本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬)電容結(jié)構(gòu)廣泛應(yīng)用于018μm技術(shù)節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品中，MIM電容的結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括上極板11、下極板13及位于所述上極板11與所述下極板13之間的電介質(zhì)層12。但在現(xiàn)有的生產(chǎn)工藝中，MIM電容的下極板13的金屬在刻蝕工藝之后會(huì)有一些金屬殘?jiān)鼩埩?，這些殘留的金屬會(huì)形成橋聯(lián)缺陷(bridge)；而這種缺陷一旦產(chǎn)生，幾乎不可能被去除；并且這種缺陷也不會(huì)被現(xiàn)有的WAT(Wafer Acceptace Test)測(cè)試檢測(cè)到，直接會(huì)影響產(chǎn)品良率甚至產(chǎn)品的可靠性。

因此，提供一種改進(jìn)型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)非常必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)不能檢測(cè)到MIM電容下極板刻蝕工藝后由殘留金屬形成的僑聯(lián)缺陷的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：

MIM電容陣列，包括若干個(gè)呈陣列分布的MIM電容塊；所述MIM電容陣列包括第一測(cè)試區(qū)域及第二測(cè)試區(qū)域，所述第一測(cè)試區(qū)域及所述第二測(cè)試區(qū)域均包括多個(gè)MIM電容塊；每個(gè)所述MIM電容塊均包括：上極板、下極板及位于所述上極板與所述下極板之間的電介質(zhì)層；

第一測(cè)試焊墊，經(jīng)由第一金屬連線與所述第一測(cè)試區(qū)域內(nèi)所有的所述MIM電容塊的下極板相連接；

第二測(cè)試焊墊，經(jīng)由第二金屬連線與所述第二測(cè)試區(qū)域內(nèi)所有的所述MIM電容塊的下極板相連接。

作為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括：

第三測(cè)試焊墊，經(jīng)由第三金屬連線與所述第一測(cè)試區(qū)域內(nèi)所有的所述MIM電容塊的上極板相連接；

第四測(cè)試焊墊，經(jīng)由第四金屬連線與所述第二測(cè)試區(qū)域內(nèi)所有的所述MIM電容塊的上極板相連接。

作為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一金屬連線、所述第二金屬連線、所述第三金屬連線及所述第四金屬連線分別經(jīng)由連接通孔與所述MIM電容塊相連接。

作為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一金屬連線、所述第二金屬連線、所述第三金屬連線及所述第四金屬連線位于同一平面內(nèi)。

作為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一金屬連線與所述第三金屬連線的寬度之和小于所述第一測(cè)試區(qū)域內(nèi)所述MIM電容塊的寬度；所述第二金屬連線與所述第四金屬連線的寬度之和小于所述第二測(cè)試區(qū)域內(nèi)所述MIM電容塊的寬度。

作為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述下極板的寬度大于所述上極板及所述介質(zhì)層的寬度，以確保所述下極板至少自所述上極板及所述介質(zhì)層下方的一側(cè)延伸露出。

作為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一金屬連線位于所述第一測(cè)試區(qū)域內(nèi)各所述MIM電容塊的外側(cè)；所述第二金屬連線位于所述第二測(cè)試區(qū)域內(nèi)各所述MIM電容塊的外側(cè)；所述第三金屬連線位于所述第一測(cè)試區(qū)域內(nèi)各所述MIM電容塊的內(nèi)側(cè)；所述第四金屬連線位于所述第二測(cè)試區(qū)域內(nèi)各所述MIM電容塊的內(nèi)側(cè)。

作為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一測(cè)試區(qū)域及所述第二測(cè)試區(qū)域均為矩形螺旋狀結(jié)構(gòu)；所述第一金屬連線、所述第二金屬連線、所述第三金屬連線及所述第四金屬連線均呈矩形螺旋狀。

