本發(fā)明涉及一種led封裝技術領域，尤其涉及一種小間距l(xiāng)ed器件及其封裝方法和由其制造的顯示屏。

背景技術：

led作為新一代光源，具有節(jié)能、環(huán)保、安全、壽命長、低功耗、低熱、高亮度、防水、微型、防震、易調光、光束集中、維護簡便等特點，可以廣泛應用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明等領域。

現(xiàn)有的小間距l(xiāng)ed顯示器件封裝主要采用倒裝芯片、垂直結構芯片、水平芯片水平布置，主要面臨以下問題：

首先，芯片水平布置，需要提供較大的芯片安裝面積才能容納紅、綠、藍三顆芯片，封裝尺寸縮小十分困難。

其次，現(xiàn)有的小間距封裝需要把紅、綠、藍三基色芯片做的特別小，芯片太小不僅為芯片加工帶來了極大的挑戰(zhàn)，同時，芯片太小在封裝的時候會導致固晶、焊線良率大大下降，并存在較大的可靠性隱患，芯片容易出現(xiàn)漏電、擊穿現(xiàn)象。

再次，芯片水平布置，即便封裝基板能夠提供足夠的芯片安裝面積，封裝基板表面絕大多數(shù)的面積均被芯片覆蓋，器件發(fā)光區(qū)域占比大，這會大大降低封裝器件制成小間距顯示屏后的對比度。

最后，在小間距顯示器件封裝中，芯片的排列形式主要有（類）品字形、（類）一字形，由于目前三基色芯片中的紅光芯片主要采用非透明襯底制造，紅光芯片會遮擋其他顏色芯片的出射光線，且視角越大，紅色芯片遮擋其它顏色芯片出射光線的現(xiàn)象越劇烈，故器件在大視角方向容易出現(xiàn)紅移或圖形色彩失真現(xiàn)象。因此，有必要提出一種小間距l(xiāng)ed器件及其封裝方法和由其制造的顯示屏，解決以上缺陷。

本發(fā)明提出一種小間距l(xiāng)ed器件及其封裝方法和由其制造的顯示屏，可以縮小led器件尺寸，發(fā)光區(qū)域面積占比小，并能緩解其應用于顯示屏中大視角方向出現(xiàn)紅移或色彩失真的現(xiàn)象。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種小間距l(xiāng)ed器件及其封裝方法和由其制造的顯示屏，可以縮小led器件尺寸，發(fā)光區(qū)域面積占比小，并能緩解其應用于顯示屏中大視角方向出現(xiàn)紅移或色彩失真的現(xiàn)象。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明提出一種小間距l(xiāng)ed器件，包括基板、至少一個位于所述基板上的垂直結構芯片、至少一個位于所述基板上的倒裝結構芯片、至少一個位于所述倒裝結構芯片上的水平結構芯片、導線以及封裝膠體；

