技術(shù)編號：11434632
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及太陽能電池制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽能電池片返工方法。背景技術(shù)太陽能電池的制作過程主要包括：制絨、擴(kuò)散、刻蝕、鍍膜、印刷和燒結(jié)。其中，鍍膜工序是在硅片表面制作一層減反射膜，由于設(shè)備原因、人為原因或其它原因，減反射膜的厚度有可能偏薄或偏厚達(dá)不到工藝標(biāo)準(zhǔn)厚度，這樣的硅片稱為鍍膜失敗片，也稱待返工硅片。常規(guī)待返工硅片的返工工藝是通過HF酸溶液進(jìn)行濕法浸泡，反應(yīng)去除減反射膜后再重新制絨、擴(kuò)散、刻蝕，然后再進(jìn)行鍍膜，花費(fèi)大量時(shí)間和物料成本。因此，如何降低待返工硅片的返工處理時(shí)間和物料成本成為...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。