作為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一金屬連線遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端與所述第二金屬連線遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端以所述MIM電容陣列的中心呈中心對(duì)稱(chēng)分布；所述第三金屬連線遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端與所述第四金屬連線遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端以所述MIM電容陣列的中心呈中心對(duì)稱(chēng)分布。

作為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一測(cè)試焊墊與所述第一金屬連線遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端相連接；所述第二測(cè)試焊墊與所述第二金屬連線遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端相連接；所述第三測(cè)試焊墊與所述第三金屬連線遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端相連接；所述第四測(cè)試焊墊與所述第四金屬連線遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端相連接。

如上所述，本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果：本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)可以精確地檢測(cè)MIM電容的下極板中是否存在有金屬殘留引起的橋聯(lián)缺陷，并可以通過(guò)增加測(cè)試結(jié)構(gòu)中的MIM電容塊的數(shù)量提高檢測(cè)精度；同時(shí)，本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)還可以檢測(cè)MIM電容的電容值。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)的MIM電容的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示為本實(shí)用新型實(shí)施例一中提供的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3顯示為本實(shí)用新型實(shí)施例一中提供的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)中的MIM電容陣列的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4顯示為本實(shí)用新型實(shí)施例二中提供的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

11 上極板

12 電介質(zhì)層

13 下極板

201 第一測(cè)試區(qū)域

202 第二測(cè)試區(qū)域

21 MIM電容塊

211 上極板

212 下極板

22 第一測(cè)試焊墊

23 第一金屬連線

24 第二測(cè)試焊墊

25 第二金屬連線

26 第三測(cè)試焊墊

27 第三金屬連線

28 第四測(cè)試焊墊

29 第四金屬連線

具體實(shí)施方式

以下由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。

請(qǐng)參閱圖2至圖4。須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖示所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實(shí)用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中部”及“一”等的用語(yǔ)，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本實(shí)用新型可實(shí)施的范疇。

實(shí)施例一

本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參閱圖2及圖3，所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：MIM電容陣列，所述MIM電容陣列包括若干個(gè)呈陣列分布的MIM電容塊21；所述MIM電容陣列包括第一測(cè)試區(qū)域201及第二測(cè)試區(qū)域202，所述第一測(cè)試區(qū)域201及所述第二測(cè)試區(qū)域202均包括多個(gè)MIM電容塊21；每個(gè)所述MIM電容塊21均包括：上極板211、下極板212及位于所述上極板211與所述下極板212之間的電介質(zhì)層(未示出)，具體的，所述MIM電容塊21的結(jié)構(gòu)如現(xiàn)有技術(shù)中的圖1所示；第一測(cè)試焊墊22，所述第一測(cè)試焊墊22經(jīng)由第一金屬連線23與所述第一測(cè)試區(qū)域201內(nèi)所有的所述MIM電容塊21的下極板212相連接；第二測(cè)試焊墊24，所述第二測(cè)試焊墊24經(jīng)由第二金屬連線25與所述第二測(cè)試區(qū)域202內(nèi)所有的所述MIM電容塊21的下極板212相連接。

作為示例，所述第一金屬連線23經(jīng)由連接通孔(未示出)與所述MIM電容塊21；所述第二金屬連線25經(jīng)由連接通孔與所述MIM電容塊21相連接。

作為示例，所述第一金屬連線23與所述第二金屬連線25位于同一平面內(nèi)。

作為示例，如圖3所示，所述下極板212的寬度大于所述上極板211及所述介質(zhì)層的寬度，以確保所述下極板212至少自所述上極板211及所述介質(zhì)層下方的一側(cè)延伸露出，以確保所述下極板212可以與位于所述MIM電容塊21上方的所述第一金屬線23及所述第二金屬線25相連接。

