優(yōu)先權(quán)主張本申請(qǐng)案主張來(lái)自以下臨時(shí)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益：2014年12月19日申請(qǐng)的第62/094,525號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案；2014年12月19日申請(qǐng)的第62/094,539號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案；2015年1月26日申請(qǐng)的第62/107,606號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案；2015年4月27日申請(qǐng)的第62/153,291號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案；2015年4月27日申請(qǐng)的第62/153,298號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案；及2015年5月13日申請(qǐng)的第62/161,067號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案，全部所述申請(qǐng)案出于所有目的以全文引用方式并入。本發(fā)明的實(shí)施例大體上涉及半導(dǎo)體發(fā)光裝置，且具體來(lái)說(shuō)，涉及一種在背板上采用發(fā)光裝置陣列的發(fā)射顯示器面板及一種制造所述發(fā)射顯示器面板的方法。
背景技術(shù)：
：例如發(fā)光裝置的發(fā)光裝置用于電子顯示器中，例如膝上型計(jì)算機(jī)或led電視中的液晶顯示器。發(fā)光裝置包含發(fā)光二極管(led)及經(jīng)配置以發(fā)射光的各種其它類型的電子裝置。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種形成裝置組合件的方法。在襯底上形成多種類型的焊接材料部分。所述多種類型的焊接材料部分包括包含第一焊接材料的至少一個(gè)第一焊接材料部分及包含第二焊接材料的至少一個(gè)第二焊接材料部分。提供多種類型的裝置。所述多種類型的裝置包括包含至少一個(gè)第一接合墊的第一類型裝置及包含至少一個(gè)第二接合墊的第二類型裝置。所述第一及第二接合墊包括共用接合材料。所述第一焊接材料與所述共用接合材料形成具有第一共晶溫度的第一共晶系統(tǒng)。所述第二焊接材料與所述共用接合材料形成具有大于所述第一共晶溫度的第二共晶溫度的第二共晶系統(tǒng)。通過(guò)將每一第一接合墊安置在相應(yīng)第一焊接材料部分上及將每一第一接合墊加熱到高于所述第一共晶溫度且低于所述第二共晶溫度的溫度，將所述第一類型裝置接合到所述襯底。通過(guò)將每一第二接合墊安置在相應(yīng)第二焊接材料部分上及將每一第二接合墊加熱到高于所述第二共晶溫度的溫度，將所述第二類型裝置接合到所述襯底。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種形成至少一個(gè)集成發(fā)光裝置組合件的方法。將包括第一源襯底及發(fā)射第一波長(zhǎng)的光的第一發(fā)光裝置的第一組合件安置在背板之上。將第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)安置在所述背板與所述第一組合件之間。所述第一發(fā)光裝置的第一子集通過(guò)所述第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)接合到所述背板。通過(guò)激光燒蝕上覆所述第一發(fā)光裝置的所述第一子集的材料部分使所述第一發(fā)光裝置的所述第一子集從所述第一源襯底脫離。使包括所述第一源襯底及所述第一發(fā)光裝置的第二子集的組合件與所述背板分離，而所述第一發(fā)光裝置的所述第一子集仍接合到所述背板。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種集成發(fā)光裝置組合件，其包括在頂側(cè)處具有階梯式水平面的背板。所述階梯式水平面包括定位于第一水平面平面內(nèi)的所述階梯式水平面的第一子集及定位于比階梯式水平面的所述第一子集接近所述背板的背面的程度更接近所述背板的所述背面的第二水平面平面內(nèi)的所述階梯式水平面的第二子集。所述集成發(fā)光裝置組合件包括定位于所述背板的所述階梯式水平面上的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)包括上覆所述階梯式水平面的所述第一子集的第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)及上覆所述階梯式水平面的所述第二子集的第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)。此外，所述集成發(fā)光裝置組合件包括接合到所述導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置。所述發(fā)光裝置包括：第一發(fā)光裝置，其發(fā)射第一波長(zhǎng)的光且上覆所述階梯式水平面的所述第一子集；及第二發(fā)光裝置，其發(fā)射第二波長(zhǎng)的光且上覆階梯式水平面的所述第二子集。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種集成發(fā)光裝置組合件，其包括接合到背板的第一發(fā)光裝置及第二發(fā)光裝置。每一第一發(fā)光裝置以第一波長(zhǎng)發(fā)射光。每一第二發(fā)光裝置以不同于所述第一波長(zhǎng)的第二波長(zhǎng)發(fā)射光。每一第一發(fā)光裝置通過(guò)包含第一接合墊及第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)的第一堆疊接合到所述背板。每一第二發(fā)光裝置通過(guò)包含第二接合墊及第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)的第二堆疊接合到所述背板。包含所述第一接合墊與所述第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)之間的第一界面的第一平面從包含所述第二接合墊與所述第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)之間的第二界面的第二平面垂直偏移。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種集成發(fā)光裝置組合件，其包括接合到背板的第一發(fā)光裝置及第二發(fā)光裝置。每一第一發(fā)光裝置以第一波長(zhǎng)發(fā)射光。每一第二發(fā)光裝置以不同于所述第一波長(zhǎng)的第二波長(zhǎng)發(fā)射光。每一第一發(fā)光裝置通過(guò)包含第一接合墊及第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)的第一堆疊接合到所述背板。每一第二發(fā)光裝置通過(guò)包含第二接合墊及第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)的第二堆疊接合到所述背板。所述第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)與所述第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)具有相同高度。