技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種InAs/AlSb?HEMT及MOS?HEMT器件的制備方法，主要用來降低器件的導(dǎo)通電阻及柵極漏電的問題。本發(fā)明提供的InAs/AlSb?HEMT器件的制備方法，包括以下工藝步驟：1)外延材料生長；2)臺面隔離；3)制備歐姆接觸；4)制備肖特基柵接觸；5)Pad淀積；6)鈍化。本發(fā)明提供的InAs/AlSb?MOS?HEMT器件的制備方法，包括以下工藝步驟：1)外延材料生長；2)臺面隔離；3)制備歐姆接觸；4)制備絕緣柵極；5)Pad淀積；6)鈍化。本發(fā)明省去了柵槽刻蝕步驟，降低了柵極電流泄露，同時降低了器件的導(dǎo)通電阻。

技術(shù)研發(fā)人員：呂紅亮;張靜;楊施政;張義門;張玉明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.22
技術(shù)公布日：2017.09.22