作為示例，如圖2所示，所述第一金屬連線23位于所述第一測(cè)試區(qū)域201內(nèi)各所述MIM電容塊21的外側(cè)；所述第二金屬連線25位于所述第二測(cè)試區(qū)域202內(nèi)各所述MIM電容塊21的外側(cè)。當(dāng)然，在其他示例中，也可以根據(jù)所述第一金屬連線23與所述第二金屬連線25的走向設(shè)定其與各所述MIM電容塊21的位置。需要說(shuō)明的是，所述第一測(cè)試區(qū)域201內(nèi)各所述MIM電容塊21的外側(cè)是指所述第一測(cè)試區(qū)域201內(nèi)各所述MIM電容塊21遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)中心的一側(cè)，所述第二測(cè)試區(qū)域202內(nèi)各所述MIM電容塊21的外側(cè)是指所述第二測(cè)試區(qū)域202內(nèi)各所述MIM電容塊21遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)中心的一側(cè)。

作為示例，所述第一測(cè)試區(qū)域201及所述第二測(cè)試區(qū)域202均為矩形螺旋狀結(jié)構(gòu)；所述第一金屬連線23及所述第二金屬連線25均呈矩形螺旋狀。當(dāng)然，在其他示例中，所述第一測(cè)試區(qū)域201及所述第二測(cè)試區(qū)域202也可以為矩形結(jié)構(gòu)，所述第一金屬連線23及所述第二金屬線25均為蛇形狀、方波狀等等。

作為示例，所述第一金屬連線23遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端與所述第二金屬連線25遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端以所述MIM電容陣列的中心呈中心對(duì)稱(chēng)分布。

作為示例，所述第一測(cè)試焊墊23與所述第一金屬連線23遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端相連接；所述第二測(cè)試焊墊24與所述第二金屬連線25遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端相連接。

本實(shí)施例中的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的工作原理為：在所述第一測(cè)試焊墊22及所述第二焊墊24上施加不同的電壓，使得所述第一測(cè)試焊墊22與所述第二測(cè)試焊墊24之間存在電壓差；由于所述第一測(cè)試焊墊22及所述第二測(cè)試焊墊24均與所述MIM電容塊21的下極板212相連接，通過(guò)測(cè)量電流即可判斷所述MIM電容塊21的下極板212是否有金屬殘留導(dǎo)致的橋聯(lián)缺陷。本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)可以精確地檢測(cè)相應(yīng)的所述MIM電容塊21的下極板212中是否存在有金屬殘留引起的橋聯(lián)缺陷，且可以根據(jù)切割道的尺寸設(shè)定盡量多數(shù)量的所述MIM電容塊21以提升所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的檢測(cè)精度。本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)同時(shí)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便等優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例二

請(qǐng)結(jié)合圖2及圖3參閱圖4，本實(shí)施例還提供一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型的所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)在實(shí)施例一中所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增設(shè)了第三測(cè)試焊墊26及第四測(cè)試焊墊28；所述第三測(cè)試焊墊26經(jīng)由第三金屬連線27與所述第一測(cè)試區(qū)域201內(nèi)所有的所述MIM電容塊21的上極板211相連接；所述第四測(cè)試焊墊28經(jīng)由第四金屬連線29與所述第二測(cè)試區(qū)域202內(nèi)所有的所述MIM電容塊21的上極板211相連接。

作為示例，所述第三金屬線27經(jīng)由連接通孔(未示出)與所述MIM電容塊21；所述第四金屬線29經(jīng)由連接通孔與所述MIM電容塊21相連接。

作為示例，所述第三金屬線27及所述第四金屬線29位于同一平面內(nèi)，且與所述第一金屬連線23及所述第二金屬連線25位于同一平面內(nèi)。

作為示例，所述第一金屬連線23與所述第三金屬連線26的寬度之和小于所述第一測(cè)試區(qū)域201內(nèi)所述MIM電容塊21的寬度；所述第二金屬連線25與所述第四金屬連線29的寬度之和小于所述第二測(cè)試區(qū)域202內(nèi)所述MIM電容塊21的寬度。