所述第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)中的每一者具有第一體積。所述第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)中的每一者具有小于所述第一體積的第二體積。附圖說(shuō)明圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的從初始生長(zhǎng)襯底生成生長(zhǎng)襯底與其上的相應(yīng)裝置的組合件的步驟的示意性說(shuō)明。圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的通過(guò)相應(yīng)裝置將生長(zhǎng)襯底接合到相應(yīng)第一載體襯底的步驟的示意性說(shuō)明。圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的移除生長(zhǎng)襯底的步驟的示意性說(shuō)明。圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在第一載體襯底上形成第一接合材料層、提供第二載體襯底及形成釋放層及第二接合材料層的步驟的示意性說(shuō)明。圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的接合每一對(duì)第一載體襯底與第二載體襯底的步驟的示意性說(shuō)明。圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的其中從經(jīng)接合結(jié)構(gòu)移除每一第一載體襯底的步驟的示意性說(shuō)明。圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第二載體襯底、其上的第一發(fā)光裝置陣列及填充第一發(fā)光裝置之中的間隙的任選光學(xué)保護(hù)材料層的垂直橫截面圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的背板襯底的垂直橫截面圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的通過(guò)在背板上形成各種電介質(zhì)材料層而形成的背板的垂直橫截面圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包含光學(xué)保護(hù)材料的任選保護(hù)層形成及圖案化之后的背板的垂直橫截面圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在階梯式水平面的第一子集上形成第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)之后的背板的垂直橫截面圖。圖12是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的將第一轉(zhuǎn)移襯底上的第一發(fā)光裝置的第一子集接合到背板的階梯式水平面的第一子集上的第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)時(shí)的背板的垂直橫截面圖。圖13是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的采用第一轉(zhuǎn)移襯底中的釋放層的部分的激光輻射及燒蝕附接第一發(fā)光裝置的第一子集之中的發(fā)光裝置時(shí)的背板及第一轉(zhuǎn)移襯底的垂直橫截面圖。圖14是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的分離第一轉(zhuǎn)移襯底之后的背板的垂直橫截面圖。圖15是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的使第二轉(zhuǎn)移襯底與其上的第二發(fā)光裝置對(duì)準(zhǔn)之后的背板的垂直橫截面圖。圖16是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的采用第二轉(zhuǎn)移襯底中的釋放層的部分的激光輻射及燒蝕分離第二發(fā)光裝置的第一子集之中的發(fā)光裝置時(shí)的背板及第二轉(zhuǎn)移襯底的垂直橫截面圖。圖17是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的分離第二轉(zhuǎn)移襯底之后的背板的垂直橫截面圖。圖18是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的采用第三轉(zhuǎn)移襯底中的釋放層的部分的激光輻射及燒蝕分離第三發(fā)光裝置的第一子集之中的發(fā)光裝置時(shí)的背板及第三轉(zhuǎn)移襯底的垂直橫截面圖。圖19是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的分離第三轉(zhuǎn)移襯底之后的背板的垂直橫截面圖。圖20是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的采用第四轉(zhuǎn)移襯底中的釋放層的部分的激光輻射及燒蝕分離傳感器裝置的第一子集之中的傳感器裝置時(shí)的背板及第四轉(zhuǎn)移襯底的垂直橫截面圖。圖21是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的分離第四轉(zhuǎn)移襯底之后的背板的垂直橫截面圖。圖22是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的透明囊封電介質(zhì)層形成之后的第一示范性發(fā)光裝置組合件的垂直橫截面圖。圖23是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)形成之后的第一示范性發(fā)光裝置組合件的替代實(shí)施例的垂直橫截面圖。圖24是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的初始生長(zhǎng)襯底上的裝置的替代實(shí)施例。圖25是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一示范性發(fā)光裝置組合件的另一替代實(shí)施例的垂直橫截面圖。圖26是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一示范性發(fā)光裝置組合件的又一替代實(shí)施例的垂直橫截面圖。圖27說(shuō)明在其中虛設(shè)襯底安置在經(jīng)接合發(fā)光裝置的頂表面上方的本發(fā)明的替代實(shí)施例中的處理步驟。圖28說(shuō)明在其中虛設(shè)襯底擠壓經(jīng)接合發(fā)光二極管而焊料球被加熱到回流溫度的本發(fā)明的替代實(shí)施例中的處理步驟。圖29說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一示范性發(fā)光裝置組合件的又一替代實(shí)施例。圖30說(shuō)明用于將四種不同類型的裝置從四個(gè)轉(zhuǎn)移襯底轉(zhuǎn)移到四個(gè)背板的示范性轉(zhuǎn)移模式及示范性轉(zhuǎn)移序列。圖31a到31e是根據(jù)圖30中說(shuō)明的示范性轉(zhuǎn)移模式的發(fā)光二極管的示意性轉(zhuǎn)移序列。圖32a到32n是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于形成第二示范性發(fā)光裝置組合件的過(guò)程的順序垂直橫截面圖。