本實(shí)用新型涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
SOP封裝是一種元件封裝形式，常見的封裝材料有:塑料、陶瓷、玻璃、金屬等，現(xiàn)在基本采用塑料封裝.，應(yīng)用范圍很廣，主要用在各種集成電路中。如圖1所示，現(xiàn)有的SOP封裝結(jié)構(gòu)中的焊盤一般為對(duì)應(yīng)于電子元器件的信號(hào)引腳獨(dú)立設(shè)置的單個(gè)的獨(dú)立的小焊盤。但是隨著產(chǎn)品耗電流越來越大，有些SOP封裝芯片也被用于大電流電路中，起電流轉(zhuǎn)換的作用給某些模塊供電，但是這些傳統(tǒng)的SOP封裝在PCB中對(duì)應(yīng)的焊盤設(shè)計(jì)越來越不符合要求，因?yàn)楹副P尺寸面積太小，在承載大電流時(shí)瞬間電流非常大，電流產(chǎn)生的脈沖在極短時(shí)間內(nèi)會(huì)將芯片擊穿，很有可能燒毀整個(gè)電路，損失非常大。傳統(tǒng)的SOP封裝焊盤無法承載更大電流，導(dǎo)致芯片的散熱不行、電路功能的不穩(wěn)定、極短的時(shí)間大電流的沖擊容易損壞芯片，從而影響產(chǎn)品的質(zhì)量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型目的是提供一種半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，提高了與PCB之間焊接的可靠性，也以便芯片在工作時(shí)快速傳導(dǎo)熱量，散熱效果好。
為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、金屬焊盤、若干個(gè)左側(cè)引腳、若干個(gè)右側(cè)引腳和環(huán)氧樹脂包覆體，所述芯片通過絕緣膠層固定于金屬焊盤上表面的中央?yún)^(qū)域，若干個(gè)所述左側(cè)引腳并排間隔地設(shè)置于芯片的左側(cè)，若干個(gè)所述右側(cè)引腳并排間隔地設(shè)置于芯片的右側(cè)，所述金屬焊盤下部邊緣處開有第一缺口槽，所述左側(cè)引腳與金屬焊盤相向的內(nèi)側(cè)端下部開有左梯形凹槽，所述右側(cè)引腳與金屬焊盤相向的內(nèi)側(cè)端下部開有右梯形凹槽，所述環(huán)氧樹脂包覆體包覆于芯片、金屬焊盤、若干個(gè)左側(cè)引腳、若干個(gè)右側(cè)引腳上，所述金屬焊盤、左側(cè)引腳和右側(cè)引腳各自的下表面裸露出環(huán)氧樹脂包覆體的底部；
若干根第一金線兩端分別與芯片和左側(cè)引腳電連接，若干根第二金線兩端分別與芯片和右側(cè)引腳電連接，所述左側(cè)引腳和右側(cè)引腳各自的內(nèi)側(cè)端面分別開有供填充環(huán)氧樹脂的左梯形凹槽和右梯形凹槽；所述金屬焊盤上表面沿邊緣開有一閉合的環(huán)形儲(chǔ)膏槽，此環(huán)形儲(chǔ)膏槽的截面形狀為倒梯形，此環(huán)形儲(chǔ)膏槽位于芯片正下方并靠近芯片的邊緣區(qū)域。
上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下：
1. 上述方案中，所述左側(cè)引腳、右側(cè)引腳的下表面鍍覆有金屬鍍層。
2. 上述方案中，所述金屬鍍層為錫層或者鎳鈀金層。
3. 上述方案中，所述金屬鍍層與左側(cè)引腳或者右側(cè)引腳的厚度比為1：6~12。
4. 上述方案中，所述左側(cè)引腳和右側(cè)引腳的數(shù)目均為3~10根。
由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：
1. 本實(shí)用新型半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其金屬焊盤下部邊緣處開有第一缺口槽，左側(cè)引腳和右側(cè)引腳各自的內(nèi)側(cè)端面分別開有左梯形凹槽和右梯形凹槽，位于引腳內(nèi)側(cè)端面的中間區(qū)域填充有環(huán)氧樹脂，既有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，也相應(yīng)的增加引腳底部的面積，從而提高了與PCB之間焊接的可靠性和降低接觸電阻；其次，其芯片通過絕緣膠層固定于金屬焊盤上表面的中央?yún)^(qū)域，金屬焊盤、左側(cè)引腳和右側(cè)引腳各自的下表面裸露出環(huán)氧樹脂包覆體的底部，裸露的金屬焊盤，以便芯片在工作時(shí)快速傳導(dǎo)熱量，散熱效果好。
2. 本實(shí)用新型半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其金屬焊盤上表面沿邊緣開有一閉合的環(huán)形儲(chǔ)膏槽，此環(huán)形儲(chǔ)膏槽的截面形狀為倒梯形，此環(huán)形儲(chǔ)膏槽位于芯片正下方并靠近芯片的邊緣區(qū)域，有效避免了導(dǎo)熱絕緣膠外溢而引起的短路故障，提高了產(chǎn)品成品率，使得加工生產(chǎn)更為簡(jiǎn)單方便，提高了集成芯片的穩(wěn)定性和可靠性；其次，其左側(cè)引腳、右側(cè)引腳的下表面鍍覆有金屬鍍層，既降低了器件與PCB的導(dǎo)電接觸電阻，也有利于與PCB之間的焊接強(qiáng)度的提高。
