本發(fā)明涉及顯示面板領域,特別是涉及一種掩膜板及顯示面板蒸鍍用對位檢測系統。
背景技術:
有機發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode,oled)具有自發(fā)光、輕薄、易于實現柔性顯示等特點,是一種具有良好發(fā)展前景的新一代顯示技術。
目前在oled面板制程中,oled材料的蒸鍍一般采用物理氣相沉積法,即將有機材料放置在真空腔體內的坩堝中加熱,使有機材料升華或者氣化,在玻璃基板上成膜;為了使有機材料圖案化,在蒸鍍的時候,需要使用掩膜板。而掩膜板和玻璃基板之間預先需要進行精確對位。
本發(fā)明的發(fā)明人在長期研究過程中發(fā)現,在現有的通過光耦合元件(charge-coupledevice,ccd)確定玻璃基板和掩膜板位置的方法中存在以下缺點,掩膜板在長期使用過程中不可避免會出現磨損等情況,其會導致在ccd視場中無法準確判斷出掩膜板的位置,進而使得掩膜板和玻璃基板出現對位故障,從而影響制程進度。
技術實現要素:
本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種掩膜板及顯示面板蒸鍍用對位檢測系統,能夠判斷出掩膜板的位置。
為解決上述技術問題,本發(fā)明采用的一個技術方案是:提供一種掩膜板,所述掩膜板包括基板;對位標記,設置于基板一側,所述對位標記對光線的反射率大于所述基板對所述光線的反射率;反射率與反射強度成正比,通過所述基板和所述對位標記對所述光線的反射強度差異來識別所述對位標記,進而確定所述掩膜板的位置。
為解決上述技術問題,本發(fā)明采用的另一個技術方案是:提供一種顯示面板蒸鍍用對位檢測系統,所述檢測系統利用上述實施例中所述的掩膜板。
本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現有技術的情況,本發(fā)明所提供的掩膜板包括基板和設置在基板一側的對位標記,對位標記對光線的反射率大于基板對光線的反射率,由于反射率和反射強度具有正比關系,通過基板和對位標記在同一視場中對光線的反射強度差異可以識別出對位標記,進而可以確定出掩膜板的位置;
另一方面,在顯示面板制程過程中,玻璃基板上的對準標記對光線的反射率大于掩膜板的基板對光線的反射率,通過圖像采集裝置同時捕捉掩膜板和玻璃基板對光線的反射圖像,通過對位標記和對準標記的相對位置是否在閾值范圍內,來判定掩膜板和玻璃基板是否對位準確,保證掩膜板與玻璃基板的對位精準度,從而提高顯示面板制程的進度。
附圖說明
圖1是本發(fā)明掩膜板一實施方式的結構示意圖;
圖2是本發(fā)明顯示面板蒸鍍用對位檢測系統一實施方式的結構示意圖;
圖3是圖2中圖像采集裝置捕捉到的反射圖像示意圖。
具體實施方式
請參閱圖1,圖1為本發(fā)明掩膜板一實施方式的結構示意圖,該掩膜板10包括:
基板100,其材質一般為金屬,例如不銹鋼;其厚度可根據實際情況進行設計,可設計成0.03mm-1mm,例如0.03mm、0.08mm、0.1mm、0.5mm、1mm等;基板100對光線的反射率為20%-40%,如20%、30%、40%等;
對位標記102,設置于基板100一側,一般而言,基板100的中間部分具有掩膜圖形(圖未示),為不影響掩膜板10在制程中的正常使用,對位標記102一般設置在基板100的非掩膜圖形區(qū)域,如基板100的四周邊緣附近;在一個應用場景中,掩膜板10在出廠時在非掩膜圖形區(qū)域會設置對位孔104,其個數至少為一,本實施例中的對位標記102可以位于任一對位孔104的外圍,如圖1所示,對位標記102為設置在對位孔104外圍的圓環(huán),圓環(huán)的寬度為50μm-200μm,例如50μm、100μm、150μm、200μm;當然在其他實施例中,對位標記102也可設置在基板100非掩膜區(qū)域的其他位置,其形狀也可為其他,如方形、橢圓、星型等。上述任一實施例中的對位標記102對光線的反射率大于基板100對光線的反射率,在一個應用場景中,對位標記102對光線的反射率為75%-90%,例如75%、80%、85%、90%等;上述對位標記102一般為通過真空蒸鍍或者磁控濺射方式制備的100nm-1000nm金屬膜,厚度可以是100nm、400nm、600nm、800nm、1000nm等,金屬膜的材質可以是銀膜或者鋁膜等。
從上述實施例的描述可知,對位標記102對光線的反射率大于基板100對光線的反射率,反射率與反射強度成正比,即對于同一強度的入射光線,分別經基板100和對位標記102反射后,基板100的反射光線的強度小于對位標記102的反射光線的強度,通過反射光線的反射強度差異即可來識別對位標記102并確定對位標記102的位置,由于對位標記102與掩膜板10具有相對位置關系,從而可以確定掩膜板10的位置;具體地,可借助外部裝置捕獲基板100和對位標記102的反射光線所呈現的圖像,反射強度越大的區(qū)域在所捕獲的圖像中越明亮,通過基板100和對位標記102的反射圖像的明亮差異可以快速、準確的確認對位標記102的位置,從而可以確定掩膜板10的位置。