所述倒裝結構芯片的最大長度大于或等于所述水平結構芯片的最大長度，所述倒裝結構芯片的最大寬度大于或等于所述水平結構芯片的最大寬度；

倒裝結構芯片包括第一透明襯底、設置于所述第一透明襯底下的第一發(fā)光層、高反射層和焊接層，所述高反射層位于所述第一發(fā)光層和所述焊接層之間；

所述水平結構芯片包括第二透明襯底、設置于所述第二透明襯底上的第二發(fā)光層以及電極層，所述電極層位于所述第二發(fā)光層的上表面。

優(yōu)選地，所述基板包括四個焊區(qū)，分別為第一焊區(qū)、第二焊區(qū)、第三焊區(qū)以及第四焊區(qū)；

所述第一焊區(qū)為公共區(qū)；

所述垂直結構芯片位于所述第二焊區(qū)上，另一端通過導線與所述第一焊區(qū)電連接；

所述倒裝結構芯片位于所述第一焊區(qū)和所述第三焊區(qū)上；

所述水平結構芯片位于所述倒裝結構芯片上，其一端通過導線與所述第一焊區(qū)電連接，另一端通過導線與所述第四焊區(qū)電連接。

優(yōu)選地，所述第一焊區(qū)、第二焊區(qū)、第三焊區(qū)以及第四焊區(qū)之間的最小間距大于或等于60μm。

優(yōu)選地，所述第一焊區(qū)、第二焊區(qū)、第三焊區(qū)以及第四焊區(qū)之間的最小間距為80-150μm。

優(yōu)選地，所述第一焊區(qū)的面積與所述第一焊區(qū)、第二焊區(qū)、第三焊區(qū)及第四焊區(qū)的面積總和的比例大于0.3。

優(yōu)選地，所述水平結構芯片通過透明環(huán)氧或透明有機硅固定于所述倒裝結構芯片上。

優(yōu)選地，所述高反射層為布拉格反射層、銀層或鋁層。

優(yōu)選地，所述焊區(qū)為設置于所述基板正面的金屬層，所述基板的背面設置有與所述基板正面金屬層位置相匹配的金屬層；

位于所述基板正面的金屬層與位于所述基板背面的金屬層通過內部過孔或邊緣過孔電連接。

一種封裝所述的小間距l(xiāng)ed器件的方法，包括以下步驟：

s1將基板準備好，其中，所述基板包括至少四個焊區(qū)；

s2將至少一個垂直結構芯片固定于其中一個焊區(qū)上，將至少一個倒裝結構芯片固定于兩個焊區(qū)上，將至少一個水平結構芯片固定于所述倒裝結構芯片上；

其中，倒裝結構芯片包括第一透明襯底、設置于所述第一透明襯底下的第一發(fā)光層、高反射層和焊接層，所述高反射層位于所述第一發(fā)光層和所述焊接層之間；

所述水平結構芯片包括第二透明襯底、設置于所述第二透明襯底上的第二發(fā)光層以及電極層，所述電極層位于所述第二發(fā)光層的上表面；

所述倒裝結構芯片的最大長度大于或等于所述水平結構芯片的最大長度，所述倒裝結構芯片的最大寬度大于或等于所述水平結構芯片的最大寬度；

s3采用導線連接垂直結構芯片的上表面電極和其中一個焊區(qū)，采用導線將水平結構芯片的電極分別與兩個焊區(qū)電連接；

s4采用封裝膠體進行封裝，所述封裝膠體覆蓋所有垂直結構芯片、倒裝結構芯片、水平結構芯片以及導線，得到至少一個小間距l(xiāng)ed器件。

一種封裝所述的小間距l(xiāng)ed器件的方法，包括以下步驟：

s1將基板準備好；其中，所述基板包括至少兩個安裝區(qū)，一個所述安裝區(qū)包括至少四個焊區(qū)；

s2一個安裝區(qū)內，將至少一個垂直結構芯片固定于其中一個焊區(qū)上，將至少一個倒裝結構芯片固定于兩個焊區(qū)上，將至少一個水平結構芯片固定于所述倒裝結構芯片上；

其中，倒裝結構芯片包括第一透明襯底、設置于所述第一透明襯底下的第一發(fā)光層、高反射層和焊接層，所述高反射層位于所述第一發(fā)光層和所述焊接層之間；

所述水平結構芯片包括第二透明襯底、設置于所述第二透明襯底上的第二發(fā)光層以及電極層，所述電極層位于所述第二發(fā)光層的上表面；

所述倒裝結構芯片的最大長度大于或等于所述水平結構芯片的最大長度，所述倒裝結構芯片的最大寬度大于或等于所述水平結構芯片的最大寬度；

s3采用導線連接垂直結構芯片的上表面電極和其中一個焊區(qū)，采用導線將水平結構芯片的電極分別與兩個焊區(qū)電連接；

s4采用封裝膠體進行封裝，所述封裝膠體覆蓋所有垂直結構芯片、倒裝結構芯片、水平結構芯片以及導線，得到至少兩個小間距l(xiāng)ed器件；

s5將封裝好的至少兩個小間距l(xiāng)ed器件采用高速旋轉的刀片分離成單個小間距l(xiāng)ed器件。

優(yōu)選地，在s2步驟中，采用透明環(huán)氧或透明有機硅將所述水平結構芯片固定于所述倒裝結構芯片上。

優(yōu)選地，所述高反射層為布拉格反射層、銀層或鋁層。

一種由所述的小間距l(xiāng)ed器件制造的顯示屏，包括至少一個所述小間距l(xiāng)ed器件。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果在于：

