技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種自支撐氮化鎵層及其制備方法、退火方法，其中，自支撐氮化鎵層的制備方法至少包括如下步驟：提供一襯底；于所述襯底上形成第一氮化鎵緩沖層；于所述第一氮化鎵緩沖層上形成圖形化掩膜層，然后在氨氣氛圍下進(jìn)行退火，其中，所述圖形化掩膜層具有若干個(gè)開口；于所述圖形化掩膜層上及所述開口內(nèi)形成第二氮化鎵緩沖層；于所述第二氮化鎵緩沖層上形成氮化鎵層，然后進(jìn)行高溫退火；進(jìn)行降溫，使所述氮化鎵層從所述襯底上自動剝離，以得到所述自支撐氮化鎵層。本發(fā)明對制備工藝要求較低，并能夠?qū)崿F(xiàn)氮化鎵層的快速自剝離，且自剝離過程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力不會對氮化鎵層造成影響，能夠獲得高成品率的自支撐氮化鎵層。

技術(shù)研發(fā)人員：特洛伊·喬納森·貝克;王穎慧;羅曉菊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.26
技術(shù)公布日：2017.10.20