技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N太陽能電池片返工方法，包括：提供待返工硅片，所述待返工硅片表面具有失敗膜層，所述待返工硅片位于管式鍍膜爐管內(nèi)；往所述管式鍍膜爐管內(nèi)通入氣體，生成含氟等離子體；利用所述含氟等離子體去除所述待返工硅片表面的失敗膜層；對去除失敗膜層的硅片重新鍍膜。本發(fā)明提供的太陽能電池片返工方法，使用干法含氟的等離子體去除鍍膜失敗的硅片表面的失敗膜層，能夠直接在管式鍍膜爐管內(nèi)進(jìn)行，而無需其它工序處理。重新鍍膜時，也可以直接重新鍍膜，不需要重新經(jīng)過制絨、擴散、刻蝕工序，然后重新鍍膜，因此，能夠節(jié)省大量返工時間和物料成本。且本發(fā)明實施例提供的太陽能電池片返工方法工藝簡單，步驟精簡，成本較低。

技術(shù)研發(fā)人員：黃紀(jì)德;金井升;張昕宇;金浩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.27
技術(shù)公布日：2017.08.29