技術(shù)編號(hào)：12888806
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，特別是涉及一種碳化硅MOSFET單胞結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù)SiC材料禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、飽和漂移速度和熱導(dǎo)率大，這些材料優(yōu)越性能使其成為制作高功率、高頻、耐高溫、抗輻射器件的理想材料。碳化硅MOSFET器件具有擊穿電壓高、電流密度大、驅(qū)動(dòng)電路與硅IGBT近似的一系列優(yōu)點(diǎn)，因此發(fā)展前景非常廣泛。同時(shí)碳化硅是唯一可以通過(guò)自身氧化實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量柵氧化層的寬禁帶半導(dǎo)體材料，但目前碳化硅熱氧化技術(shù)尚不成熟，形成的溝道遷移率非常低，進(jìn)而導(dǎo)致溝道電阻在電流流通路徑上所占電阻比例非常...
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