附圖說明
附圖1為本實(shí)用新型半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)示意圖。
以上附圖中：1、芯片；2、金屬焊盤；3、左側(cè)引腳；4、右側(cè)引腳；5、環(huán)氧樹脂包覆體；6、絕緣膠層；7、第一缺口槽；8、左梯形凹槽；9、右梯形凹槽；15、第一金線；16、第二金線；17、金屬鍍層；18、環(huán)形儲(chǔ)膏槽。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述：
實(shí)施例1：一種半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片1、金屬焊盤2、若干個(gè)左側(cè)引腳3、若干個(gè)右側(cè)引腳4和環(huán)氧樹脂包覆體5，所述芯片1通過絕緣膠層6固定于金屬焊盤2上表面的中央?yún)^(qū)域，若干個(gè)所述左側(cè)引腳3并排間隔地設(shè)置于芯片1的左側(cè)，若干個(gè)所述右側(cè)引腳4并排間隔地設(shè)置于芯片1的右側(cè)，所述金屬焊盤2下部邊緣處開有第一缺口槽7，所述左側(cè)引腳3與金屬焊盤2相向的內(nèi)側(cè)端下部開有左梯形凹槽8，所述右側(cè)引腳4與金屬焊盤2相向的內(nèi)側(cè)端下部開有右梯形凹槽9，所述環(huán)氧樹脂包覆體5包覆于芯片1、金屬焊盤2、若干個(gè)左側(cè)引腳3、若干個(gè)右側(cè)引腳4上，所述金屬焊盤2、左側(cè)引腳3和右側(cè)引腳4各自的下表面裸露出環(huán)氧樹脂包覆體5的底部；
若干根第一金線15兩端分別與芯片1和左側(cè)引腳3電連接，若干根第二金線16兩端分別與芯片1和右側(cè)引腳4電連接，所述左側(cè)引腳3和右側(cè)引腳4各自的內(nèi)側(cè)端面分別開有供填充環(huán)氧樹脂的左梯形凹槽8和右梯形凹槽9；所述金屬焊盤2上表面沿邊緣開有一閉合的環(huán)形儲(chǔ)膏槽18，此環(huán)形儲(chǔ)膏槽18的截面形狀為倒梯形，此環(huán)形儲(chǔ)膏槽18位于芯片1正下方并靠近芯片1的邊緣區(qū)域。
上述左側(cè)引腳3、右側(cè)引腳4的下表面鍍覆有金屬鍍層17；上述金屬鍍層17為錫層或者鎳鈀金層。
上述金屬鍍層17與左側(cè)引腳3或者右側(cè)引腳4的厚度比為1：8；上述左側(cè)引腳3和右側(cè)引腳4的數(shù)目均為8根。
實(shí)施例2：一種半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片1、金屬焊盤2、若干個(gè)左側(cè)引腳3、若干個(gè)右側(cè)引腳4和環(huán)氧樹脂包覆體5，所述芯片1通過絕緣膠層6固定于金屬焊盤2上表面的中央?yún)^(qū)域，若干個(gè)所述左側(cè)引腳3并排間隔地設(shè)置于芯片1的左側(cè)，若干個(gè)所述右側(cè)引腳4并排間隔地設(shè)置于芯片1的右側(cè)，所述金屬焊盤2下部邊緣處開有第一缺口槽7，所述左側(cè)引腳3與金屬焊盤2相向的內(nèi)側(cè)端下部開有左梯形凹槽8，所述右側(cè)引腳4與金屬焊盤2相向的內(nèi)側(cè)端下部開有右梯形凹槽9，所述環(huán)氧樹脂包覆體5包覆于芯片1、金屬焊盤2、若干個(gè)左側(cè)引腳3、若干個(gè)右側(cè)引腳4上，所述金屬焊盤2、左側(cè)引腳3和右側(cè)引腳4各自的下表面裸露出環(huán)氧樹脂包覆體5的底部；
若干根第一金線15兩端分別與芯片1和左側(cè)引腳3電連接，若干根第二金線16兩端分別與芯片1和右側(cè)引腳4電連接，所述左側(cè)引腳3和右側(cè)引腳4各自的內(nèi)側(cè)端面分別開有供填充環(huán)氧樹脂的左梯形凹槽8和右梯形凹槽9；所述金屬焊盤2上表面沿邊緣開有一閉合的環(huán)形儲(chǔ)膏槽18，此環(huán)形儲(chǔ)膏槽18的截面形狀為倒梯形，此環(huán)形儲(chǔ)膏槽18位于芯片1正下方并靠近芯片1的邊緣區(qū)域。
上述左側(cè)引腳3、右側(cè)引腳4的下表面鍍覆有金屬鍍層17。
上述金屬鍍層17與左側(cè)引腳3或者右側(cè)引腳4的厚度比為1：10；上述左側(cè)引腳3和右側(cè)引腳4的數(shù)目均為4根。
采用上述半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)時(shí)，其既有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，也相應(yīng)的增加引腳底部的面積，從而提高了與PCB之間焊接的可靠性和降低接觸電阻；其次，其以便芯片在工作時(shí)快速傳導(dǎo)熱量，散熱效果好；再次，其既降低了器件與PCB的導(dǎo)電接觸電阻，也有利于與PCB之間的焊接強(qiáng)度的提高。
上述實(shí)施例只為說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。