圖33a到33n是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于形成第三示范性發(fā)光裝置組合件的過(guò)程的順序垂直橫截面圖。圖34a到34n是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于形成第四示范性發(fā)光裝置組合件的過(guò)程的順序垂直橫截面圖。圖35a到35n是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于形成第五示范性發(fā)光裝置組合件的過(guò)程的順序垂直橫截面圖。具體實(shí)施方式如上所述，本發(fā)明涉及一種集成背光單元組合件及一種制造集成背光單元組合件的方法，下文描述其各種方面。貫穿圖式，相似元件由相同元件符號(hào)描述。所述圖式并非按比例繪制?？稍谡f(shuō)明元件的單個(gè)例子的情況中復(fù)制元件的多個(gè)例子，除非明確地描述或另外清楚地指示缺少元件的副本。采用例如“第一”、“第二”及“第三”的序數(shù)詞來(lái)僅識(shí)別類似元件，且可跨說(shuō)明書(shū)及本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)采用不同序數(shù)詞。如本文使用，“發(fā)光裝置”是指經(jīng)配置以發(fā)射光的任何裝置，且其包含(但不限于)發(fā)光二極管(led)、激光器(例如垂直腔面發(fā)射激光器(vcsel))及經(jīng)配置以在施加合適的電偏壓之后發(fā)射光的任何其它電子裝置。發(fā)光裝置可為垂直結(jié)構(gòu)(例如，垂直led)(其中p側(cè)與n側(cè)接觸件定位于所述結(jié)構(gòu)的相對(duì)側(cè)上)或橫向結(jié)構(gòu)(其中p側(cè)與n側(cè)接觸件定位于所述結(jié)構(gòu)的相同側(cè)上)。如本文使用，“發(fā)光裝置組合件”是指其中至少一個(gè)發(fā)光裝置在結(jié)構(gòu)上相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)被固定的組合件，所述支撐結(jié)構(gòu)可包含例如襯底、基體或經(jīng)配置以對(duì)至少一個(gè)發(fā)光裝置提供穩(wěn)定的機(jī)械支撐的任何其它結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，提供一種用于將裝置陣列(例如發(fā)光裝置陣列或傳感器裝置陣列)從生長(zhǎng)襯底轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底的方法。目標(biāo)襯底可為希望以任何配置在其上形成多種類型的裝置的任何襯底。在說(shuō)明性實(shí)例中，目標(biāo)襯底可為背板襯底，例如用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光裝置的有源或無(wú)源基質(zhì)背板襯底。如本文使用，“背板襯底”是指經(jīng)配置以在其上附裝多個(gè)裝置的任何襯底。在一個(gè)實(shí)施例中，背板襯底上的相鄰發(fā)光裝置的中心到中心間隔可為生長(zhǎng)襯底上的相鄰發(fā)光裝置的中心到中心間隔的整數(shù)倍。發(fā)光裝置可包含多個(gè)發(fā)光裝置，例如兩個(gè)發(fā)光裝置組成的群組，一者經(jīng)配置以發(fā)射藍(lán)光且一者經(jīng)配置以發(fā)射綠光。發(fā)光裝置可包含三個(gè)發(fā)光裝置組成的群組，一者經(jīng)配置以發(fā)射藍(lán)光，一者經(jīng)配置以發(fā)射綠光，且一者經(jīng)配置以發(fā)射紅光。如本文使用，“相鄰發(fā)光裝置”是指比至少另一發(fā)光裝置更接近而定位的多個(gè)兩個(gè)或兩個(gè)以上發(fā)光裝置。本發(fā)明的方法可提供發(fā)光裝置的子集從生長(zhǎng)襯底上的發(fā)光裝置陣列到背板襯底的選擇轉(zhuǎn)移。參考圖1，可采用所屬領(lǐng)域中已知的方法在相應(yīng)初始生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r、101s)上制造裝置(10b、10g、10r、10s)。如本文使用，“初始生長(zhǎng)襯底”是指經(jīng)處理以在其上或其中形成裝置的襯底。裝置(10b、10g、10r、10s)可包含發(fā)光裝置(10b、10g、10r)及/或傳感器裝置10s(例如，光電檢測(cè)器)及/或任何其它電子裝置。發(fā)光裝置(10b、10g、10r)可為任何類型的發(fā)光裝置，即，垂直發(fā)光裝置、橫向發(fā)光裝置或其任何組合?？稍诿恳怀跏忌L(zhǎng)襯底(101b、101g、101r、101s)上形成相同類型的裝置。可在相應(yīng)初始生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r、101s)上形成裝置(10b、10g、10r、10s)作為一陣列。在一個(gè)實(shí)施例中，初始生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r、101s)可包含吸收襯底，例如硅襯底。如本文使用，“吸收襯底”是指吸收包含紫外范圍、可見(jiàn)范圍及紅外范圍的光譜范圍內(nèi)的超過(guò)50％的光能的襯底。如本文使用，“紫外范圍”是指從10nm到400nm的波長(zhǎng)范圍；“可見(jiàn)范圍”是指從400nm到800nm的波長(zhǎng)范圍；且“紅外范圍”是指從800nm到1mm的波長(zhǎng)范圍。如果初始生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r、101s)是吸收襯底，那么每一裝置陣列(10b、10g、10r、10s)可通過(guò)整片轉(zhuǎn)移過(guò)程轉(zhuǎn)移到相應(yīng)透明載體襯底或“透明襯底”，其中每一裝置陣列(10b、10g、10r、10s)完整地轉(zhuǎn)移到相應(yīng)透明襯底。如本文使用，“透明襯底”是指以包含紫外范圍、可見(jiàn)范圍及紅外范圍的光譜范圍內(nèi)的波長(zhǎng)透射超過(guò)50％的光能的襯底。在一個(gè)實(shí)施例中，裝置(10b、10g、10r、10s)可包含發(fā)光裝置(10b、10g、10r、10s)。在一個(gè)實(shí)施例中，每一發(fā)光裝置(10b、10g、10r)可經(jīng)配置以發(fā)射單個(gè)峰值波長(zhǎng)光。應(yīng)理解，發(fā)光裝置通常發(fā)射集中于單個(gè)波長(zhǎng)(在此處，光強(qiáng)度最大)周圍的窄波長(zhǎng)帶的光，且發(fā)光裝置的波長(zhǎng)是指峰值波長(zhǎng)。舉例來(lái)說(shuō)，第一發(fā)光裝置陣列10b可形成于第一類型生長(zhǎng)襯底100b上，第二發(fā)光裝置陣列10g可形成于第二類型生長(zhǎng)襯底100g上，且第三發(fā)光裝置陣列10r可形成于第三類型生長(zhǎng)襯底100r上。另外，傳感器裝置陣列10s可形成于第四類型生長(zhǎng)襯底100s上。替代地，一或多種類型的發(fā)光裝置(10b、10g、10r)可為經(jīng)配置以發(fā)射至少兩種不同波長(zhǎng)光的集成發(fā)光裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光裝置(10b、10g、10r)可包括納米線陣列或其它納米結(jié)構(gòu)陣列。在每一發(fā)光裝置(10b、10g、10r)上提供例如接觸墊的接觸結(jié)構(gòu)(未明確展示)。