技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種離子注入能量監(jiān)控方法。所述離子注入能量監(jiān)控方法，包括：在硅襯底形成基礎(chǔ)氧化層；所述基礎(chǔ)氧化層表面形成多個(gè)多晶硅?絕緣層復(fù)合結(jié)構(gòu)；在所述多個(gè)多晶硅?絕緣層復(fù)合結(jié)構(gòu)形成接觸孔，并在所述接觸孔制作金屬測(cè)試塊；對(duì)所述多個(gè)多晶硅?絕緣層復(fù)合結(jié)構(gòu)進(jìn)行離子注入處理；利用所述金屬測(cè)試塊對(duì)所述多個(gè)多晶硅?絕緣層復(fù)合結(jié)構(gòu)進(jìn)行電阻測(cè)試，來(lái)檢測(cè)在所述離子注入過(guò)程中的離子注入能量是否出現(xiàn)偏差。本發(fā)明提供的方法可以通過(guò)在硅襯底依次形成多層相互絕緣的多晶硅層并對(duì)其進(jìn)行離子注入，并通過(guò)金屬測(cè)試塊進(jìn)行電阻測(cè)試來(lái)檢測(cè)離子注入能量，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單方便高效地監(jiān)控離子注入能量。

技術(shù)研發(fā)人員：田巍岐
受保護(hù)的技術(shù)使用者：田巍岐
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.12
技術(shù)公布日：2017.09.22