本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽(yáng)能電池片返工方法。

背景技術(shù)：

太陽(yáng)能電池的制作過(guò)程主要包括：制絨、擴(kuò)散、刻蝕、鍍膜、印刷和燒結(jié)。其中，鍍膜工序是在硅片表面制作一層減反射膜，由于設(shè)備原因、人為原因或其它原因，減反射膜的厚度有可能偏薄或偏厚達(dá)不到工藝標(biāo)準(zhǔn)厚度，這樣的硅片稱為鍍膜失敗片，也稱待返工硅片。

常規(guī)待返工硅片的返工工藝是通過(guò)hf酸溶液進(jìn)行濕法浸泡，反應(yīng)去除減反射膜后再重新制絨、擴(kuò)散、刻蝕，然后再進(jìn)行鍍膜，花費(fèi)大量時(shí)間和物料成本。

因此，如何降低待返工硅片的返工處理時(shí)間和物料成本成為亟待解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池片返工方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中返工工藝中，去除減反射膜后再重新制絨、擴(kuò)散、刻蝕，然后再進(jìn)行鍍膜，花費(fèi)大量時(shí)間和物料成本的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種太陽(yáng)能電池片返工方法，包括：

提供待返工硅片，所述待返工硅片表面具有失敗膜層，所述待返工硅片位于管式鍍膜爐管內(nèi)；

往所述管式鍍膜爐管內(nèi)通入氣體，生成含氟等離子體；

利用所述含氟等離子體去除所述待返工硅片表面的失敗膜層；

對(duì)去除失敗膜層的硅片重新鍍膜。

優(yōu)選地，所述往所述管式鍍膜爐管內(nèi)通入氣體，生成含氟等離子體，具體包括：

往所述管式鍍膜爐管中通入四氟化碳和氧氣；

在高射頻功率下生成含氟等離子體。

優(yōu)選地，所述高射頻功率范圍為2000w-5000w，包括端點(diǎn)值。

優(yōu)選地，所述四氟化碳的通入流量為200sccm-1000sccm，包括端點(diǎn)值。

優(yōu)選地，所述氧氣的通入流量為100sccm-500sccm，包括端點(diǎn)值。

優(yōu)選地，所述四氟化碳和氧氣的反應(yīng)時(shí)間為30s-600s，包括端點(diǎn)值。

優(yōu)選地，所述對(duì)去除失敗膜層的硅片重新鍍膜，具體包括：

往所述管式鍍膜爐管內(nèi)通入氨氣和硅烷氣體；

在所述去除失敗膜層的硅片表面沉積氮化硅膜層。

優(yōu)選地，所述在所述去除失敗膜層的硅片表面沉積氮化硅膜層，具體包括：

采用pecvd方法在所述去除失敗膜層的硅片表面沉積氮化硅膜層。

優(yōu)選地，在所述對(duì)去除失敗膜層的硅片重新鍍膜之后還包括：

對(duì)重新鍍膜的硅片進(jìn)行檢測(cè)，判斷是否為合格硅片。

優(yōu)選地，在所述對(duì)重新鍍膜的硅片進(jìn)行檢測(cè)后且判斷為合格硅片后，還包括：

絲網(wǎng)印刷；

燒結(jié)；

測(cè)試分選出合格太陽(yáng)能電池片。

經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池片返工方法，采用直接在管式鍍膜爐管中通入氣體生成含氟的等離子體，利用含氟的等離子體干法去除鍍膜失敗的待返工硅片，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中采用hf酸溶液濕法浸泡，處理待返工硅片時(shí)，需要浸泡、清洗、烘干等步驟，且在去除失敗膜層后，還需要重新經(jīng)過(guò)制絨、擴(kuò)散、刻蝕等工序后才能重新鍍膜而言，本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池片返工方法，在去除鍍膜失敗膜層后即可在管式鍍膜爐管中直接重新鍍膜，一方面，在去除失敗膜層過(guò)程中，無(wú)需浸泡、清洗、烘干等步驟，去除失敗膜層工藝簡(jiǎn)單；另一方面，在去除失敗膜層后，無(wú)需進(jìn)行重新制絨、擴(kuò)散、刻蝕等工序處理，節(jié)約了處理時(shí)間。即本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池片返工方法在去除失敗膜層過(guò)程中以及去除失敗膜層后重新鍍膜過(guò)程中，均能夠節(jié)約了大量時(shí)間，且工藝簡(jiǎn)單，步驟精簡(jiǎn)。而且去除失敗膜層后，重新鍍膜時(shí)，無(wú)需重新制絨、擴(kuò)散、刻蝕等工序，因此，能夠節(jié)省大量上述過(guò)程中的物料成本。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的太陽(yáng)能電池片返工方法流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種太陽(yáng)能電池片返工方法流程圖。