每一發(fā)光裝置(10b、10g、10r)的接觸結(jié)構(gòu)可包含陽(yáng)極接觸結(jié)構(gòu)及陰極接觸結(jié)構(gòu)。在發(fā)光裝置(10b、10g、10r)中的一或多者是經(jīng)配置以發(fā)射至少兩種不同波長(zhǎng)光的集成發(fā)光裝置的情況中，可采用共用接觸結(jié)構(gòu)(例如共用陰極接觸結(jié)構(gòu))。舉例來(lái)說(shuō)，體現(xiàn)為單個(gè)集成發(fā)光裝置的發(fā)藍(lán)光裝置、發(fā)綠光裝置及發(fā)紅光裝置的三元組可具有單個(gè)陰極接觸件。每一初始生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r)上的發(fā)光裝置陣列(10b、10g、10r)經(jīng)配置使得發(fā)光裝置隨后轉(zhuǎn)移到其的背板襯底上的發(fā)光裝置的中心到中心間隔是初始生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r)上的發(fā)光裝置(10b、10g、10r)的中心到中心間隔的整數(shù)倍。可將每一初始生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r、101s)及其上的裝置(10b、10g、10r、10s)切成合適的大小。本文將初始生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r、101s)的每一切塊部分稱為生長(zhǎng)襯底(100b、100g、100r、100s)。因此，產(chǎn)生生長(zhǎng)襯底(100b、100g、100r、100s)與其上的相應(yīng)裝置(10b、10g、10r、10s)的組合件。換句話來(lái)說(shuō)，生長(zhǎng)襯底(100b、100g、100r、100s)是初始生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r、101s)的整體或切塊部分，且裝置陣列(10b、10g、10r、10s)存在于每一生長(zhǎng)襯底(100b、100g、100r、100s)上。每一生長(zhǎng)襯底(100b、100g、100r、100s)上的裝置陣列(10b、10g、10r、10s)可為相同類型的裝置陣列。在將每一初始生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r、101s)切割成對(duì)應(yīng)生長(zhǎng)襯底(100b、100g、100r、100s)之前或之后，每一裝置(10b、10g、10r、10s)(例如，發(fā)光裝置、一群發(fā)光裝置、或傳感器裝置)可通過(guò)在每一對(duì)相鄰發(fā)光裝置之間形成溝槽而與彼此機(jī)械地隔離。在說(shuō)明性實(shí)例中，如果發(fā)光裝置陣列或傳感器陣列安置在初始生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r、101s)上，那么溝槽可從發(fā)光裝置陣列或傳感器陣列的最終生長(zhǎng)表面延伸到初始生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r、101s)的頂表面?？刹捎酶鞣N方案將每一裝置陣列(10b、10g、10r、10s)轉(zhuǎn)移到相應(yīng)透明襯底，本文將所述相應(yīng)透明襯底稱為轉(zhuǎn)移襯底。圖2到6說(shuō)明可用于將每一裝置陣列(10b、10g、10r、10s)轉(zhuǎn)移到相應(yīng)透明襯底的示范性方案。參考圖2，在每一裝置(10b、10g、10r、10s)上的接觸結(jié)構(gòu)在于生長(zhǎng)襯底(101b、101g、101r、101s)上制造裝置(10b、10g、10r、10s)期間形成于每一裝置(10b、10g、10r、10s)的頂側(cè)上的情況中，可任選地采用第一載體襯底200。第一載體襯底200可為可接合到裝置(10b、10g、10r、10s)且可對(duì)所述(10b、10g、10r、10s)提供結(jié)構(gòu)支撐的任何合適的襯底。每一生成裝置陣列(10b、10g、10r、10s)及相應(yīng)生長(zhǎng)襯底100接合到第一載體襯底200。因此，每一生長(zhǎng)襯底100可通過(guò)相應(yīng)裝置10接合到相應(yīng)第一載體襯底200。換句話來(lái)說(shuō)，在每一經(jīng)接合結(jié)構(gòu)(100、10、200)內(nèi)，裝置10存在于生長(zhǎng)襯底100與第一載體襯底之間。在說(shuō)明性實(shí)例中，第一類型生長(zhǎng)襯底100b可通過(guò)第一發(fā)光裝置10b接合到第一類型第一載體襯底200b，第二類型生長(zhǎng)襯底100g可通過(guò)第二發(fā)光裝置10g接合到第二類型第一載體襯底200g，第三類型生長(zhǎng)襯底100r可通過(guò)第三發(fā)光裝置10r接合到第三類型第一載體襯底200r，且第四類型生長(zhǎng)襯底100s可通過(guò)傳感器裝置10s接合到第四類型第一載體襯底200s。參考圖3，可從包含生長(zhǎng)襯底100、裝置陣列10與第一載體襯底200的堆疊的暫時(shí)經(jīng)接合結(jié)構(gòu)移除每一生長(zhǎng)襯底100。舉例來(lái)說(shuō)，如果生長(zhǎng)襯底100是硅襯底，那么可通過(guò)濕式化學(xué)蝕刻工藝、磨削、拋光、分裂(例如，在氫植入層處)、或其組合移除生長(zhǎng)襯底100。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)植入形成弱區(qū)域的原子(例如植入到半導(dǎo)體材料中的氫原子)且通過(guò)應(yīng)用合適的處理?xiàng)l件(例如，在高溫及/或機(jī)械力下的退火)以致使襯底分裂成兩部分來(lái)執(zhí)行襯底的分裂。參考圖4，第一接合材料層30a可形成于每一第一載體襯底200上。第一接合材料層30a包含可在合適的處置(例如施加熱及/或壓力)之后接合到另一接合材料的任何接合材料。在一個(gè)實(shí)施例中，第一接合材料層30a可包括電介質(zhì)材料，例如氧化硅、硼磷硅酸玻璃(bpsg)、旋涂玻璃(sog)材料及/或粘結(jié)材料(例如su-8或苯并環(huán)丁烯(bcb))。第一接合材料層30a的厚度可在從50nm到5微米的范圍內(nèi)，盡管也可采用更小及更大厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，第一接合材料層30a可為具有約1微米厚度的氧化硅層。第一接合材料層30a可通過(guò)合適的沉積方法(例如化學(xué)氣相沉積)或旋涂形成。提供轉(zhuǎn)移襯底300。如本文使用，“轉(zhuǎn)移襯底”是指至少一個(gè)裝置從其轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底的襯底，所述目標(biāo)襯底可包括背板襯底。在一個(gè)實(shí)施例中，每一轉(zhuǎn)移襯底300可為第二載體襯底，其可用于從相應(yīng)第一載體襯底200接收裝置陣列并承載所述裝置陣列直到裝置的子集在后續(xù)過(guò)程中被轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底。在一些實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移襯底300可在激光波長(zhǎng)下是光學(xué)透明的。