技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種具有浮空層分裂柵的MOSFET，包括：N+襯底層，N+襯底層上設(shè)有N?外延層，N?外延層的中間和兩側(cè)分別設(shè)置有P?body層，P?body層的左右兩側(cè)分別設(shè)置有第一Trench槽和第二Trench槽，兩Trench槽之間為不連續(xù)的P?body層，兩Trench槽貫穿P?body層至N?外延層上部；每一Trench槽內(nèi)均充滿(mǎn)SiO2層，SiO2層中設(shè)有兩不連續(xù)的Poly結(jié)構(gòu)；每一Trench槽口外側(cè)在P?body層中圍有一圈N?阱；P?body層上設(shè)有Metal層；兩Trench槽內(nèi)的SiO2滿(mǎn)出至Metal層；在N?外延層中，對(duì)應(yīng)每一Trench槽下方設(shè)置有P型浮空層，兩P型浮空層不連續(xù)。本實(shí)用新型通過(guò)P型浮空層的引入大大優(yōu)化了傳統(tǒng)split?gate的內(nèi)部電場(chǎng)：在不需要外mask下優(yōu)化split?gate，進(jìn)一步減小split?gate的Rsp，提高了split?gate的擊穿電壓，獲得了良好的靜電保護(hù)效果。

技術(shù)研發(fā)人員：楊東霓;胡慧雄;顧南雁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市迪浦電子有限公司
文檔號(hào)碼：201720169279
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.23
技術(shù)公布日：2017.09.05