裝置。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型一種多晶硅的清潔裝置所采用的技術(shù)方案為：

一種多晶硅的清潔裝置，包括水箱與清洗箱，所述水箱設(shè)置有通水管，所述通水管設(shè)置有第一閥門(mén)，所述通水管通向清洗箱，所述清洗箱有高到低依次設(shè)置有產(chǎn)品放置箱、待清洗箱、超聲波清洗箱、第一漂洗箱、第二漂洗箱、第三漂洗箱和干燥箱，所述超聲波清洗箱設(shè)置有第一清潔管，第一清潔管連接通水管，所述第一清潔管設(shè)置有第二閥門(mén)，所述第一漂洗箱設(shè)置有第二清潔管，第二清潔管連接通水管，所述第二清潔管設(shè)置有第三閥門(mén)，所述第二漂洗箱設(shè)置有第三清潔管，第三清潔管連接通水管，所述第三清潔管設(shè)置有第四閥門(mén)，所述第三漂洗箱設(shè)置有第四清潔管，第四清潔管連接通水管，所述第四清潔管設(shè)置有第五閥門(mén)，所述第三漂洗箱連接有第一回流管，所述第一回流管通向收集池，所述收集池設(shè)有第二回流管，第二回流管通向水箱，水箱內(nèi)設(shè)有加熱層。收集池與回流管用于清潔箱中的液體，并轉(zhuǎn)送到水箱，增加水的利用率，做到不浪費(fèi)，設(shè)立三個(gè)漂洗箱幫助硅片更好的進(jìn)行漂潔，降低臟片出現(xiàn)的概率，提高工作效率。

所述收集池內(nèi)設(shè)有加熱層。收集池內(nèi)設(shè)計(jì)加熱層，以防第三漂洗箱中液體在工作時(shí)，液體溫度降低，收集池中加熱層可以實(shí)現(xiàn)加熱。

所述水箱與收集池外均設(shè)有保溫層。預(yù)防外源冷氣的進(jìn)入，保證水箱以及收集池的溫度，減少加熱層的使用，減少能耗。

所述收集池中隔網(wǎng)，所述隔網(wǎng)設(shè)置在收集池的兩側(cè)內(nèi)壁上。隔網(wǎng)可以攔截水中的雜質(zhì)以及遺漏的硅片，以免造成浪費(fèi)。

所述水箱內(nèi)設(shè)有溫度控制器。對(duì)溫度進(jìn)行控制，一旦溫度低于設(shè)定的區(qū)域，加熱層對(duì)液體進(jìn)行加熱。

本實(shí)用新型的有益效果為：利用水箱與收集池的連接形成水循環(huán)，利用水循環(huán)節(jié)約了用水，水箱內(nèi)部加入加熱層，更好的控制水溫，從生產(chǎn)方面更好的控制并降低了臟片出現(xiàn)的幾率，提高了硅片清洗的效果。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中，1水箱，2產(chǎn)品放置箱，3待清洗箱，4超聲波清洗箱，41第一清潔管，42第二閥門(mén)，5第一漂洗箱，51第二清潔管，52第三閥門(mén)，6第二漂洗箱，61第三清潔管，62第四閥門(mén)，7第三漂洗箱，71第四清潔管，72第五閥門(mén)，8干燥箱，9收集池，91第一回流管，92第二回流管，93隔網(wǎng)，10加熱層，11保溫層，12通水管，13第一閥門(mén)，14溫度控制器。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式，進(jìn)一步闡明本實(shí)用新型，應(yīng)理解這些實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍，在閱讀了本實(shí)用新型之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。

如圖1所示，一種多晶硅的清潔裝置，包括水箱1與清洗箱，水箱1內(nèi)設(shè)有加熱層10，水箱1外設(shè)有保溫層11，水箱1內(nèi)設(shè)有溫度控制器14，水箱1設(shè)置有通水管12，通水管12設(shè)置有第一閥門(mén)13，通水管12通向清洗箱，清洗箱由高到低依次設(shè)置有產(chǎn)品放置箱2、待清洗箱3、超聲波清洗箱4、第一漂洗箱5、第二漂洗箱6、第三漂洗箱7和干燥箱8，超聲波清洗箱4設(shè)置有第一清潔管41，第一清潔管41連接通水管12，第一清潔管41設(shè)置有第二閥門(mén)42，第一漂洗箱5設(shè)置有第二清潔管51，第二清潔管51連接通水管12，第二清潔管51設(shè)置有第三閥門(mén)52，第二漂洗箱6設(shè)置有第三清潔管61，第三清潔管61連接通水管12，第三清潔管61設(shè)置有第四閥門(mén)62，第三漂洗箱7設(shè)置有第四清潔管71，第四清潔管71連接通水管12，第四清潔管71設(shè)置有第五閥門(mén)72，第三漂洗箱7連接有第一回流管91，第一回流管91通向收集池9，收集池9內(nèi)設(shè)有加熱層10，收集池9外設(shè)有保溫層11，收集池9的兩側(cè)內(nèi)壁上設(shè)有隔網(wǎng)93，收集池設(shè)有第二回流管92，第二回流管92通向水箱1。

工作時(shí)，硅片放置在產(chǎn)品放置箱2，水箱1中的加熱層10將液體加熱到30～50℃之間，在加熱期間，產(chǎn)品放置箱2將硅片送到待清洗箱3，完成加熱后，水箱1中的溫度控制器14將溫度控制在30～50℃之間，水箱1外設(shè)有的保溫層11，進(jìn)一步保證水箱內(nèi)的溫度，不讓冷氣進(jìn)入水箱1，水箱1將加熱后的液體通過(guò)通水管12送到第一清潔管41，第二閥門(mén)42打開(kāi)，第一清潔管41將液體送到超聲波清洗箱4，超聲波清洗箱4對(duì)硅片進(jìn)行清潔，并將清潔后的硅片送往第一漂洗箱5，通水管12將液體送到第二清潔管51，第三閥門(mén)打開(kāi)52，第二清潔管51將液體送到第一漂洗箱5，清潔時(shí)會(huì)留下泡沫，第一漂洗箱5對(duì)硅片進(jìn)行漂潔，硅片通過(guò)第一漂洗箱5的一次漂潔泡沫不能完全消失，再將硅片送往第二漂洗箱6，通水管12將液體送到第三清潔管61，第三閥門(mén)打開(kāi)62，第三清潔管61將液體送到第二漂洗箱6，第二漂洗箱6對(duì)硅片再次進(jìn)行漂潔，硅片中的泡沫還未完全消失，再次將硅片送往第三漂洗箱7，通水管12將液體送到第四清潔管51，第五閥門(mén)52打開(kāi)，第四清潔管71將液體送到第三漂洗箱7，第三漂洗箱7再一次對(duì)硅片進(jìn)行漂潔，以至泡沫完全消失，第三漂洗箱7下連接有第一回流管91，第三漂洗箱7完成漂潔后，將硅片送往干燥箱8，第三漂洗箱7通過(guò)第一回流管91將液體送往收集池9，收集池9中隔網(wǎng)93將液體進(jìn)行過(guò)濾，以免有雜質(zhì)和遺漏的硅片，加熱層10將液體加溫到30～50℃之間，通過(guò)保溫層11進(jìn)行保溫，第二回流管92將加熱后的液體送往水箱1，以此循環(huán)，完成工作后，關(guān)閉第一閥門(mén)13，第二閥門(mén)42，第三閥門(mén)52，第四閥門(mén)62，第五閥門(mén)72，此時(shí)實(shí)現(xiàn)了整個(gè)裝置的工作。