技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種抗輻射Sence?Switch型pFLASH開關(guān)單元結(jié)構(gòu)及其制備方法，其通過浮柵電荷共享的方式實(shí)現(xiàn)編程/擦除管對信號傳輸管的開關(guān)態(tài)，實(shí)現(xiàn)電荷共享方式為BTBT編程和FN擦除方式；所述抗輻射FLASH開關(guān)單元是制作在硅基的深N阱中，并通過STI實(shí)現(xiàn)信號傳輸管與編程/擦除管的有源區(qū)有效隔離；所述信號傳輸管柵氧層與編程/擦除管隧道氧化層是同膜層、是采用摻N氧化工藝實(shí)現(xiàn)；其余均采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)工藝制作完成。本發(fā)明抗輻射Sence?Switch型pFLASH開關(guān)單元工藝簡單，兼容于CMOS工藝，不僅具有良好的電荷保持特性、耐久性、閾值窗口寬，而且具有抗總劑量能力強(qiáng)、編程效率高等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)，本發(fā)明抗輻射Sence?Switch型pFLASH開關(guān)單元體硅CMOS工藝集成方法也適用于SOI?CMOS工藝。

技術(shù)研發(fā)人員：劉國柱;洪根深;趙文斌;曹利超;朱少立
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.22
技術(shù)公布日：2017.09.19