技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種功率半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括：陰極金屬電極、第一導(dǎo)電類型重摻雜半導(dǎo)體襯底、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體輕摻雜漂移區(qū)、場氧化層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體主結(jié)區(qū)、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重摻雜截止環(huán)；第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體輕摻雜漂移區(qū)內(nèi)部上表面具有溝槽，溝槽中設(shè)有填充介質(zhì)，溝槽下方設(shè)有第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體輕摻雜RESURF層；本發(fā)明第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體輕摻雜RESURF層與其上方和下方的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體輕摻雜區(qū)相互耗盡，改變了平行于半導(dǎo)體表面方向上的電場分布，使電場呈現(xiàn)為近似矩形的分布，在同等電壓條件下減小終端面積，提高芯片面積效率；并且可在挖溝槽后再通過離子注入形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體輕摻雜RESURF層，降低了工藝難度。

技術(shù)研發(fā)人員：任敏;羅蕾;李佳駒;蘇志恒;李澤宏;張波
受保護的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.26
技術(shù)公布日：2017.10.20