1、本發(fā)明提供的小間距l(xiāng)ed器件，倒裝結構芯片的體積明顯大于垂直結構芯片，本發(fā)明的倒裝結構芯片和垂直結構芯片均設置于所述基板上，故垂直結構芯片僅僅小部分遮擋倒裝結構芯片出光；其次，水平結構芯片位于所述倒裝結構芯片的上面，故水平結構芯片高于所述垂直結構芯片高度，因此，垂直結構芯片無法遮擋水平結構芯片出光，最后，所述倒裝結構芯片和水平結構芯片均為透明芯片，故不會遮擋垂直結構芯片出光，因此，本發(fā)明由所述小間距l(xiāng)ed器件制造的顯示屏，解決了大視角觀看顯示屏出現(xiàn)紅移或色彩失真的現(xiàn)象。

2、本發(fā)明提供的小間距l(xiāng)ed器件，位于所述倒裝結構芯片上的所述水平結構芯片的所有邊緣均不超過所述倒裝結構芯片的邊緣，避免所述水平結構芯片懸空，一方面，用于防止導線鍵合過程中，對懸空的水平結構芯片造成破壞，從而影響所述水平結構芯片的發(fā)光效率，甚至破壞所述水平結構芯片；另一方面，便于在固晶過程中對所有芯片邊緣的識別。

3、本發(fā)明提供的小間距l(xiāng)ed器件，所述高反射層位于所述焊接層與所述第一發(fā)光層之間，用于提高所述倒裝結構芯片的出光效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明小間距l(xiāng)ed器件的俯視圖；

圖2為本發(fā)明小間距l(xiāng)ed器件的剖面結構示意圖；

圖3為本發(fā)明小間距l(xiāng)ed器件的基板的俯視圖；

圖4為本發(fā)明小間距l(xiāng)ed器件的倒裝結構芯片的結構示意圖；

圖5為本發(fā)明小間距l(xiāng)ed器件的水平結構芯片的結構示意圖；

圖6為本發(fā)明小間距l(xiāng)ed器件的另一實施方式的結構示意圖；

圖7為本發(fā)明小間距l(xiāng)ed器件的另一實施方式的剖面結構示意圖；

圖8為本發(fā)明小間距l(xiāng)ed器件封裝方法的流程圖；

圖9為本發(fā)明小間距l(xiāng)ed器件封裝方法的另一實施方式的流程圖。

具體實施方式

為了使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖和優(yōu)選實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明。

如圖1-5所示，本發(fā)明提供一種小間距l(xiāng)ed器件，包括基板1、至少一個位于所述基板1上的垂直結構芯片2、至少一個位于所述基板1上的倒裝結構芯片3、至少一個位于所述倒裝結構芯片3上的水平結構芯片4、導線5以及封裝膠體6；

所述倒裝結構芯片3的最大長度大于或等于所述水平結構芯片4的最大長度，所述倒裝結構芯片3的最大寬度大于或等于所述水平結構芯片4的最大寬度；

倒裝結構芯片3至少包括第一透明襯底31，所述水平結構芯片4至少包括第二透明襯底41。

所述基板1包括至少四個焊區(qū)11，所述垂直結構芯片2位于其中一個焊區(qū)并與另一焊區(qū)電連接，所述倒裝結構芯片3位于兩個焊區(qū)上，所述水平結構芯片4與其中兩個焊區(qū)電連接；

所述焊區(qū)11為設置于所述基板1正面的金屬層，進一步的，所述基板1的背面也設置有與所述基板1正面金屬層位置相匹配的金屬層，用以形成所述小間距l(xiāng)ed器件的引腳，位于所述基板正面的金屬層與位于所述基板背面的金屬層通過內部過孔或邊緣過孔的方式實現(xiàn)電連接，該技術手段為本發(fā)明常規(guī)技術特征，此處不再贅述。

本實施例中，所述基板1包括四個焊區(qū)11，分別為第一焊區(qū)111、第二焊區(qū)112、第三焊區(qū)113以及第四焊區(qū)114，其中，所述第一焊區(qū)111為公共區(qū)；所述垂直結構芯片2位于所述第二焊區(qū)112，其通過導線5與所述第一焊區(qū)111電連接；所述倒裝結構芯片3的一端位于所述第一焊區(qū)111，另一端位于所述第三焊區(qū)113；所述水平結構芯片4位于所述倒裝結構芯片3上，其一端通過導線5與所述第一焊區(qū)111電連接，另一端通過導線5與所述第四焊區(qū)114電連接。