激光波長(zhǎng)是隨后用于個(gè)別地且選擇性地將裝置從相應(yīng)轉(zhuǎn)移襯底300轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底的激光束的波長(zhǎng)，且其可為紫外波長(zhǎng)、可見(jiàn)波長(zhǎng)或紅外波長(zhǎng)。在一個(gè)實(shí)施例中，透明襯底300可包含藍(lán)寶石、玻璃(氧化硅)或所屬領(lǐng)域中已知的其它光學(xué)透明材料。在替代實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移襯底300可為透明生長(zhǎng)襯底或其切塊部分。在初始生長(zhǎng)襯底經(jīng)分裂(例如，在植入有氫氣或惰性氣體的層處)以提供發(fā)光二極管在無(wú)需使用轉(zhuǎn)移襯底的情況下從其轉(zhuǎn)移到背板的薄襯底的一些其它實(shí)施例中，初始生長(zhǎng)襯底可以激光波長(zhǎng)吸收激光。可隨后將釋放層20及第二接合材料層30b沉積在每一轉(zhuǎn)移襯底300上。釋放層20包含可提供到轉(zhuǎn)移襯底300的充分粘合且在隨后在后續(xù)選擇轉(zhuǎn)移過(guò)程期間采用的激光束的激光波長(zhǎng)下具吸收性的材料。舉例來(lái)說(shuō)，釋放層20可包含富含硅的氮化硅或半導(dǎo)體層，例如可通過(guò)激光輻射加熱的gan層。釋放層20的厚度可在從100nm到1微米的范圍內(nèi)，盡管也可采用更小及更大厚度。第二接合材料層30b可包括例如氧化硅的電介質(zhì)材料。第二接合材料層30b的厚度可在從50nm到5微米的范圍內(nèi)，盡管也可采用更小及更大厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，第二接合材料層30b可為具有約1微米厚度的氧化硅層。第二接合材料層30b可通過(guò)合適的沉積方法(例如化學(xué)氣相沉積)或旋涂形成?？蔀槊恳坏谝惠d體襯底200提供轉(zhuǎn)移襯底300。舉例來(lái)說(shuō)，可為第一類型第一載體襯底200b提供第一轉(zhuǎn)移襯底300b；可為第二類型第一載體襯底200g提供第二轉(zhuǎn)移襯底300g；可為第三類型第一載體襯底300r提供第三轉(zhuǎn)移襯底300r；且可為額外類型第一載體襯底300s提供額外轉(zhuǎn)移襯底300s?？尚纬啥鄠€(gè)堆疊式結(jié)構(gòu)，其包含：第一堆疊式結(jié)構(gòu)(300b、20、30b)，其包含第一轉(zhuǎn)移襯底300b、釋放層20與第二接合材料層30b的堆疊；第二堆疊式結(jié)構(gòu)(300g、20、30b)，其包含第二轉(zhuǎn)移襯底300g、釋放層20與第二接合材料層30b的堆疊；第三堆疊式結(jié)構(gòu)(300r、20、30b)，其包含第三轉(zhuǎn)移襯底300r、釋放層20與第二接合材料層30b的堆疊；及額外堆疊式結(jié)構(gòu)(300s、20、30b)，其包含額外轉(zhuǎn)移襯底300s、釋放層20與第二接合材料層30b的堆疊。本文將第一發(fā)光裝置陣列10b與第一轉(zhuǎn)移襯底300b的組合稱為第一轉(zhuǎn)移組合件(300b、10b)，本文將第二發(fā)光裝置10g與第二轉(zhuǎn)移襯底300g的組合稱為第二轉(zhuǎn)移組合件(300g、10g)，且本文將第三發(fā)光裝置10r與第三轉(zhuǎn)移襯底300r的組合稱為第三轉(zhuǎn)移組合件(300r、10r)。另外，本文將傳感器裝置10s與第四轉(zhuǎn)移襯底300s的組合稱為第四轉(zhuǎn)移組合件(300s、10s)。參考圖5，可接合每一對(duì)第一載體襯底200與轉(zhuǎn)移襯底300(其可為第二載體襯底)。舉例來(lái)說(shuō)，第二接合材料層30b可與對(duì)應(yīng)第一載體襯底200上的相應(yīng)第一接合材料層30a接合以形成接合材料層30。每一經(jīng)接合組合件包括第一轉(zhuǎn)移襯底300、釋放層20、接合材料層30及裝置陣列10。參考圖6，舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)拋光、磨削、分裂及/或化學(xué)蝕刻從每一經(jīng)接合組合件(300、20、30、200)移除第一載體襯底200。每一裝置陣列20可安置在轉(zhuǎn)移襯底300上，襯底300是在其上具有釋放層20(即，在透明載體襯底與裝置陣列20之間)的透明載體襯底。參考圖7，相應(yīng)轉(zhuǎn)移襯底300上的每一裝置陣列10可經(jīng)布置使得每一裝置10由溝槽與相鄰裝置10橫向間隔開(kāi)。舉例來(lái)說(shuō)，第一轉(zhuǎn)移襯底300b上的第一發(fā)光裝置陣列10b可由溝槽與彼此橫向間隔開(kāi)。任選地，可施加第一光學(xué)保護(hù)材料層17b以填充第一發(fā)光裝置10b之中的間隙。類似地，可施加光學(xué)保護(hù)材料層以填充其它轉(zhuǎn)移襯底(300g、300r、300s)上的每一裝置陣列10之中的間隙。每一光學(xué)保護(hù)材料層包括以隨后采用的激光束的激光波長(zhǎng)吸收或散射光的材料。每一光學(xué)保護(hù)材料層可包含(例如)富含硅的氮化硅、有機(jī)或無(wú)機(jī)抗反射涂層(arc)材料或光致抗蝕劑材料。可形成每一光學(xué)保護(hù)材料層使得裝置10的外表面不被光學(xué)保護(hù)材料層覆蓋?？衫缤ㄟ^(guò)旋涂或沉積與凹槽蝕刻的組合形成光學(xué)保護(hù)材料層。包括轉(zhuǎn)移襯底300及裝置陣列10的每一組合件(300、20、30、10)可進(jìn)一步包括：釋放層20，其接觸相應(yīng)轉(zhuǎn)移襯底300且包括以從紫外范圍、可見(jiàn)范圍及紅外范圍選擇的波長(zhǎng)吸收光的材料；及接合材料層30，其接觸釋放層20及相應(yīng)裝置陣列10。參考圖8，提供背板襯底400。背板襯底400是各種裝置隨后可轉(zhuǎn)移到其上的襯底。在一個(gè)實(shí)施例中，背板襯底400可為硅、玻璃、塑料及/或可對(duì)隨后在其上轉(zhuǎn)移的裝置提供結(jié)構(gòu)支撐的至少另一材料的襯底。在一個(gè)實(shí)施例中，背板襯底400可為無(wú)源背板襯底，其中(例如，在十字柵格中)存在包括金屬化線的金屬互連結(jié)構(gòu)440且不存在有源裝置電路。在另一實(shí)施例中，背板襯底400可為有源背板襯底，其包含金屬互連結(jié)構(gòu)440作為導(dǎo)電線的十字柵格且在導(dǎo)電線的十字柵格的一或多個(gè)相交點(diǎn)處進(jìn)一步包含裝置電路。所述裝置電路可包括一或多個(gè)晶體管。參考圖9，形成包含階梯式水平面的背板401。如本文使用，“階梯式水平面”是指由階梯垂直間隔開(kāi)且連接的一組水平面。在一個(gè)實(shí)施例中，可通過(guò)將各種電介質(zhì)材料層410及嵌入于額外電介質(zhì)材料層410中的額外金屬互連結(jié)構(gòu)添加到背板襯底400形成階梯式水平面。在一個(gè)實(shí)施例中，各種電介質(zhì)材料層410可包括上覆電介質(zhì)材料基質(zhì)的上部電介質(zhì)材料層413的多個(gè)部分、插入于上部電介質(zhì)材料層413與電介質(zhì)材料基質(zhì)之間的中間電介質(zhì)材料層412的多個(gè)部分、及插入于中間電介質(zhì)材料層412與電介質(zhì)基質(zhì)之間的下部電介質(zhì)材料層411的多個(gè)部分。替代地，如在圖8的處理步驟處提供的背板襯底401的表面部分可凹進(jìn)到不同深度以形成包含階梯式水平面的背板401?？稍诒嘲?01的頂側(cè)處提供階梯式水平面。階梯式水平面的第一子集可定位于第一水平面平面hsp1內(nèi)，平面hsp1是含有背板401的最頂層水平面的水平平面。