技術編號：11434557
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于納電子學技術領域，具體涉及一種基于二維材料/半導體異質結的隧穿場效應晶體管及其制備方法。背景技術隨著傳統(tǒng)MOSFET特征尺寸的減小，集成度的提高，器件的工作電壓和閾值電壓逐漸降低。隨之而來的短溝道效應更加明顯，漏致勢壘降低和源-漏帶帶隧穿會引起器件的泄漏電流和功耗增大。另外，由于MOSFET熱發(fā)射的電流機制，其亞閾值斜率受熱電勢的限制，存在理論極限60mV/dec，且無法隨著器件尺寸的減小而降低，因此導致器件的泄漏電流進一步增大，功耗問題加劇。目前，功耗問題已經是小尺寸邏輯器件設計重點...
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