1.一種深紫外LED芯片，其特征在于，包括：
基底襯底，所述基底襯底包括藍(lán)寶石襯底、Si襯底或石英襯底；
濺射形核層，所述濺射形核層設(shè)置在所述基底襯底上，為一層通過(guò)磁控濺射系統(tǒng)形成于所述基底襯底上的多晶AlN薄膜；
AlN外延層，所述外延層形成于所述濺射形核層上，為一層通過(guò)MOCVD設(shè)備形成的單晶AlN薄膜；
超晶格應(yīng)力緩沖層，所述超晶格應(yīng)力緩沖層設(shè)置在所述AlN外延層上；
n-AlGaN外延層，其設(shè)置在所述超晶格應(yīng)力緩沖層上；
多層量子阱，其設(shè)置在所述n-AlGaN外延層上；
電子阻擋層，其設(shè)置在所述多層量子阱上；
以及p-GaN外延層，其設(shè)置在所述電子阻擋層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外LED芯片，其特征在于：
所述濺射形核層的厚度為20-30nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外LED芯片，其特征在于：
所述濺射形核層的厚度為25nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外LED芯片，其特征在于：
所述AlN外延層的厚度為800-1000nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種深紫外LED芯片，其特征在于：
所述AlN外延層的厚度為900nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種深紫外LED芯片，其特征在于：
所述AlN外延層為在1350攝氏度的溫度下通過(guò)MOCVD設(shè)備生產(chǎn)的單晶層。
7.一種AlN模板化深紫外LED襯底，其特征在于，包括：
基底襯底，所述基底襯底包括藍(lán)寶石襯底、Si襯底或石英襯底；
濺射形核層，所述濺射形核層設(shè)置在所述基底襯底上，為一層通過(guò)磁控濺射系統(tǒng)形成于所述基底襯底上的多晶AlN薄膜；
AlN外延層，所述外延層形成于所述濺射形核層上，為一層通過(guò)MOCVD設(shè)備形成的單晶AlN薄膜。