技術特征：

1.一種具有浮空層分裂柵的MOSFET，其特征在于，包括：N+襯底層，N+襯底層上設有N-外延層，N-外延層的中間和兩側分別設置有P-body層，P-body層的左右兩側分別設置有第一Trench槽和第二Trench槽，兩Trench槽之間為不連續(xù)的P-body層，兩Trench槽貫穿P-body層至N-外延層上部；每一Trench槽內均充滿SiO₂層，SiO₂層中設有兩不連續(xù)的Poly結構；每一Trench槽口外側在P-body層中圍有一圈N-阱；P-body層上設有Metal層；兩Trench槽內的SiO₂滿出至Metal層；

在N-外延層中，對應每一Trench槽下方設置有P型浮空層，兩P型浮空層不連續(xù)。

2.根據權利要求1所述的具有浮空層分裂柵的MOSFET，其特征在于，P型浮空層與對應的Trench槽不相連。

3.根據權利要求1所述的具有浮空層分裂柵的MOSFET，其特征在于，P型浮空層與對應的Trench槽相連。