本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制備裝置的領(lǐng)域，具體為一種DBR卡環(huán)。

背景技術(shù)：

DBR卡環(huán)的作用在于將晶圓固定在DBR鍍鍋上，防止晶圓脫落，隨著芯片工藝的改進(jìn)，DBR鍍鍋的傾斜角度出現(xiàn)了各種差異，當(dāng)DBR鍍鍋的傾斜角度大到一定程度時(shí)，運(yùn)用傳統(tǒng)的DBR卡環(huán)蒸鍍過程中會(huì)出現(xiàn)蒸鍍材料通過DBR環(huán)的縫隙，碰撞回來后鍍到晶片表面。大量DBR鍍到晶圓非待鍍面的情況，導(dǎo)致晶圓芯片制程的異常，非待鍍面卻蒸鍍上DBR的情況，尤其是DBR卡環(huán)內(nèi)晶圓靠近平邊的區(qū)域非待鍍表面蒸鍍上DBR的情況更為嚴(yán)重。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供一種DBR卡環(huán)，以解決背景技術(shù)中的問題，提高產(chǎn)品良率。

具體技術(shù)方案如下：

一種DBR卡環(huán)，用于在DBR蒸鍍中與DBR鍍鍋配合固定晶圓，晶圓上具有晶圓平邊，其特征在于，所述卡環(huán)具備卡扣和裙邊，裙邊與卡扣位于卡環(huán)的內(nèi)側(cè)。

優(yōu)選的，所述DBR卡環(huán)具備卡環(huán)平邊，所述卡環(huán)平邊位置與晶圓平邊位置相對應(yīng)，卡環(huán)平邊長度大于25mm。

優(yōu)選的，所述DBR卡環(huán)表面為粗化表面。

優(yōu)選的，所述晶圓表面具有廢點(diǎn)，卡扣位置與廢點(diǎn)位置對應(yīng)，所述卡扣形狀為向卡環(huán)中心方向至少具有一個(gè)頂點(diǎn)的圖形。

優(yōu)選的，所述卡扣形狀為三角形或扇形。

優(yōu)選的，所述扇形高H為0.5~5mm，所述扇形底邊直線長度L為0.5~10mm。

優(yōu)選的，所述DBR卡環(huán)的裙邊為曲線狀，至少覆蓋卡環(huán)內(nèi)側(cè)的四分之一區(qū)域。

優(yōu)選的，所述裙邊的寬度小于卡扣的高度。

優(yōu)選的，所述DBR卡環(huán)的裙邊寬度為0.4~0.8mm。

優(yōu)選的，所述DBR卡環(huán)的厚度為5~10mm。

本實(shí)用新型至少具有以下有益效果：

1、裙邊設(shè)計(jì)有效降低了DBR蒸鍍到晶圓非待鍍面的幾率。

2、卡扣與晶圓表面由于芯片工藝產(chǎn)生的廢點(diǎn)位置重合，再結(jié)合裙邊寬度的合理設(shè)計(jì)，在保證卡扣支持晶圓可靠性和避免DBR蒸鍍到晶圓的非待鍍面的同時(shí)，減少由卡扣和裙邊對晶圓待鍍面造成的遮擋影響。

3、對卡環(huán)表面進(jìn)行粗化，便于卡環(huán)在DBR制程后清理表面附著物，減少清理時(shí)間。

除了上述有益效果外，本實(shí)用新型的其他有益效果將結(jié)合實(shí)施例逐一進(jìn)行說明。

附圖說明

圖1~圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例之DBR鍍鍋示意圖。

圖3~4為本實(shí)用新型實(shí)施例之晶圓示意圖。

圖5~圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例之DBR卡環(huán)示意圖。

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例之DBR卡環(huán)工作狀態(tài)示意圖。

附圖標(biāo)注：100：卡環(huán)，110：卡扣，120：卡環(huán)平邊，130：裙邊，200：鍍鍋，300：晶圓，310：廢點(diǎn)，320：DBR，400：玻璃片。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合示意圖對實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本實(shí)用新型的限制。

