技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅MOSFET單胞結(jié)構(gòu)的制造方法，將垂直導(dǎo)電溝道區(qū)設(shè)計(jì)成彎曲狀，這樣能夠有效增大垂直導(dǎo)電溝道區(qū)的總長(zhǎng)度，從而降低溝道電阻在導(dǎo)通電阻中所占的比例。

技術(shù)研發(fā)人員：黃潤(rùn)華;柏松;陶永洪;汪玲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.05
技術(shù)公布日：2017.11.07