技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于二維材料/半導體異質(zhì)結(jié)的隧穿場效應晶體管及其制備方法。通過能帶設計使得關態(tài)時該器件形成交錯式能帶結(jié)構(gòu)，即二維材料和半導體材料之間不存在隧穿窗口，能夠獲得極低的關態(tài)電流。施加柵壓能夠調(diào)控二維材料/半導體異質(zhì)結(jié)處的能帶對準方式，使得器件在開態(tài)時形成錯層式能帶結(jié)構(gòu)，有效隧穿勢壘高度為負值；同時，載流子從源區(qū)隧穿到溝道區(qū)，能夠?qū)崿F(xiàn)直接隧穿，可獲得大的開態(tài)電流。該器件采用高摻雜的三維半導體材料作為源區(qū)材料，其與金屬源電極等勢，同時由于二維材料的厚度超薄，柵壓可調(diào)控二維材料以及二維材料/半導體異質(zhì)結(jié)界面處的能帶，可獲得理想的柵控能力。本發(fā)明工藝簡單，與傳統(tǒng)的半導體工藝兼容性大。

技術(shù)研發(fā)人員：黃如;賈潤東;黃芊芊;趙陽;王慧敏;陳誠
受保護的技術(shù)使用者：北京大學
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.15
技術(shù)公布日：2017.08.29