參看圖1和圖2，在生產(chǎn)中為了實(shí)現(xiàn)擴(kuò)大產(chǎn)能，增大鍍鍋200的斜度，即增大鍍鍋200的斜角α。參看圖3，在實(shí)際生產(chǎn)中，卻出現(xiàn)了晶圓300非待鍍面鍍到DBR 320的異常，異常原因在于斜度增大，蒸鍍材料容易通過DBR卡環(huán)100內(nèi)的縫隙反射鍍到晶圓300非待鍍面。參看圖4，由于各種各樣的芯片制程，晶圓300表面常常具有廢點(diǎn)310，廢點(diǎn)310不作為正常芯粒制作。

參看圖5到圖8，本實(shí)施例的卡環(huán)100呈圓環(huán)狀，本實(shí)施例可以設(shè)計(jì)為左右對稱結(jié)構(gòu)，圓環(huán)的外徑D1設(shè)置為107mm，圓環(huán)的內(nèi)徑D2設(shè)置為100mm，具備卡扣110和裙邊130，DBR卡環(huán)100的厚度為5~10mm，裙邊130與卡扣110位于卡環(huán)100的內(nèi)側(cè)，用于DBR蒸鍍中與DBR鍍鍋200配合固定晶圓300，晶圓300上具有晶圓300平邊，晶圓300平邊用于方便操作者上下片對準(zhǔn)，及芯片工藝對位。DBR卡環(huán)100具備卡環(huán)平邊120，位置與晶圓300平邊位置相對應(yīng)，在上片時(shí)，先將DBR卡環(huán)100放到DBR鍍鍋200的孔洞中，再將晶圓300平邊與DBR卡環(huán)平邊120對齊放入DBR卡環(huán)100內(nèi)，最后蓋上玻璃片400，即將晶圓300待鍍面朝向蒸鍍源，而非待鍍面用玻璃片400覆蓋?？ōh(huán)100平邊處具有一缺口，方便操作者夾取晶圓300，晶圓300表面具有廢點(diǎn)310，卡扣110位置與廢點(diǎn)310位置對應(yīng)，盡可能降低卡扣110遮擋對于DBR蒸鍍的影響，卡扣110形狀為向卡環(huán)100中心方向至少具有一個(gè)頂點(diǎn)的圖形，例如三角形或扇形，如果是扇形，則高H為0.5~5mm，扇形底邊直線長度L為0.5~10mm。本實(shí)施的DBR卡環(huán)100平邊長度大于25mm，優(yōu)選為30mm，比常規(guī)DBR卡環(huán)100略大，減小DBR卡環(huán)100縫隙，防止DBR材料通過DBR卡環(huán)100縫隙反射到晶圓300非待鍍面上。

DBR卡環(huán)100的裙邊130為曲線狀貼合在卡環(huán)的內(nèi)圈，至少覆蓋卡環(huán)100內(nèi)側(cè)的四分之一區(qū)域，本實(shí)施例為內(nèi)側(cè)三分之一區(qū)域，本實(shí)施例的裙邊130可以相對卡環(huán)平邊120對稱分布。因?yàn)槌Ｒ?guī)DBR卡環(huán)100的異常區(qū)域主要集中在晶圓300平邊附近，本實(shí)施例可以有效地避免DBR鍍到晶圓300非待鍍面。裙邊130的寬度W小于卡環(huán)卡扣110的高度H，裙邊130的寬度W為0.4~0.8mm，優(yōu)選為0.5mm，不宜設(shè)計(jì)太大導(dǎo)致過多晶圓300上待鍍面的芯粒沒有鍍上DBR而報(bào)廢，又能解決背景技術(shù)的問題。

DBR卡環(huán)100表面為粗化表面，在DBR蒸鍍完晶圓300，卡環(huán)100表面往往粘附著DBR材料，相比光滑表面，粗化后的卡環(huán)100更容易進(jìn)行清理，降低了DBR的粘附性，有助于卡環(huán)100的循環(huán)使用。

應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施方案為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，本實(shí)用新型的范圍不限于實(shí)施例，凡依本實(shí)用新型所做的任何變更，皆屬本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。