技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種GaN水平納米線電子器件制備方法，直接在襯底上生長水平GaN納米線，并通過光刻工藝制備方形電極陣列，采用PECVD設(shè)備沉積厚度為2250?的SiO2；通過FIB工藝在沉積有SiO2的一根納米線頂部沉積金屬鉑，并引出金屬鉑連接至另一個方形電極。本發(fā)明通過在襯底上直接生長水平GaN納米線，其與襯底粘結(jié)性強，同時將納米線結(jié)構(gòu)紫外探測器和納米線場效應(yīng)管集成在一起，無需轉(zhuǎn)移納米線，不僅增強器件性能穩(wěn)定性，同時減少材料缺陷，縮小器件尺寸，提高應(yīng)用范圍。本發(fā)明作為一種GaN水平納米線電子器件制備方法可廣泛應(yīng)用于微電子領(lǐng)域。

技術(shù)研發(fā)人員：何苗;王志成;叢海云;鄭樹文
受保護的技術(shù)使用者：華南師范大學
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.27
技術(shù)公布日：2017.09.22