階梯式水平面的第二子集可定位于第二水平面平面hsp2內(nèi)，平面hsp2可比階梯式水平面的第一子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409。階梯式水平面的第三子集可定位于第三水平面平面hsp3內(nèi)，平面hsp3可比階梯式水平面的第二子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409。階梯式水平面的額外子集可定位于額外水平面平面hsp4內(nèi)，平面hsp4可比階梯式水平面的第三子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409。階梯式水平面的第一子集可形成于第一區(qū)域r1中，階梯式水平面的第二子集可形成于第二區(qū)域r2中，階梯式水平面的第三子集可形成于第三區(qū)域r3中，且階梯式水平面的額外子集可形成于第四區(qū)域r4中。第一區(qū)域r1包含隨后附接第一類型裝置(例如第一發(fā)光裝置10b)的位置。第二區(qū)域r2包含隨后附接第二類型裝置(例如第二發(fā)光裝置10g)的位置。第三區(qū)域r3包含隨后附接第三類型裝置(例如第三發(fā)光裝置10r)的位置。第四區(qū)域r4包含隨后附接第四類型裝置(例如傳感器裝置10s)的位置。在一個(gè)實(shí)施例中，上部電介質(zhì)材料層413的水平頂表面可構(gòu)成階梯式水平面的第一子集，中間電介質(zhì)材料層412的水平頂表面可構(gòu)成階梯式水平面的第二子集，下部電介質(zhì)材料層411的水平頂表面可構(gòu)成階梯式水平面的第三子集，且以物理方式暴露的背板襯底400的表面可構(gòu)成階梯式水平面的第四子集?？稍陔S后在其處接合裝置的每一位置處提供接合墊420。舉例來(lái)說(shuō)，接合墊420可形成于背板401的金屬互連結(jié)構(gòu)440的十字線的每一相交點(diǎn)處。接合墊420可包括包含金屬材料(例如sn、ausn、sac或其它可焊接金屬)的金屬墊。另外或替代地，接合墊420可包括cu或au或可通過(guò)熱壓工藝形成與另一金屬的接觸件的其它金屬。接合墊420可嵌入于背板401內(nèi)作為金屬互連結(jié)構(gòu)440的組件，或可形成于背板401的電介質(zhì)表面的頂部上。在一個(gè)實(shí)施例中，背板401上的接合墊420的中心到中心間隔可為相應(yīng)生長(zhǎng)襯底100、相應(yīng)第一載體襯底200或相應(yīng)轉(zhuǎn)移襯底300上的裝置10的中心到中心間隔的整數(shù)倍。在一個(gè)實(shí)施例中，背板401可包括嵌入于電介質(zhì)材料基質(zhì)內(nèi)的金屬互連結(jié)構(gòu)440。接合墊420電連接到背板440內(nèi)的相應(yīng)金屬互連結(jié)構(gòu)440。如本文使用，如果第一元件電短接到第二元件，那么第一元件“電連接到”第二元件。在一個(gè)實(shí)施例中，背板401上的接合墊420可經(jīng)配置以與裝置10(例如發(fā)光裝置)上的接觸墊對(duì)準(zhǔn)。可以群組提供一或多個(gè)接合墊401。舉例來(lái)說(shuō)，如果將轉(zhuǎn)移到背板401的裝置10包括多個(gè)發(fā)紅光二極管(led)、發(fā)綠光二極管及發(fā)藍(lán)光二極管，那么可存在經(jīng)布置與led上的接觸墊對(duì)準(zhǔn)的四個(gè)接合墊420組成的群組。舉例來(lái)說(shuō)，接合墊410的群組可包含紅色led的陽(yáng)極接觸件、藍(lán)色led的陽(yáng)極接觸件、綠色led的陽(yáng)極接觸件及陰極接觸件。舉例來(lái)說(shuō)，如果將轉(zhuǎn)移到背板401的裝置10包括單個(gè)led，那么可存在經(jīng)布置與led上的接觸墊對(duì)準(zhǔn)的兩個(gè)接合墊420組成的群組。參考圖10，任選地，可在背板401的側(cè)上形成包含光學(xué)保護(hù)材料的保護(hù)層422。保護(hù)層422包含以隨后采用的激光束的激光波長(zhǎng)吸收或散射光的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)層422可包含電介質(zhì)材料(例如富含硅的氮化硅)或抗反射涂層材料。保護(hù)層422的厚度可在從200nm到2微米的范圍內(nèi)，盡管也可采用更小及更大厚度。可形成保護(hù)層422使得隨后形成的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(即，接觸結(jié)構(gòu))可接觸接合墊420?？稍诒Ｗo(hù)層422中形成合適的開(kāi)口。在一個(gè)實(shí)施例中，可在相同的圖案化步驟中形成保護(hù)層422中的所有開(kāi)口。在另一實(shí)施例中，可循序地形成保護(hù)層422中的開(kāi)口，例如，在形成每一組導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)之前不久。參考圖11，可在定位于背板401的頂側(cè)上的階梯式水平面上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430可包含形成于第一區(qū)域r1中的階梯式水平面的第一子集上的第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b、形成于第二區(qū)域r2中的階梯式水平面的第二子集上的第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g、形成于第三區(qū)域r3中的階梯式水平面的第三子集上的第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r、及形成于第四區(qū)域r1中的階梯式水平面的第四子集上的額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s。第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b形成于希望在其處轉(zhuǎn)移第一發(fā)光裝置10b的位置處。第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g形成于希望在其處轉(zhuǎn)移第二發(fā)光裝置10g的位置處。第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r存在于希望在其處轉(zhuǎn)移第三發(fā)光裝置10r的位置處。額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s存在于希望在其處轉(zhuǎn)移傳感器裝置10s的位置處。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430中的每一者可包括可與背板401上提供的接合墊420接合的金屬堆疊。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430可包括銅及/或金，且接合墊可由sn形成。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430可包括au層，且接合墊420可由ausn或sn-ag-cu合金形成。在另一實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430可由銅形成，且接合墊可由銅形成。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430電連接到背板401內(nèi)的相應(yīng)金屬互連結(jié)構(gòu)440。