具體實(shí)施方式

正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中的太陽(yáng)能電池片返工工藝是通過(guò)hf酸溶液進(jìn)行濕法浸泡，反應(yīng)去除減反射膜后再重新制絨、擴(kuò)散、刻蝕，然后再進(jìn)行鍍膜，花費(fèi)大量時(shí)間。

具體的，由于鍍膜設(shè)備的限制和制程控制問(wèn)題，會(huì)存在一定比例的鍍膜失敗片，也為待返工硅片，主要表現(xiàn)為厚度不均勻、折射率異常和外觀不良等，待返工硅片比例約為1％～5％。

對(duì)于待返工硅片的處理，現(xiàn)有技術(shù)中一般采用的工藝步驟為：s1-去膜清洗：將待返工硅片浸泡在質(zhì)量濃度為30wt％～40wt％hf溶液中，去除硅片表面沉積的sinx膜層，用清水沖洗一次300s，用甩干機(jī)進(jìn)行甩干；s2-制絨擴(kuò)散；s3-清洗刻邊、s4-pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)、s5-絲網(wǎng)印刷和s6-燒結(jié)、s7-測(cè)試分選等工序重新制備得到電池片，具體工藝流程圖如圖1所示。由于去膜過(guò)程中，需要將待返工硅片浸泡在hf溶液中一定時(shí)間，而且去除硅片表面的膜層后，還需要清洗、甩干等步驟，造成去膜步驟較多，時(shí)間較長(zhǎng)；而且在去膜之后，需要重新制絨、擴(kuò)散、清洗刻邊后，再進(jìn)行重新鍍膜，從去膜到重新鍍膜之間包括較多步驟，導(dǎo)致返工方法工藝繁瑣，時(shí)間較長(zhǎng)。

基于此，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池片返工方法，包括：

提供待返工硅片，所述待返工硅片表面具有失敗膜層，所述待返工硅片位于管式鍍膜爐管內(nèi)；

往所述管式鍍膜爐管內(nèi)通入氣體，生成含氟等離子體；

利用所述含氟等離子體去除所述待返工硅片表面的失敗膜層；

對(duì)去除失敗膜層的硅片重新鍍膜。

本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池片返工方法，采用直接在管式鍍膜爐管中通入氣體生成含氟的等離子體，利用含氟的等離子體干法去除鍍膜失敗的待返工硅片，在去除鍍膜失敗膜層后即可在管式鍍膜爐管中直接重新鍍膜，一方面，在去除失敗膜層過(guò)程中，無(wú)需浸泡、清洗、烘干等步驟，去除失敗膜層工藝簡(jiǎn)單；另一方面，在去除失敗膜層后，無(wú)需進(jìn)行重新制絨、擴(kuò)散、刻蝕等工序處理，節(jié)約了處理時(shí)間。即本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池片返工方法在去除失敗膜層過(guò)程中以及去除失敗膜層后重新鍍膜過(guò)程中，均能夠節(jié)約了大量時(shí)間，且工藝簡(jiǎn)單，步驟精簡(jiǎn)。而且去除失敗膜層后，重新鍍膜時(shí)，無(wú)需重新制絨、擴(kuò)散、刻蝕等工序，因此，能夠節(jié)省大量上述過(guò)程中的物料成本。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種太陽(yáng)能電池片返工方法，包括：

s101：提供待返工硅片，所述待返工硅片表面具有失敗膜層，所述待返工硅片位于管式鍍膜爐管內(nèi)；

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中所述的待返工硅片為表面具有失敗膜層的硅片，也即在太陽(yáng)能電池片制作過(guò)程中，減反膜鍍膜失敗的硅片，所述待返工硅片表面的失敗膜層可以是厚度較工藝標(biāo)準(zhǔn)厚度偏厚或偏薄的減反膜。所述待返工硅片的膜層厚度的測(cè)量可以采用橢偏儀進(jìn)行測(cè)量，然后由設(shè)備報(bào)警進(jìn)行判斷得到，本實(shí)施例中不限定待返工硅片的獲取方式。

本實(shí)施例中不限定所述減反膜的具體材質(zhì)，可選的，所述減反膜為采用pecvd工藝制作在硅片表面絨面結(jié)構(gòu)上的氮化硅膜層。

另外，需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池片返工方法，去除失敗膜層的步驟可以在pecvd管式鍍膜爐管中進(jìn)行，因此，本實(shí)施例中的待返工硅片位于管式鍍膜爐管內(nèi)。

s102：往所述管式鍍膜爐管內(nèi)通入氣體，生成含氟等離子體；

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中不限定王所述管式鍍膜爐管內(nèi)通入的氣體，只要能夠生成含氟等離子體即可，本實(shí)施例中對(duì)此不做限定。

