本實用新型涉及一種基于多個金屬化過孔的大功率負載芯片。

背景技術：

隨著科學技術的發(fā)展和社會科技水平的不斷進步，微波毫米波電路已經(jīng)越來越廣泛地應用于人們的工作和社會的科學實踐中；就目前而言，微波毫米波電路絕大多數(shù)選擇50Ω作為系統(tǒng)的參考阻抗，因此在多模塊的系統(tǒng)級聯(lián)、測試測量過程中，均要求各模塊的端口阻抗、連接器、測試電纜的特性阻抗均為50Ω，多端口器件中，不用的端口也需要接50Ω匹配負載來吸收信號，避免信號反射回電路中，影響器件性能。

因此在大功率微波產(chǎn)品中，若50Ω負載所能承受的功率不足，就可能會引起負載或產(chǎn)品損壞，對微波毫米波電路的正常工作產(chǎn)生不利影響；但現(xiàn)有的大功率負載芯片中，若想要擴大其承受功率，往往會改變負載芯片內部的匹配阻抗，進而不利于與微波毫米波電路中的其它模塊相匹配。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種基于多個金屬化過孔的大功率負載芯片，能夠在大功率負載芯片匹配阻抗固定的前提下，保證其良好的耐受功率，并降低金屬化過孔的等效電感對高頻信號的影響，使負載芯片既能夠應用與高頻環(huán)境，也能夠應用于低頻環(huán)境。

本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現(xiàn)的：一種基于多個金屬化過孔的大功率負載芯片，包括介質基片,所述的介質基片的上表面設置有第一金屬帶線、第二金屬帶線和長方形的薄膜電阻層，薄膜電阻層設置于第一金屬帶線和第二金屬帶線之間，且分別與第一金屬帶線和第二金屬帶線電連接；所述介質基片的下表面設置有金屬層，介質基片內部設置有多個用于連通金屬層和第二金屬帶線的金屬化過孔。

所述第二金屬帶線上還設置有多個與金屬化過孔配合的小孔，第二金屬帶線上的小孔與所述金屬化過孔連通。

所述第二金屬帶線上的小孔與所述金屬化過孔個數(shù)相同且一一對應。

所述第二金屬帶線上的小孔與所述金屬化過孔直徑相等。

所述金屬化過孔的個數(shù)為3。

所述的大功率負載芯片還包括接入端口，所述接入端口與第一金屬帶線連接。

所述第一金屬帶線與薄膜電阻層之間存在第一交疊區(qū)域，且第一金屬帶線與薄膜電阻層通過第一交疊區(qū)域實現(xiàn)電連接。

所述第二金屬帶線與薄膜電阻層之間存在第二交疊區(qū)域，且第二金屬帶線與薄膜電阻層通過第一交疊區(qū)域實現(xiàn)電連接。

本實用新型的有益效果是：（1）薄膜電阻的阻值只跟其長寬比有關，跟其絕對尺寸大小無關，同時薄膜電阻的面積越大，能承受的電流就越大，耐受功率也隨之增大；故通過本申請的結構，能夠在大功率負載芯片匹配阻抗固定的前提下，保證其良好的耐受功率。

（2）在工作過程中，第二金屬帶線與金屬層之間的金屬化過孔會形成等效電感，從而對高頻信號的接地產(chǎn)生影響，不利于負載芯片的正常工作；而本申請中，介質基片內部設置有多個用于連通金屬層和第二金屬帶線的金屬化過孔，雖然金屬化過孔于金屬層和第二金屬帶線依然會形成等效電感，但由于多個金屬化過孔同時連接金屬層和第二金屬帶線，相當于等效電感并聯(lián)，減小了兩者之間的電感值，從而減弱了等效電感對于高頻信號的隔離作用，使得高頻信號通過本申請的負載芯片依然能夠接地；從而負載芯片既能夠應用與高頻環(huán)境，也能夠應用于低頻環(huán)境。

（3）第一金屬帶線與薄膜電阻層通過第一交疊區(qū)域實現(xiàn)電連接；第二金屬帶線與薄膜電阻層通過第一交疊區(qū)域實現(xiàn)電連接；由于通過交疊的方式實現(xiàn)金屬帶線和薄膜電阻層之間的電連接，故能夠避免局部脫落對負載芯片工作產(chǎn)生個影響，提高整個大功率負載芯片的可靠性。