一般來(lái)說(shuō)，出于本發(fā)明的目的可采用的各種導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可包含：(1)低導(dǎo)電材料(例如電附接到背板的電路的銅或鋁)；(2)一或多個(gè)薄粘合層，其覆蓋所述低導(dǎo)電材料并提供擴(kuò)散屏障(例如tipt層)；及(3)可焊接材料(例如純錫或銦或合金(例如ausn或sac))。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430可用于以電及機(jī)械方式接合待轉(zhuǎn)移到背板401的各種裝置。所述各種裝置可包含發(fā)光二極管(led)子像素、傳感器像素及其它電子元件?？稍诖瞬襟E處在一組階梯式水平面的其它水平面上形成額外接觸件，或可在后續(xù)處理步驟處形成額外接觸件?？稍诖怪逼频亩鄠€(gè)水平平面上形成各種導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(其包含導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430)。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于包括傳感器的三色rgb顯示器面板，可將各種導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)布置于四個(gè)不同水平平面中。在說(shuō)明性實(shí)例中，顯示器面板中的藍(lán)色子像素的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可定位于第一平面上，例如含有階梯式水平面的第一子集的第一水平面平面hsp1。全部綠色子像素的各種導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可定位于第二平面上，例如含有階梯式水平面的第二子集的第二水平面平面hsp2。第二平面可低于第一平面某一距離，例如2微米。全部紅色子像素的各種導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可定位于第三平面上，例如含有階梯式水平面的第三子集的第三水平面平面hsp3。第三平面可低于第一接觸平面例如4微米。全部傳感器子像素的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可形成于第四平面上，例如含有階梯式水平面的額外子集的額外水平面平面hsp1。第四平面可低于第一接觸平面例如6微米。可以相同方式形成顏色數(shù)目多于三種的顯示器面板，例如四色顯示器面板或五色顯示器面板。具有三種以上顏色的顯示器面板的優(yōu)點(diǎn)中的一者是：此顯示器面板可對(duì)不均勻或死像素更不敏感。第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g中的每一者可具有與第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b的任何實(shí)施例相同的材料堆疊(或相同的材料組成)。第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g電連接到背板401內(nèi)的相應(yīng)金屬互連結(jié)構(gòu)440。在一個(gè)實(shí)施例中，第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g可用于以電及機(jī)械方式接合待轉(zhuǎn)移到背板401的各種裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g可具有比第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b更大的高度。換句話來(lái)說(shuō)，第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b可具有比第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g更小的高度。第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r中的每一者可具有與第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b或第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g的任何實(shí)施例相同的材料堆疊(或相同的材料組成)。第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r電連接到背板401內(nèi)的相應(yīng)金屬互連結(jié)構(gòu)440。在一個(gè)實(shí)施例中，第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r可用于以電及機(jī)械方式接合待轉(zhuǎn)移到背板401的各種裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r可具有比第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g更大的高度。換句話來(lái)說(shuō)，第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g可具有比第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r更小的高度。額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s中的每一者可具有與第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b或第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g或第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r的任何實(shí)施例相同的材料堆疊(或相同的材料組成)。額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s電連接到背板401內(nèi)的相應(yīng)金屬互連結(jié)構(gòu)440。在一個(gè)實(shí)施例中，額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s可用于以電及機(jī)械方式接合轉(zhuǎn)移到背板401的各種裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s可具有比第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r更大的高度。換句話來(lái)說(shuō)，第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r可具有比額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s更小的高度。參考圖12，包括第一轉(zhuǎn)移襯底301b及發(fā)射第一波長(zhǎng)的光的第一發(fā)光裝置10b的組合件安置在背板401上，使得第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b接觸第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b且第一發(fā)光裝置10b的第二子集12b不接觸任何導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)。