技術(shù)編號：11289615
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種離子注入能量監(jiān)控方法【技術(shù)領(lǐng)域】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，特別地，涉及一種離子注入能量監(jiān)控方法。【背景技術(shù)】在電子工業(yè)中，離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中的一種非常重要的摻雜技術(shù)，也是控制晶體管閾值電壓的一個重要手段。在當(dāng)代半導(dǎo)體芯片，特別是大規(guī)模集成電路芯片的制造工藝中，離子注入技術(shù)可以說是一種必不可少的手段。在半導(dǎo)體芯片制造過程中，離子注入工藝的關(guān)鍵參數(shù)就是注入劑量和注入能量，注入能量決定了注入的深度值，越大的注入能量，注入的深度越大。目前離子注入的監(jiān)控手段，只能很好的監(jiān)控注入劑量，但...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。