附圖說明

圖1為本實用新型的立體結構示意圖；

圖2為本實用新型的俯視圖；

圖3為薄膜電阻層與第一金屬帶線和第二金屬帶線的連接示意圖；

圖中，1-介質基片，2-第一金屬帶線，3-薄膜電阻層，4-第二金屬帶線，5-金屬化過孔，6-小孔，7-第一交疊區(qū)域，8-第二交疊區(qū)域。

具體實施方式

下面結合附圖進一步詳細描述本實用新型的技術方案，但本實用新型的保護范圍不局限于以下所述。

如圖1~2所示，一種基于多個金屬化過孔的大功率負載芯片，包括介質基片1,所述的介質基片1的上表面設置有第一金屬帶線2、第二金屬帶線4和長方形的薄膜電阻層3，薄膜電阻層3設置于第一金屬帶線2和第二金屬帶線4之間，且分別與第一金屬帶線2和第二金屬帶線4電連接；所述介質基片1的下表面設置有金屬層（導電金屬層，如銅等, 且金屬層覆蓋介質基片1的整個下表面），介質基片1內部設置有多個用于連通金屬層和第二金屬帶線4的金屬化過孔5。

所述第二金屬帶線4上還設置有多個與金屬化過孔5配合的小孔6，第二金屬帶線4上的小孔6與所述金屬化過孔5連通。

所述第二金屬帶線4上的小孔6與所述金屬化過孔5個數(shù)相同且一一對應。

所述第二金屬帶線4上的小孔6與所述金屬化過孔5直徑相等。

所述金屬化過孔5的個數(shù)為3。

所述的大功率負載芯片還包括接入端口，所述接入端口與第一金屬帶線2連接。

如圖3所示，所述第一金屬帶線2與薄膜電阻層3之間存在第一交疊區(qū)域7，且第一金屬帶線2與薄膜電阻層3通過第一交疊區(qū)域7實現(xiàn)電連接。

所述第二金屬帶線4與薄膜電阻層3之間存在第二交疊區(qū)域8，且第二金屬帶線2與薄膜電阻層3通過第一交疊區(qū)域8實現(xiàn)電連接。

在本申請的實施例中，介質基片1由AlN（氮化鋁）介質制成，第一金屬帶線2和第二金屬帶線4可以采用高溫蒸發(fā)的方式附著在介質基片1的上表面，也可以采用高溫濺射的方式附著在介質基片1的上表面；薄膜電阻層可以使用NiCr等合金漿料涂覆在介質基片1的上表面，并與第一金屬帶線2和第二金屬帶線4存在交疊區(qū)域；（在一些實施例中，薄膜電阻層也可以采用蒸鍍的方式附著在介質基片1的上表面，并與第一金屬帶線2和第二金屬帶線4存在交疊區(qū)域）；由于交疊區(qū)域的存在，能夠避免局部脫落對負載芯片工作產(chǎn)生個影響，提高整個寬帶大功率負載芯片的可靠性。

在正常工作時，介質基片1下表面的金屬層接地，第一金屬帶線2通過接入端口連接到所需的目標位置，電流依次通過第一金屬帶線2、薄膜電阻層3、第二金屬帶線4、并聯(lián)的多個金屬化過孔5流入介質基片1下表面的接地金屬層；

我們知道，電阻R消耗的功率P跟其通過電流有效值I的平方成正比，即P=I²R。例如50Ω電阻通過有效值為0.5A電流，其消耗的功率為50*0.5²=12.5W，如果通過有效值為0.4A電流，其消耗的功率為50*0.4²=8W；

而薄膜電阻的阻值R=Rs*（L/W），Rs為方阻，對于同一薄膜電阻層而言，其為固定值，故薄膜電阻阻值只跟其長寬比(L/W)有關，跟其絕對尺寸大小無關，而薄膜電阻的面積越大，能承受的電流就越大，耐受功率也隨之增大；所以，基于本申請的結構，我們只需要在保證薄膜電阻層3長寬比固定，即可保證薄膜電阻的阻值固定，進而使得寬帶大功率負載芯片的匹配阻抗固定；同時根據(jù)不同的情況為薄膜電阻設計不同的尺寸，即可使得大功率負載芯片的耐受功率滿足要求。

并且，在工作過程中，若只設置一個金屬化過孔5，第二金屬帶線4與金屬層之間的金屬化過孔5會形成等效電感，從而對高頻信號的接地產(chǎn)生影響，不利于負載芯片的正常工作；而本申請中，介質基片內部設置有多個用于連通金屬層和第二金屬帶線4的金屬化過孔5，雖然金屬化過孔5于金屬層和第二金屬帶線4依然會形成等效電感，但由于多個金屬化過孔5同時連接金屬層和第二金屬帶線，相當于等效電感并聯(lián)，減小了兩者之間的電感值，從而減弱了等效電感對于高頻信號的隔離作用，使得高頻信號通過本申請的負載芯片依然能夠接地；從而負載芯片既能夠應用與高頻環(huán)境，也能夠應用于低頻環(huán)境。