技術特征：

技術總結
本發(fā)明提供一種半導體器件的制造方法，從工藝整合的角度考量，優(yōu)化工藝順序和流程，在待研磨層表面上淀積緩沖層之后，先至少在第二區(qū)和第一區(qū)交界區(qū)域形成用于保護的緩沖層，然后對所述第一區(qū)的待研磨層進行減薄，交界區(qū)域的待研磨層由于緩沖層的阻擋而得以完全保留，之后進行化學機械研磨后，可以使得第一區(qū)和第二區(qū)的待研磨層的表面高度一致，避免在第一區(qū)和第二區(qū)交界區(qū)域形成臺階差，從而改善了化學機械研磨后第一區(qū)和第二區(qū)的待研磨層的均勻性，提高了器件的良率。

技術研發(fā)人員：張超然;羅清威;周俊;王建國;程詩陽
受保護的技術使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
技術研發(fā)日：2017.05.18
技術公布日：2017.07.25