進一步地，所述第一焊區(qū)、第二焊區(qū)、第三焊區(qū)以及第四焊區(qū)之間的最小間距大于或等于60μm，優(yōu)選為80μm-150μm，所述第一焊區(qū)的面積與所述第一焊區(qū)、第二焊區(qū)、第三焊區(qū)及第四焊區(qū)的面積總和的比例大于0.3，此處設置以上參數(shù)，將led器件盡可能的縮小，且不影響led器件的可靠性。

垂直結構芯片2通常為紅光led芯片，其兩個電極分別位于所述垂直結構芯片2的上表面和下表面，故所述垂直結構芯片2通過導電銀漿固定于所述第二焊區(qū)112，位于上表面的另一電極通過導線實現(xiàn)與所述第一焊區(qū)111之間的電連接。

所述倒裝結構芯片3通常為藍光led芯片或綠光led芯片，其包括第一透明襯底31；具體地，所述倒裝結構芯片3包括焊接層32、位于所述焊接層之上的第一發(fā)光層33以及位于所述第一發(fā)光層33之上的第一透明襯底31，此處由于所述第一發(fā)光層33位于所述第一透明襯底31之下，將所述第一透明襯底31設置為透明，便于所述倒裝結構芯片3的第一發(fā)光層33發(fā)出的光能夠順利的透射出去。

所述焊接層32包括相互絕緣的第一電極321和第二電極322，所述第一電極為正電極或負電極，所述第二電極為負電極或正電極，所述第一電極321通過導電銀漿或錫合金固定于所述第一焊區(qū)111，所述第二電極322通過導電銀漿或錫合金固定于所述第三焊區(qū)113。

更佳地，所述倒裝結構芯片3還包括高反射層34，所述高反射層34位于所述焊接層32與所述第一發(fā)光層33之間，用于提高所述裝結構芯片3的出光效率；具體地，所述高反射層34可以為dbr（distributedbraggreflection布拉格反射層）、銀層或鋁層，本實施中，所述高反射層34為鋁層。

所述水平結構芯片4的最大長度小于或等于所述倒裝結構芯片3的最大長度，所述水平結構芯片4的最大寬度小于或等于所述倒裝結構芯片3的最大寬度，即位于所述倒裝結構芯片3上的所述水平結構芯片4的所有邊緣均不超過所述倒裝結構芯片4的邊緣，避免所述水平結構芯片4懸空，一方面，用于防止導線鍵合過程中，對懸空的水平結構芯片4造成破壞，從而影響所述水平結構芯片4的發(fā)光效率，甚至破壞所述水平結構芯片4；另一方面，便于在固晶過程中對所有芯片邊緣的識別。

所述水平結構芯片4通常為藍光led芯片或綠光led芯片，其通過透明固晶材料固定于所述倒裝結構芯片3上，此處透明固晶材料可以是透明環(huán)氧或透明有機硅，采用透明固晶材料用于防止固定材料遮擋所述倒裝結構芯片發(fā)出的光；所述水平結構芯片4包括第二透明襯底41、位于所述第二透明襯底之上的第二發(fā)光層42以及位于所述第二發(fā)光層之上的電極層43，所述電極層包括相互絕緣的第一電極層431和第二電極層432，所述第一電極層431通過導線與所述第一焊區(qū)111實現(xiàn)電連接，第二電極層432通過導線5與所述第四焊區(qū)114實現(xiàn)電連接。

所述導線5為金線、銅線或合金線，具體根據(jù)實際需要進行設置，本實施例中，所述導線5為金線，用于實現(xiàn)芯片與焊區(qū)之間的電連接。

所述封裝膠體6覆蓋安裝區(qū)內所有垂直結構芯片2、倒裝結構芯片3、水平結構芯片4以及導線5，所述封裝膠體6為環(huán)氧樹脂、散射粉以及吸光粉的混合物，其中，所述散射粉為三氧化鈦、二氧化鈦、二氧化硅中的一種或幾種，所述吸光粉為碳粉或石墨粉中的一種或幾種。

