本發(fā)明涉及晶硅太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，尤其涉及一種單面多晶硅的制備方法。

背景技術(shù)：

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對生活環(huán)境的要求也越來越高，清潔能源愈發(fā)受到人們的重視，光伏發(fā)電技術(shù)作為利用太陽能資源的主流技術(shù)，已經(jīng)走向市場化和商業(yè)化，為了更進(jìn)一步推進(jìn)光伏電池產(chǎn)品的應(yīng)用和推廣，需要不斷提高電池效率。

topcon(tunneloxidepassivationcontact；隧道氧化鈍化接觸)電池作為一種高效光伏電池，其沉積單晶硅的關(guān)鍵技術(shù)大多數(shù)通過管式lpcvd(低壓化學(xué)氣相沉積)設(shè)備實(shí)現(xiàn)，但是管式lpcvd的繞鍍問題成為制約電池提高效率的重要問題之一。

那么如何實(shí)現(xiàn)制備單面多晶硅，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種單面多晶硅的制備方法，該制備方法解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在繞鍍的問題，實(shí)現(xiàn)了制備單面多晶硅。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種單面多晶硅的制備方法，所述制備方法包括：

提供一硅襯底；

在所述硅襯底第一表面形成第一掩膜層；

在所述硅襯底第二表面形成sio2層；

在所述硅襯底的第一表面以及第二表面形成多晶硅層；

在所述硅襯底第二表面上的多晶硅層背離所述第二表面的一側(cè)形成第二掩膜層；

對所述硅襯底第一表面上的多晶硅層進(jìn)行刻蝕處理；

去除所述第一掩膜層以及所述第二掩膜層。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述硅襯底為n型硅襯底。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述第一掩膜層為sion掩膜層。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述第一掩膜層的厚度為80nm-500nm。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述第二掩膜層為sion掩膜層。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述第二掩膜層的厚度為80nm-500nm。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述sio2層的厚度為1nm-7nm。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述硅襯底第二表面上的多晶硅層的厚度為10nm-150nm。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述對所述硅襯底第一表面上的多晶硅層進(jìn)行刻蝕處理包括：

通過naoh對所述硅襯底第一表面上的多晶硅層進(jìn)行刻蝕，直至暴露出所述第一掩膜層。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述去除所述第一掩膜層以及所述第二掩膜層包括：

通過hf酸對所述第一掩膜層以及所述第二掩膜層進(jìn)行刻蝕處理。

通過上述描述可知，本發(fā)明提供的一種單面多晶硅的制備方法包括：提供一硅襯底；在所述硅襯底第一表面形成第一掩膜層；在所述硅襯底第二表面形成sio2層；在所述硅襯底的第一表面以及第二表面形成多晶硅層；在所述硅襯底第二表面上的多晶硅層背離所述第二表面的一側(cè)形成第二掩膜層；對所述硅襯底第一表面上的多晶硅層進(jìn)行刻蝕處理；去除所述第一掩膜層以及所述第二掩膜層。

由此可知，本發(fā)明首先通過對第二表面上的多晶硅層以及硅襯底第一表面進(jìn)行掩膜層保護(hù)，之后再將第一表面上的多晶硅層刻蝕去除，也就是說，刻蝕掉繞鍍的多晶硅層，最后再去除第一掩膜層以及第二掩膜層，進(jìn)而形成單面多晶硅。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種單面多晶硅的制備方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種單面多晶硅制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種單面多晶硅制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種單面多晶硅制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種單面多晶硅制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種單面多晶硅制備完成后的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

參考圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種單面多晶硅的制備方法的流程示意圖。并結(jié)合說明書附圖圖2、圖3、圖4、圖5以及圖6進(jìn)行具體闡述。

所述制備方法包括：

s101：提供一硅襯底。

具體的，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述硅襯底包括但不限定于n型硅襯底。

s102：如圖2所示，在所述硅襯底11第一表面形成第一掩膜層12。

具體的，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一掩膜層12包括但不限定于sion掩膜層，且所述第一掩膜層12的厚度優(yōu)選為80nm-500nm，例如可以為90nm或100nm或200nm等。

其中，所述第一掩膜層12用于保護(hù)所述硅襯底11的第一表面。

s103：如圖3所示，在所述硅襯底11第二表面形成sio2層13。

具體的，所述sio2層13的厚度在本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選為1nm-7nm之間，例如可以為1.5nm或3nm或5nm等。

s104：如圖3所示，在所述硅襯底11的第一表面以及第二表面形成多晶硅層。

具體的，通過管式lpcvd設(shè)備沉積多晶硅層，由于工藝問題，在所述硅襯底11的第一表面形成的多晶硅層14為不均勻狀態(tài)，即繞鍍問題。需要在后續(xù)的工藝過程中去除該多晶硅層14。

其中，需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，在所述硅襯底11的第二表面形成的多晶硅層15的厚度優(yōu)選為10nm-150nm之間，例如，可以為12nm或50nm或100nm等。

s105：如圖4所示，在所述硅襯底11第二表面上的多晶硅層15背離所述第二表面的一側(cè)形成第二掩膜層16。

具體的，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第二掩膜層16包括但不限定于sion掩膜層，且所述第二掩膜層16的厚度優(yōu)選為80nm-500nm，例如可以為90nm或100nm或200nm等。

其中，所述第二掩膜層16用于保護(hù)所述硅襯底11第二表面上的多晶硅層15。

s106：如圖5所示，對所述硅襯底11第一表面上的多晶硅層14進(jìn)行刻蝕處理。

具體的，通過naoh對所述硅襯底11第一表面上的多晶硅層14進(jìn)行刻蝕，直至暴露出所述第一掩膜層12。

其中，在本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選采用0.3％-3％濃度的naoh對所述硅襯底11第一表面上的多晶硅層14進(jìn)行刻蝕，并且naoh對第一掩膜層12不會產(chǎn)生影響。通過濕化學(xué)刻蝕的方法，解決了由管式lpcvd設(shè)備產(chǎn)生的繞鍍問題。

s107：如圖6所示，去除所述第一掩膜層12以及所述第二掩膜層16。

具體的，通過hf酸對所述第一掩膜層12以及所述第二掩膜層16進(jìn)行刻蝕處理。也就是說，通過采用hf酸去除所述第一掩膜層12以及所述第二掩膜層16，進(jìn)而形成了單面的多晶硅層，并且解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的繞鍍問題。

由上述本發(fā)明實(shí)施例可知，本發(fā)明提供的一種單晶多晶硅的制備方法首先通過對第二表面上的多晶硅層以及硅襯底第一表面進(jìn)行掩膜層保護(hù)，之后再將第一表面上的多晶硅層刻蝕去除，也就是說，刻蝕掉繞鍍的多晶硅層，最后再去除第一掩膜層以及第二掩膜層，進(jìn)而形成單面多晶硅。

對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。