請參閱圖2,圖2為本發(fā)明顯示面板蒸鍍用對位檢測系統一實施方式的結構示意圖,顯示面板在利用掩膜板進行蒸鍍有機材料之前,均需對掩膜板和顯示面板的玻璃基板的位置進行檢測,以保證掩膜板和玻璃基板精確對位。
該顯示面板蒸鍍用對位檢測系統2包括:
掩膜板20,該掩膜板20包括基板200及在基板200一側設置的對位標記202,在本實施例中,對位標記202設置在掩膜板20的對位孔204外圍,在其他實施例中也可在其他位置,另外關于掩膜板20的其他信息與上述實施例中相同,在此不再贅述;
玻璃基板22,該玻璃基板22是顯示面板的襯底基板,在其他實施例中,該襯底基板也可以是塑料、藍寶石等其他材質,玻璃基板22對光線的反射可基本忽略,即光線可直接透過玻璃基板22;在本實施例中,玻璃基板22包括對準標記220,對準標記220設置在玻璃基板22背向掩膜板20的對位標記202一側,對準標記220在玻璃基板22上的位置可以在任意玻璃基板22的非顯示區(qū)域設置,一般在玻璃基板22的四周邊緣附近,其形狀也可以根據實際情況進行修改,如圓形、方形、星型、十字形等;另外,對準標記220對光線的反射率大于掩膜板20的基板200對光線的反射率,在一個應用場景中,上述對準標記220的反射率為75%-90%,如75%、85%、90%等,其材質可以為鋁或者銀等具有高反射率的薄膜;
光源24,位于對位標記202一側,用于產生光線,在一個實施例中,光源24為ccd系統光源;光線的入射方向朝向對位標記202;在一個應用場景中,為使對位檢測結果更為準確,光源24的入射光m1的入射方向與玻璃基板22和掩膜板20耦接的一面垂直,即與對位標記202垂直;
圖像采集裝置26,用于捕獲掩膜板20和玻璃基板22的反射圖像;
下面將詳細介紹該圖像采集裝置26的工作過程。
首先判斷對位標記202與對準標記220的位置;具體地,在一個應用場景中,上述圖像采集裝置26為ccd相機,用于接收反射光并進行成像,其成像原理為反射光的強度越大,其在ccd相機成像圖案中亮度越大;假設在本實施例中玻璃基板22對入射光線m1的反射可基本忽略不計,掩膜板20的對位孔204為通孔,即入射光線m1可直接通過該對位孔204,該檢測系統中的反射光主要有基板200的反射光r1、對位標記202的反射光r2以及對準標記220的反射光r3;由于對位標記202和對準標記220的反射率大于基板200的反射率,對于同一強度的入射光m1,其反射光的強度r2>r1,r3>r1,因此通過ccd相機接收上述檢測系統的反射光后,所呈現的圖像如圖3所示,基板200的反射光線r1在ccd相機中成像區(qū)域200'的亮度低于對位標記202的反射光線r2成像區(qū)域202'的亮度,通過基板200和對位標記202的反射強度差異即區(qū)域亮度差異來識別并確認對位標記202的位置;基板200的反射光線r1在ccd相機中成像區(qū)域200'的亮度低于對準標記220的反射光線r3成像區(qū)域220'的亮度,通過基板200與對準標記220的反射強度差異即區(qū)域亮度差異來識別并確認對準標記220;另外,由于本實施例中對位標記202設置在對位孔204的外圍,而對位孔204又是個通孔,對位孔204在ccd相機中的成像為一黑色區(qū)域204',進而可以進一步快速、準確的判斷出對位標記202的位置;
其次,判斷對位標記202與對準標記220的相對位置是否在預定范圍內;具體地,可分別在對位標記202或對準標記220上取特征點,通過特征點計算出對位標記202和對準標記220的中心點位置,判斷兩者的中心點位置是否在閾值范圍內,在一個應用場景中,假設精確對準時對位標記202和對準標記220中心點位置的距離為x,閾值范圍可以是(1±0.2)x,若對位標記202和對準標記220的中心點位置在閾值范圍內,則判斷掩膜板20和玻璃基板22對位準確;否則,判斷對位不準確,且需移動玻璃基板22或掩膜板20的位置,并再次檢測判斷掩膜板20與玻璃基板22是否對位準確。
總而言之,區(qū)別于現有技術的情況,本發(fā)明所提供的掩膜板包括基板和設置在基板一側的對位標記,對位標記對光線的反射率大于基板對光線的反射率,由于反射率和反射強度具有正比關系,通過基板和對位標記在同一視場中對光線的反射強度差異可以識別出對位標記,進而可以確定出掩膜板的位置;
另一方面,在顯示面板制程過程中,玻璃基板上的對準標記對光線的反射率大于掩膜板的基板對光線的反射率,通過圖像采集裝置同時捕捉掩膜板和玻璃基板對光線的反射圖像,通過對位標記和對準標記的相對位置是否在閾值范圍內,來判定掩膜板和玻璃基板是否對位準確,保證掩膜板與玻璃基板的對位精準度,從而提高顯示面板制程的進度。
以上所述僅為本發(fā)明的實施方式,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關的技術領域,均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。