本發(fā)明涉及半導體封裝技術領域,特別是涉及一種改善邊緣形貌的成型方法。
背景技術:
由于智能手機等終端設備向輕薄短小化的發(fā)展越來越快,專門針對于小型化、薄膜化以及低成本化的晶圓級封裝技術的重要性不斷提高。扇出型晶圓級封裝(fowlp:fan-outwlp)技術目前最適合高要求的移動/無線市場,并且對其它關注高性能和小尺寸的市場,也具有很強的吸引力。
成型工藝是扇出型晶圓級封裝的關鍵步驟。然而在傳統(tǒng)的成型工藝中,成型晶圓的邊緣形貌與標準的si晶圓不同。特別是由樹脂等材料制作的成型晶圓,其出現(xiàn)顆?;蛄鸭y等問題引發(fā)了業(yè)界的關注。在傳統(tǒng)的成型工藝中成型晶圓的邊緣比較尖銳,特別是在邊緣與粘結膜(adhesivefilm)接觸的部位,由于塑封好的晶圓片會繼續(xù)進行其它的工藝過程,邊緣過于尖銳,會在運輸、傳送、工藝制程過程中更易與機械設備發(fā)生接觸、碰撞而產(chǎn)生顆粒污染物或者造成晶圓本身的破損、裂紋等問題。依據(jù)裸芯的放置方向,成型工藝分為兩種成型類型,面朝上(faceup)成型和面朝下(facedown)成型。然而不論是面朝上成型還是面朝下成型,與粘結膜接觸的一側都會有鋒利的邊緣。這兩種成型類型都不能避免在成型晶圓上出現(xiàn)尖銳的邊緣,而這導致了后續(xù)制程中裂紋和顆粒污染物的出現(xiàn)。
因此,如何改善成型晶圓的邊緣形貌,以避免在后續(xù)制程中出現(xiàn)顆粒污染物或裂紋,已成為本領域技術人員亟待解決的一個重要問題。
技術實現(xiàn)要素:
鑒于以上所述現(xiàn)有技術,本發(fā)明的目的在于提供一種改善邊緣形貌的成型方法,用于解決現(xiàn)有技術中成型晶圓的邊緣尖銳導致裂紋和顆粒污染物的問題。
為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的,本發(fā)明提供一種改善邊緣形貌的成型方法,包括以下步驟:
提供一載體,所述載體設有一收容槽,所述收容槽包括底面以及由所述底面邊緣向上延伸的側壁;
在所述載體表面形成粘結層,將裸芯通過所述粘結層固定在所述收容槽的底面上;
在所述收容槽內(nèi)填充成型復合物,使所述裸芯被成型復合物包裹;
將所述載體放置于成型模具內(nèi),使所述載體與成型模具配合合模成型,在所述收容槽內(nèi)形成包裹所述裸芯的成型晶圓;
脫模,并將所述成型晶圓與載體分離。
可選地,所述載體的材料選自硅、氧化硅、金屬、玻璃或陶瓷中的一種或多種。
可選地,所述粘結層為聚合物或膠帶,采用旋涂或粘貼膠帶的方法形成。
可選地,所述成型模具包括凹槽,所述凹槽與所述載體上的收容槽的開口輪廓相吻合,合模時,所述成型復合物填滿所述凹槽與所述收容槽吻合后形成的空間,以形成成型晶圓。
可選地,所述成型復合物為固化封裝材料,所述固化封裝材料包括聚合物基材料、樹脂基材料、聚酰亞胺或環(huán)氧樹脂。
可選地,形成所述成型復合物的方法為采用真空層壓或旋涂的壓縮成型、印刷、傳遞模塑或液封成型。
可選地,在所述成型模具表面形成有釋放層。
為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的,本發(fā)明還提供一種用于上述成型方法的載體,其中:
所述載體上設有一收容槽,所述收容槽包括底面以及由所述底面邊緣向上延伸的側壁。
可選地,所述收容槽的底面為圓形。
可選地,所述載體的材料選自硅、氧化硅、金屬、玻璃或陶瓷中的一種或多種。
如上所述,本發(fā)明的改善邊緣形貌的成型方法,具有以下有益效果:
本發(fā)明的成型方法,利用特殊的載體結構,使成型晶圓與粘結層接觸的邊緣不再過于尖銳,從而可避免在后續(xù)制程中出現(xiàn)顆粒污染物或裂紋等問題,有利于提高封裝產(chǎn)品的良率。
附圖說明
圖1顯示為本發(fā)明提供的改善邊緣形貌的成型方法的示意圖。
圖2a顯示為本發(fā)明提供的載體的俯視示意圖。
圖2b顯示為本發(fā)明提供的載體的剖面示意圖。
圖3a-3g顯示為本發(fā)明實施例提供的改善邊緣形貌的成型工藝流程示意圖。
元件標號說明
100載體
101收容槽
200粘結層
300裸芯
400成型復合物
500成型模具
600釋放層
s1~s5步驟
具體實施方式
以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應用,本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應用,在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。需說明的是,在不沖突的情況下,以下實施例及實施例中的特征可以相互組合。
需要說明的是,以下實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構想,遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制,其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變,且其組件布局型態(tài)也可能更為復雜。