可選的，本實(shí)施例中為了降低太陽(yáng)能電池片返工的物料成本，可以采用實(shí)驗(yàn)中常用的四氟化碳(cf4)氣體和氧氣(o2)在高頻下生成含氟等離子體。在本發(fā)明其他實(shí)施例中，還可以采用其他含氟氣體生成含氟等離子體。本實(shí)施例中對(duì)此不做限定。

具體地，往所述管式鍍膜爐管中通入四氟化碳(cf4)和氧氣(o2)，其中根據(jù)失敗膜層的厚度不同，去除時(shí)通入的四氟化碳(cf4)和氧氣(o2)的量也可以不同，可選的，所述四氟化碳的通入流量為200sccm-1000sccm，包括端點(diǎn)值。所述氧氣的通入流量為100sccm-500sccm，包括端點(diǎn)值。

通入四氟化碳(cf4)和氧氣(o2)氣體后，在高射頻功率下生成含氟等離子體。其中，本實(shí)施例中所述高射頻功率范圍為2000w-5000w，包括端點(diǎn)值。所述四氟化碳和氧氣的反應(yīng)時(shí)間為30s-600s，包括端點(diǎn)值。

需要說(shuō)明的是，設(shè)置不同的氣體流量、射頻功率、反應(yīng)時(shí)間和生成等離子的量成正比，較厚失敗膜層理論上需要更多的含氟(f)等離子體來(lái)刻蝕。

需要注意的是，過(guò)量含氟(f)等離子體刻蝕時(shí)同樣也能去除失敗膜層，但是對(duì)硅片基體有一定損傷，同時(shí)也造成成本增加，因此，本實(shí)施例中氣體流量、射頻功率、反應(yīng)時(shí)間等隨待返工硅片表面的失敗膜層厚度而定，本實(shí)施例中對(duì)此不做限定。

s103：利用所述含氟等離子體去除所述待返工硅片表面的失敗膜層；

與現(xiàn)有技術(shù)去除膜層的原理相同，本實(shí)施例中采用含氟等離子體去除待返工硅片表面的失敗膜層。

s104：對(duì)去除失敗膜層的硅片重新鍍膜。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中提供的待返工硅片本身位于管式鍍膜爐管中，而且由于采用干法刻蝕去除失敗膜層，無(wú)需對(duì)硅片表面進(jìn)行清洗、甩干等步驟，因此，去除失敗膜層的過(guò)程也在管式鍍膜爐管中進(jìn)行，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的濕法刻蝕去除失敗膜層的方法，還能夠節(jié)省轉(zhuǎn)移硅片的過(guò)程，同樣能夠節(jié)省返工時(shí)間。

由于去除失敗膜層后的硅片位于管式鍍膜爐管中，當(dāng)重新通入鍍膜氣體后，能夠直接對(duì)去除失敗膜層后的硅片直接進(jìn)行鍍膜，同樣節(jié)省了返工時(shí)間。

具體地，在含氟等離子體去除待返工硅片表面的失敗膜層后，以減反膜的材質(zhì)為氮化硅為例進(jìn)行說(shuō)明，去除待返工硅片表面的失敗膜層時(shí)，會(huì)形成四氟化硅氣體，通過(guò)抽氣系統(tǒng)將生成的四氟化硅氣體和殘余的四氟化碳，以及氧氣從管式鍍膜爐管中抽出，然后再通入鍍膜氣體，重新形成減反射膜層。詳細(xì)的，可以往所述管式鍍膜爐管內(nèi)通入氨氣和硅烷氣體，并采用pecvd方法在所述去除失敗膜層的硅片表面沉積氮化硅膜層，形成新的減反膜。

需要說(shuō)明的是，在重新鍍膜后，還需要繼續(xù)后續(xù)太陽(yáng)能電池片的制作工藝，包括絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)、測(cè)試分選出合格太陽(yáng)能電池片等步驟。為了保證能夠得到合格的太陽(yáng)能電池片，本實(shí)施例中在重新鍍膜后，還可以包括：對(duì)重新鍍膜的硅片進(jìn)行檢測(cè)，判斷是否為合格硅片的步驟，若判斷為合格硅片，則繼續(xù)后續(xù)步驟，若判斷為不合格硅片，可以進(jìn)行再次返工。

本發(fā)明實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池片返工方法，使用干法含氟的等離子體去除鍍膜失敗的硅片表面的失敗膜層，能夠直接在管式鍍膜爐管內(nèi)進(jìn)行，而無(wú)需其它工序處理。重新鍍膜時(shí)，也可以直接重新鍍膜，不需要重新經(jīng)過(guò)制絨、擴(kuò)散、刻蝕工序，然后重新鍍膜，因此，能夠節(jié)省大量返工時(shí)間和物料成本。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中采用步驟繁瑣的濕法工藝，本發(fā)明實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池片返工方法工藝簡(jiǎn)單，步驟精簡(jiǎn)，成本較低。

需要說(shuō)明的是，本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可。

對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。