相應的，如圖1-9所示，本發(fā)明還公開了所述小間距l(xiāng)ed器件的封裝方法，其中，圖8為本發(fā)明封裝方法的流程圖，圖9為本發(fā)明另一實施方式封裝方法的流程圖，該封裝方法包括以下步驟：

s1準備基板：將基板1準備好，其中，所述基板1包括至少四個焊區(qū)11；

s2固晶：將至少一個垂直結構芯片2固定于其中一個焊區(qū)上，將至少一個倒裝結構芯片3固定于兩個焊區(qū)上，將至少一個水平結構芯片4固定于所述倒裝結構芯片3上，其中，倒裝結構芯片3至少包括第一透明襯底31，所述水平結構芯片4至少包括第二透明襯底41；所述倒裝結構芯片3的最大長度大于或等于所述水平結構芯片4的最大長度，所述倒裝結構芯片3的最大寬度大于或等于所述水平結構芯片4的最大寬度；

s3導線鍵合：采用導線5連接垂直結構芯片的上表面和其中一個焊區(qū)，采用導線5將水平結構芯片4的兩端分別與兩個焊區(qū)電連接；

s4封裝：采用封裝膠體6進行封裝，所述封裝膠體6覆蓋所有垂直結構芯片2、倒裝結構芯片3、水平結構芯片4以及導線5，得到至少一個小間距l(xiāng)ed器件；

此處需要說明的是，所述基板1包括至少四個焊區(qū)，構成一個安裝區(qū)10或多個安裝區(qū)10，即所述基板1上可以設置一個安裝區(qū)10，也可以設置多個安裝區(qū)10，一個所述安裝區(qū)10包括至少四個焊區(qū)11，若所述基板1上設置多個安裝區(qū)10，還包括s5分離：將封裝好的小間距l(xiāng)ed器件采用高速旋轉的刀片分離成單個小間距l(xiāng)ed器件。

下面將以所述基板1包括至少兩個安裝區(qū)10，一個所述安裝區(qū)10包括四個焊區(qū)11進行具體說明，一種小間距l(xiāng)ed器件的封裝方法，該封裝方法包括以下步驟：

s1準備基板：將基板準備好，其中，所述基板1包括至少兩個安裝區(qū)10，一個所述安裝區(qū)100包括四個焊區(qū)，分別為第一焊區(qū)111、第二焊區(qū)112、第三焊區(qū)113以及第四焊區(qū)114，其中第一焊區(qū)111為公共區(qū)；

所述焊區(qū)11為設置于所述基板正面的金屬層，進一步的，所述基板1的背面也設置有與所述基板正面金屬層位置相匹配的金屬層，用以形成所述小間距l(xiāng)ed器件的引腳，位于所述基板1正面的金屬層與位于所述基板1背面的金屬層通過內部過孔或邊緣過孔的方式實現(xiàn)電連接。

s2固晶：一個安裝區(qū)內，將一個垂直結構芯片2固定于其中一個焊區(qū)上，將至少一個倒裝結構芯片3固定于兩個焊區(qū)上，將至少一個水平結構芯片4固定于所述倒裝結構芯片3上，其中，倒裝結構芯片3至少包括第一透明襯底31，所述水平結構芯片4至少包括第二透明襯底41；所述倒裝結構芯片3的最大長度大于或等于所述水平結構芯片4的最大長度，所述倒裝結構芯片2的最大寬度大于或等于所述水平結構芯片4的最大寬度；

垂直結構芯片2通常為紅光led芯片，其兩個電極分別位于所述垂直結構芯片的上表面和下表面，所述垂直結構芯片2通過導電銀漿固定于所述第二焊區(qū)。

所述倒裝結構芯片3通常為藍光led芯片或綠光led芯片，其包括焊接層32、位于所述焊接層之上的第一發(fā)光層33以及位于所述第一發(fā)光層33之上的第一透明襯底31，此處由于所述第一發(fā)光層33位于所述第一透明襯底31之下，將所述第一透明襯底31設置有透明，便于所述倒裝結構芯片3的第一發(fā)光層發(fā)出的光能夠順利的透射出去。

所述焊接層31包括第一電極321和第二電極322，所述第一電極321通過導電銀漿或錫合金固定于所述第一焊區(qū)111，所述第二電極322通過導電銀漿或錫合金固定于所述第三焊區(qū)113。

更佳地，所述倒裝結構芯片3還包括高反射層34，所述高反射層34位于所述焊接層32與所述第一發(fā)光層33之間，用于提高所述裝結構芯片的出光效率；具體地，所述高反射層34可以為布拉格反射層、銀層或鋁層，本實施中，所述高反射層為鋁層。