作為示例，所述第三金屬連線27位于所述第一測(cè)試區(qū)域201內(nèi)各所述MIM電容塊21的內(nèi)側(cè)；所述第四金屬連線29位于所述第二測(cè)試區(qū)域202內(nèi)各所述MIM電容塊21的內(nèi)側(cè)。當(dāng)然，在其他示例中，也可以根據(jù)所述第三金屬線27與所述第四金屬線29的走向設(shè)定其與各所述MIM電容塊21的位置。需要說(shuō)明的是，所述第一測(cè)試區(qū)域201內(nèi)各所述MIM電容塊21的內(nèi)側(cè)是指所述第一測(cè)試區(qū)域201內(nèi)各所述MIM電容塊21靠近所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)中心的一側(cè)，所述第二測(cè)試區(qū)域202內(nèi)各所述MIM電容塊21的內(nèi)側(cè)是指所述第二測(cè)試區(qū)域202內(nèi)各所述MIM電容塊21靠近所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)中心的一側(cè)。

作為示例，所述第三金屬連線27遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端與所述第四金屬連線29遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端以所述MIM電容陣列的中心呈中心對(duì)稱(chēng)分布。

作為示例，所述第三測(cè)試焊墊26與所述第三金屬連線27遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端相連接；所述第四測(cè)試焊墊28與所述第四金屬連線29遠(yuǎn)離所述MIM電容陣列中心的一端相連接。

本實(shí)施例中所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)除了可以如實(shí)施例一中所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)那樣檢測(cè)所述MIM電容塊21的下極板212中是否存在有金屬殘留引起的橋聯(lián)缺陷之外，還可檢測(cè)所述MIM電容塊21的電容值。使用本實(shí)施例中所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)檢測(cè)所述MIM電容塊21的電容值的具體方法為：在所述第一測(cè)試焊墊22與所述第三測(cè)試焊墊26上分別施加不同的電壓，使得所述第一測(cè)試焊墊22與所述第三測(cè)試焊墊26之間存在電壓差，即可測(cè)出所述第一測(cè)試區(qū)域201內(nèi)的所述MIM電容塊21的電容值；同樣，在所述第二測(cè)試焊墊24與所述第四測(cè)試焊墊28上分別施加不同的電壓即可測(cè)試所述第二測(cè)試區(qū)域202內(nèi)的所述MIM電容塊21的電容值。需要說(shuō)明的是，由于所述第一測(cè)試區(qū)域201內(nèi)的所述MIM電容塊21與所述第二測(cè)試區(qū)域內(nèi)的所述MIM電容塊21相同，只需側(cè)一個(gè)測(cè)試區(qū)域內(nèi)的所述MIM電容塊21即可。本實(shí)施例的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)既可以如實(shí)施例一中的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)那樣精確地檢測(cè)MIM電容的下極板中是否存在有金屬殘留引起的橋聯(lián)缺陷，又可以檢測(cè)MIM電容的電容值。

綜上所述，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：MIM電容陣列，包括若干個(gè)呈陣列分布的MIM電容塊；所述MIM電容陣列包括第一測(cè)試區(qū)域及第二測(cè)試區(qū)域，所述第一測(cè)試區(qū)域及所述第二測(cè)試區(qū)域均包括多個(gè)MIM電容塊；每個(gè)所述MIM電容塊均包括：上極板、下極板及位于所述上極板與所述下極板之間的電介質(zhì)層；第一測(cè)試焊墊，經(jīng)由第一金屬連線與所述第一測(cè)試區(qū)域內(nèi)所有的所述MIM電容塊的下極板相連接；第二測(cè)試焊墊，經(jīng)由第二金屬連線與所述第二測(cè)試區(qū)域內(nèi)所有的所述MIM電容塊的下極板相連接。本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)可以精確地檢測(cè)MIM電容的下極板中是否存在有金屬殘留引起的橋聯(lián)缺陷，并可以通過(guò)增加測(cè)試結(jié)構(gòu)中的MIM電容塊的數(shù)量提高檢測(cè)精度；同時(shí)，本實(shí)用新型的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)還可以檢測(cè)MIM電容的電容值。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。