技術(shù)編號：11776628
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造方法，特別是涉及一種超級結(jié)器件的制造方法。背景技術(shù)功率器件耐壓的原理是將器件的漂移區(qū)(driftregion)低摻雜，使器件在高電壓時能產(chǎn)生大面積的耗盡區(qū)來達(dá)到耐壓的效果。因為垂直型器件具備較厚的漂移區(qū)，因此在高壓應(yīng)用中，垂直型器件是較佳的選擇。超級結(jié)(SuperJunction)器件同時結(jié)合了VDMOS在開關(guān)時低損耗以及IGBT在導(dǎo)通狀態(tài)低損耗的優(yōu)點，以優(yōu)異的性能得到了廣泛應(yīng)用。超級結(jié)器件中的超級結(jié)是由交替排列的P型柱和N型柱組成，通常采用在N型外延層如N型硅外...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。