位于所述倒裝結構芯片3上的所述水平結構芯片4的所有邊緣均不超過所述倒裝結構芯片的邊緣，避免所述水平結構芯片4懸空，一方面，用于防止導線鍵合過程中，對懸空的水平結構芯片造成破壞，從而影響所述水平結構芯片的發(fā)光效率，甚至破壞所述水平結構芯片；另一方面，便于在固晶過程中對所有芯片邊緣的識別。

所述水平結構芯片4通常為藍光led芯片或綠光led芯片，其通過透明固晶材料固定于所述倒裝結構芯片3上，此處透明固晶材料可以是環(huán)氧或有機硅，采用透明固晶材料用于防止固定材料遮擋所述倒裝結構芯片發(fā)出的光；所述水平結構芯片4包括第二透明襯底41、位于所述第二透明襯底41之上的第二發(fā)光層42以及位于所述第二發(fā)光層42之上的電極層43，所述電極層43包括第一電極層431和第二電極層432。

s3導線鍵合：采用導線5連接垂直結構芯片2的上表面和第一焊區(qū)111，采用導線5連接水平結構芯片4的第一電極層431與第一焊區(qū)111，第二電極層432與第四焊區(qū)114；

s4封裝：采用封裝膠體6進行封裝，所述封裝膠體6覆蓋安裝區(qū)內所有垂直結構芯片2、倒裝結構芯片3、水平結構芯片4以及導線5，得到至少兩個小間距l(xiāng)ed器件；其中，所述封裝膠體6為環(huán)氧樹脂、散射粉以及吸光粉的混合物，所述散射粉為三氧化鈦、二氧化鈦、二氧化硅中的一種或幾種，所述吸光粉為碳粉或石墨粉中的一種或幾種。

s5分離：將封裝好的至少兩個小間距l(xiāng)ed器件采用高速旋轉的刀片分離成單個小間距l(xiāng)ed器件。

相應的，本發(fā)明還公開一種由所述小間距l(xiāng)ed器件制造的顯示屏，所述顯示屏包括至少一個led器件，所述led器件為上述小間距l(xiāng)ed器件，所述led器件在所述顯示屏上呈陣列排布，用于形成圖像。

此處需要說明的是，通常情況下，倒裝結構芯片的體積明顯大于垂直結構芯片，本發(fā)明的倒裝結構芯片和垂直結構芯片均設置于所述基板上，故垂直結構芯片僅僅小部分遮擋倒裝結構芯片出光；其次，水平結構芯片位于所述倒裝結構芯片的上面，故水平結構芯片高于所述垂直結構芯片高度，因此，垂直結構芯片無法遮擋水平結構芯片出光，最后，所述倒裝結構芯片和水平結構芯片均為透明芯片，故不會遮擋垂直結構芯片出光，因此，本發(fā)明由所述小間距l(xiāng)ed器件制造的顯示屏，解決了大視角觀看顯示屏出現(xiàn)紅移或色彩失真的現(xiàn)象。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果在于：

1、本發(fā)明提供的小間距l(xiāng)ed器件，倒裝結構芯片的體積明顯大于垂直結構芯片，本發(fā)明的倒裝結構芯片和垂直結構芯片均設置于所述基板上，故垂直結構芯片僅僅小部分遮擋倒裝結構芯片出光；其次，水平結構芯片位于所述倒裝結構芯片的上面，故水平結構芯片高于所述垂直結構芯片高度，因此，垂直結構芯片無法遮擋水平結構芯片出光，最后，所述倒裝結構芯片和水平結構芯片均為透明芯片，故不會遮擋垂直結構芯片出光，因此，本發(fā)明由所述小間距l(xiāng)ed器件制造的顯示屏，解決了大視角觀看顯示屏出現(xiàn)紅移或色彩失真的現(xiàn)象。

2、本發(fā)明提供的小間距l(xiāng)ed器件，位于所述倒裝結構芯片上的所述水平結構芯片的所有邊緣均不超過所述倒裝結構芯片的邊緣，避免所述水平結構芯片懸空，一方面，用于防止導線鍵合過程中，對懸空的水平結構芯片造成破壞，從而影響所述水平結構芯片的發(fā)光效率，甚至破壞所述水平結構芯片；另一方面，便于在固晶過程中對所有芯片邊緣的識別。

3、本發(fā)明提供的小間距l(xiāng)ed器件，所述高反射層位于所述焊接層與所述第一發(fā)光層之間，用于提高所述裝結構芯片的出光效率。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。