技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種碳化硅VDMOS器件及其制作方法，屬于功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過在碳化硅VDMOS器件的JFET區(qū)表面直接沉積多晶硅層形成Si/SiC異質(zhì)結(jié)，進(jìn)而在器件內(nèi)部集成了一個(gè)二極管，優(yōu)化了器件在逆變電路、斬波電路等領(lǐng)域中的應(yīng)用。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)中直接采用VDMOS寄生碳化硅二極管相比更易實(shí)現(xiàn)正向?qū)?，且具有較低的功率損耗、較快的工作速度以及較高的工作效率；本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)中采用在器件外部反并聯(lián)一個(gè)FRD相比，降低了器件使用數(shù)目，減少了器件之間的連線，有利于器件微型化發(fā)展；此外，本發(fā)明降低了柵寬，減少了柵電容，進(jìn)一步提升了器件工作速度。因此，本發(fā)明提出的VDMOS器件在逆變電路、斬波電路等電路領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

技術(shù)研發(fā)人員：張金平;鄒華;劉競秀;李澤宏;任敏;張波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.09
技術(shù)公布日：2017.10.13