技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種超級結(jié)器件的制造方法，包括步驟：步驟一、提供一N型半導體外延層并形成多個周期排列的超級結(jié)溝槽；步驟二、對超級結(jié)溝槽進行填充形成P型柱，填充采用多次多晶硅淀積以及多次注入實現(xiàn)，且從下到上注入劑量逐步減少；步驟三、進行熱推進使P型柱的P型雜質(zhì)進行擴散從而在P型柱體內(nèi)實現(xiàn)均勻的濃度梯度分布并使P型柱和N型柱在各縱向位置處的摻雜量匹配。本發(fā)明形成的P型柱的體內(nèi)濃度梯度分布能抵消刻蝕工藝限制形成的倒梯形超級結(jié)溝槽對P型柱和N型柱之間的電荷匹配不利影響，能提高P型柱和N型柱之間的電荷匹配度，從而提高器件的擊穿電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：段文婷
受保護的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導體制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.30
技術(shù)公布日：2017.10.20