本發(fā)明涉及太陽能電池片制造
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體為一種電池片pecvd鍍膜后返工片的處理方法。
背景技術(shù)：
：太陽能電池主要是將太陽光轉(zhuǎn)換為電能，在實際生活中屬于一種綠色能源，太陽能電池片是由原硅片經(jīng)過清洗硅片表面、制絨、擴散形成pn結(jié)、去除磷硅玻璃、沉積氮化硅、印刷、燒結(jié)形成的。因為氮化硅的沉積大部分使用的管式pecvd(等離子體增強化學(xué)氣相沉積法)，管式pecvd對于膜厚的均勻性有一定影響，硅片沉積的氮化硅的厚度不同，則呈現(xiàn)的顏色不同，經(jīng)常造成色差片，現(xiàn)有技術(shù)中，色差片出現(xiàn)后，需要用高濃度的hf酸進行干燥，將硅片表面的的氮化硅、pn結(jié)去除干凈，然后重新制絨、然后擴散、去除磷硅玻璃層、沉積氮化硅、印刷燒結(jié)從而形成電池，十分麻煩。目前公開號為cn1038873699a的“一種硅片鍍膜色差片的返工方法”、以及公開號為cn105575759a的“一種pecvd返工片處理方法”兩個專利，為了解決對色差片返工處理過程中步驟復(fù)雜麻煩的問難，上述兩個專利均簡化了色差片返工處理的步驟，只采用hf酸對氮化硅進行去除，其中“一種硅片鍍膜色差片的返工方法”使用hf酸濃度為10％～12％，“一種pecvd返工片處理方法”使用hf量為32l的酸洗槽，然后重新對電池片進行優(yōu)化鍍膜，從而達到降低色差片、提升電池合格率的目的。但是上述兩個專利的色差片返工處理方法還存在較為明顯的缺陷：在使用hf酸液對色差片的處理過程中，正常氮化硅的厚度為3～5μm，完全采用hf溶液去除則需要大量的、高濃度的hf酸液，十分浪費酸液材料。色差片需要先經(jīng)過高濃度的酸洗除去硅片表面的氮化硅和pn結(jié)，除去硅片的厚度約為5μm，重新經(jīng)過制絨，制絨的深度為2-4μm，擴散工序經(jīng)過800℃以上溫度進行反應(yīng)，均會造成硅片損傷，從而提升硅片的碎片率，增加消耗，提高生產(chǎn)成本。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種電池片pecvd鍍膜后返工片的處理方法，以解決上述
背景技術(shù)：
中提出的問題。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種電池片pecvd鍍膜后返工片的處理方法，包括以下步驟：s1、氮化硅切割：使用玻璃刀對電池片表面氮化硅進行切割去除；s2、切割后鍍膜：采用管式pecvd鍍膜工序?qū)﹄姵仄砻孢M行重新鍍膜。優(yōu)選的，s1的具體步驟為：使用玻璃刀切割時，若玻璃刀的切割面位于電池片與氮化硅接觸面上，則直接進行步驟s2。優(yōu)選的，s1的具體步驟為：使用玻璃刀切割時，若玻璃刀的切割面位于氮化硅內(nèi)，則首先使用濃度為5％～7％的hf溶液對電池片表面上切割剩余的氮化硅進行去除，控制去除反應(yīng)時間為5～10s，然后進行水洗、干燥，最后進行步驟s2。優(yōu)選的，所述切割面與接觸面始終保持平行。優(yōu)選的，步驟s1中，保持氮化硅切割始終在顯微鏡下進行。優(yōu)選的，選用hf溶液的濃度為5％，去除反應(yīng)時間控制為5s。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明對色差片的氮化硅采用切割去除，對氮化硅首先采用玻璃刀進行切割，如若切割面與接觸面重合，則剛好將氮化硅完全去除，直接進行重新pecvd鍍膜即可，免去了hf溶液的使用；如若切割面處于氮化硅內(nèi)，則部分厚度的氮化硅被切割去除，然后配合著更低濃度的hf酸液，對剩余氮化硅進行腐蝕，可以很好的減少hf酸液的使用量和使用濃度，非常有效。