請參閱圖1,本發(fā)明提供一種改善邊緣形貌的成型方法,包括以下步驟:
s1提供一載體,所述載體設有一收容槽,所述收容槽包括底面以及由所述底面邊緣向上延伸的側壁;
s2在所述載體表面形成粘結層,將裸芯通過所述粘結層固定在所述收容槽的底面上;
s3在所述收容槽內(nèi)填充成型復合物,使所述裸芯被成型復合物包裹;
s4將所述載體放置于成型模具內(nèi),使所述載體與成型模具配合合模成型,在所述收容槽內(nèi)形成包裹所述裸芯的成型晶圓;
s5脫模,并將所述成型晶圓與載體分離。
進行成型加工時,常規(guī)用于黏附裸芯的載體為平板型,然而在平板載體與成型模具合模成型后,平板載體與成型模具結合的部位易形成尖銳的邊緣。本發(fā)明的成型方法利用特殊的載體結構,使成型晶圓與粘結層接觸的邊緣不再過于尖銳。
請參閱圖2a和圖2b,上述成型方法的載體上設有一收容槽101,所述收容槽101包括底面以及由所述底面邊緣向上延伸的側壁。
具體地,如圖2a所示,所述收容槽101的底面可以為圓形,用以配合成型模具形成成型晶圓。所述載體的材料選自硅、氧化硅、金屬、玻璃或陶瓷中的一種或多種,或其他類似物。
其中,所述收容槽的深度d1需要大于傳統(tǒng)工藝出現(xiàn)的尖銳邊緣在垂直方向的高度。不同成型工藝的、工藝參數(shù)的尖銳高度會略有不同,但都是微米級別的,收容槽深度大于不同條件下的最大值即可。但一般晶圓片的塑封高度也是<=1mm,所以收容槽的深度也應該是微米級別的。例如可以選擇實際塑封厚度的一半等。
下面通過具體的實例來詳細說明本發(fā)明的技術方案。
請參閱圖3a-3g,本實施例提供一種采用特制載體改善邊緣形貌的成型工藝。
首先,如圖3a所示,提供一特制的載體100,所述載體100設有一收容槽101,所述收容槽101包括底面以及由所述底面邊緣向上延伸的側壁。本實施例中所述載體100為具有一圓形收容槽101的硅基板,收容槽深度為成型晶圓實際塑封厚度的一半。
然后,如圖3b所示,在所述載體100表面形成粘結層200,再如圖3c所示,將裸芯300通過所述粘結層200固定在所述收容槽101的底面上。
其中,所述粘結層200可以為聚合物、膠帶或其他類似物,本實施例中,可以采用裸芯粘結膜(dieattachfilm)、非導電膜(non-conductivefilm)等。形成所述粘結層200的方法為旋涂、粘貼膠帶或其他適合的方法。固定裸芯300時,可以采用常規(guī)的裸芯粘貼工具(dieattach/bondingtool)。
需要說明的是,在收容槽101底部固定的裸芯300數(shù)量可以是一個或多個,裸芯類型、裸芯排布方式等可以根據(jù)成型晶圓的實際需要來設計,本發(fā)明對此不做限制。
接下來,如圖3d所示,在所述收容槽101內(nèi)填充成型復合物400,使所述裸芯300被成型復合物400包裹。具體地,所述成型復合物400可以是固化封裝材料,例如可以是聚合物基材料、樹脂基材料、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂或其他類似物。形成所述成型復合物400的方法可以為采用真空層壓或旋涂的壓縮成型、印刷、傳遞模塑或液封成型。
然后,如圖3e所示,將所述載體100放置于成型模具500內(nèi),使所述載體100與成型模具500配合合模成型,在所述收容槽101內(nèi)形成包裹所述裸芯300的成型晶圓。
其中,所述成型模具500包括凹槽,所述凹槽與所述載體100上的收容槽的開口輪廓相吻合,合模時,所述成型復合物400填滿所述凹槽與所述收容槽吻合后形成的空間,以形成成型晶圓。
需要說明的是,附圖中僅示出了面朝上(faceup)的成型方式,然而在實際應用中,本發(fā)明的成型方法也適用于面朝下(facedown)的成型方式。具體地,所述成型模具500可以采用傳統(tǒng)的面朝上(faceup)成型模具,也可以采用面朝下(facedown)成型模具。成型模具500上的凹槽為與收容槽配合的圓形槽,凹槽深度與收容槽深度之和滿足所要制作的成型晶圓的設計需要。
合模封裝成型后,如圖3f所示脫模,最后如圖3g所示將得到的成型晶圓與載體100分離。
為了便于脫模,在所述成型模具500表面可以先形成釋放層600再合模成型。封裝成型后,可以通過剝離(de-bond)工藝將成型后的晶圓片與載體100和粘結層200分離,根據(jù)載體及工藝選擇的不同,剝離的方式有熱剝離(加熱之后粘附層失去粘性)、激光剝離(激光照射后粘附層失去粘性)等方法。
最后得到的成型晶圓如圖3g所示,邊緣平滑圓潤,特別是與粘結層接觸的邊緣不再過于尖銳。
綜上所述,本發(fā)明的成型方法,利用特殊的載體結構,改善了成型晶圓的邊緣形貌,從而可避免在后續(xù)制程中出現(xiàn)顆粒污染物或裂紋等問題,有利于提高封裝產(chǎn)品的良率。
所以,本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效,而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下,對上述實施例進行修飾或改變。因此,舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變,仍應由本發(fā)明的權利要求所涵蓋。