本發(fā)明的處理方法可以在不使用hf酸液或者少量hf酸液的情況下，很好的去除掉氮化硅，且不影響制絨面和pn結(jié)，然后重新在電池片上進行pecvd鍍膜，能夠有效降低對電池片的損傷和電池片碎片率，減少了原料酸液的消耗，降低了生產(chǎn)成本，提高了工作效率，很好的對色差返工片進行處理，十分有效。附圖說明圖1為本發(fā)明處理方法的流程框圖；圖2為本發(fā)明實施例一中切割面與接觸面的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例二中切割面與接觸面的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。請參閱圖1-3，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案：實施例一：一種電池片pecvd鍍膜后返工片的處理方法，包括以下步驟：s1、氮化硅切割：使用玻璃刀對電池片表面氮化硅進行切割去除；首先將色差返工片置于潔凈的環(huán)境中，避免對電池片造成污染，由于電池片厚度是以微米為單位，肉眼難以去分辨，所以可以將硅片置于顯微鏡下進行操作。如說明書附圖2所示，圖中粗虛線為電池片與沉積的氮化硅接觸面，然后控制玻璃刀對齊接觸面，玻璃刀的切割面與接觸面要始終保持平行，本實施例中使切割面與接觸面重合，圖中細實線為切割面線，重合后玻璃刀可以將氮化硅完全切割去除掉，還不會破壞pn結(jié)和制絨面。s2、切割后鍍膜：采用管式pecvd鍍膜工序?qū)﹄姵仄砻孢M行重新鍍膜；然后直接使用管式pecvd鍍膜工序?qū)﹄姵仄M行重新鍍膜，將色差返工片處理成正常片。將鍍膜之后的正常電池片進行印刷燒結(jié)，得到成品。實施例二：一種電池片pecvd鍍膜后返工片的處理方法，包括以下步驟：s1、氮化硅切割：使用玻璃刀對電池片表面氮化硅進行切割去除；首先將色差返工片置于潔凈的環(huán)境中，避免對電池片造成污染，由于電池片厚度是以微米為單位，肉眼難以去分辨，所以可以將硅片置于顯微鏡下進行操作。如說明書附圖3所示，圖中粗虛線仍為電池片與沉積的氮化硅接觸面，然后控制玻璃刀對齊氮化硅，玻璃刀的切割面與接觸面要始終保持平行，本實施例中使切割面位于氮化硅內(nèi)，圖中細實線為切割面線，玻璃刀可以將部分厚度的氮化硅切割去除掉，然后對于剩余部分的氮化硅，首先使用濃度為5％的hf溶液對電池片表面上切割剩余的氮化硅進行去除，控制去除反應(yīng)時間為5s，然后進行水洗，并且進行電池片的甩干，仍然不會破壞pn結(jié)和制絨面。s2、切割后鍍膜：采用管式pecvd鍍膜工序?qū)﹄姵仄砻孢M行重新鍍膜；然后直接使用管式pecvd鍍膜工序?qū)﹄姵仄M行重新鍍膜，將色差返工片處理成正常片。將鍍膜之后的正常電池片進行印刷燒結(jié)，得到成品。對比例：選用同一批尺寸大小相同的色差片，分別采用原有電池色差片的返工工藝、實施例一返工工藝、以及實施例二返工工藝進行返工處理，然后將實施例一、實施例二和對比例這三個返工處理方法所使用的hf溶液數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計，統(tǒng)計結(jié)果如下表1所示：typehf酸液濃度hf酸液腐蝕時間對比例15％12s實施例一00實施例二5％5s表1綜合上表1內(nèi)數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明的實施例一和實施例二的處理方法所使用的hf酸液濃度以及使用腐蝕時間均明顯低于原有技術(shù)的對比例的數(shù)據(jù)，節(jié)約了大量材料和成本。盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。當(dāng)前第1頁12