包括第一轉(zhuǎn)移襯底301b及第一發(fā)光裝置10b的組合件經(jīng)對(duì)準(zhǔn)到背板401，使得第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b的接觸墊(未展示)接觸相應(yīng)第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b。具體來(lái)說(shuō)，第一發(fā)光裝置陣列10b可在背板401之上對(duì)準(zhǔn)，使得每一接合墊420及上覆第一發(fā)光裝置10b的對(duì)應(yīng)接觸墊接觸定位于其間的第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b。第一轉(zhuǎn)移襯底301b上的第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b接合到定位于背板401的階梯式水平面的第一子集上的第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b。在一個(gè)實(shí)施例中，接合墊420可為可焊接接合墊，且可對(duì)背板401及第一轉(zhuǎn)移襯底301b應(yīng)用熱循環(huán)使得焊接材料回流且接合墊420附接到第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b。在一個(gè)實(shí)施例中，接合墊420可為冷接合接合墊，且第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b可為金屬凸塊，例如cu凸塊。在此情況中，施加機(jī)械力使得每一接合墊420及對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b彼此緊密配合。任選地，可使第一轉(zhuǎn)移襯底301b在與背板401對(duì)準(zhǔn)之前薄化到小于100微米的厚度。參考圖13，接合到第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b的每一第一發(fā)光裝置10b可個(gè)別地與第一轉(zhuǎn)移襯底301b分離，而未接合到第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b的第一發(fā)光裝置10b仍原封不動(dòng)，即，不脫離。接合到第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b的一組第一發(fā)光裝置10b是第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b，且未接合到第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b的一組第一發(fā)光裝置10b是第一發(fā)光裝置10b的第二子集12b?？刹捎糜杉す馄?77發(fā)射的定向激光輻射使第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b之中的每一第一發(fā)光裝置10b脫離。選擇釋放層20的材料使得激光束由釋放層20吸收?？蛇x擇激光束的大小或(如果激光束被光柵化)激光束的光柵區(qū)域的大小以基本上匹配單個(gè)第一發(fā)光裝置10b的面積。第一光學(xué)保護(hù)材料層17b(如果存在)可吸收或反射激光束中并行照射于其上的部分。在一個(gè)實(shí)施例中，可燒蝕釋放層20的經(jīng)輻射部分。此外，可并行燒蝕接合材料層30中下伏釋放層20的經(jīng)燒蝕部分的部分，或所述部分在激光輻射期間在結(jié)構(gòu)上受損。釋放層20中上覆第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b的每一部分循序地由激光束輻射，即，一次一個(gè)。釋放層20中由激光束輻射的部分統(tǒng)稱為釋放層20的第一部分，而釋放層20中未由激光束輻射的部分統(tǒng)稱為釋放層20的第二部分。選擇性地且循序地移除釋放層20中上覆第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b的第一部分，而不移除釋放層20中上覆第一發(fā)光裝置10b的第二子集12b的部分。第一轉(zhuǎn)移襯底301b包括在激光波長(zhǎng)下光學(xué)透明的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，釋放層20可包括氮化硅，激光波長(zhǎng)可為紫外波長(zhǎng)(例如248nm或193nm)，且使用激光束輻射釋放層20的第一部分會(huì)燒蝕釋放層20的第一部分。本文將選擇性地移除釋放層20的第一部分而不移除釋放層20的第二部分的工藝稱為區(qū)域選擇性激光剝離工藝或裸片選擇性激光剝離工藝?？蛇x擇激光束的激光輻射的區(qū)域的大小(即，光點(diǎn)大小)使得激光輻射的面積稍微大于每一第一發(fā)光裝置10b的面積(或在同時(shí)轉(zhuǎn)移多個(gè)第一發(fā)光裝置10b的情況中，稍微大于多個(gè)第一發(fā)光裝置的面積)。通過(guò)選擇性激光剝離工藝僅處理第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b，即，第一發(fā)光裝置10b中使其相應(yīng)導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)430b接合到下伏接合墊420的子集(或第一發(fā)光裝置10b的群組)。操縱激光束使其遠(yuǎn)離第一發(fā)光裝置10b中未接合到背板401的第二子集12b。參考圖14，在移除釋放層20中上覆第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b的所有第一部分之后，可通過(guò)將第一轉(zhuǎn)移襯底301b及/或背板401拉離彼此而使第一轉(zhuǎn)移襯底301b與背板401分離。在一個(gè)實(shí)施例中，接合材料層30的剩余部分30f可在使用激光束輻射釋放層20的第一部分之后形成于第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b中的至少一者上。在另一實(shí)施例中，接合材料層30中在釋放層20的經(jīng)輻射部分下方的部分可被燒蝕或液化，且例如沿著下伏第一發(fā)光裝置10b的側(cè)壁流出。如果接合材料層30的任何部分仍在釋放層20的經(jīng)輻射部分下方，那么此部分的外圍可斷裂，同時(shí)包括第一轉(zhuǎn)移襯底301b及第一發(fā)光裝置10b的第二子集12b的組合件與背板401分離?？蓤?zhí)行包括第一轉(zhuǎn)移襯底301b及第一發(fā)光裝置10b的第二子集12b的組合件與背板401的分離，同時(shí)第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b仍接合到第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b。第一發(fā)光裝置10b的第二子集12b可隨后用于將第一發(fā)光裝置10b的另一子集轉(zhuǎn)移到另一背板(未展示)。第二轉(zhuǎn)移襯底300g上的第二發(fā)光裝置10g(參見(jiàn)圖6)可類似地用于將第二發(fā)光裝置10g的子集轉(zhuǎn)移到又一背板(未展示)。第三轉(zhuǎn)移襯底300r上的第三發(fā)光裝置10r(參見(jiàn)圖6)可類似地用于將第三發(fā)光裝置10r的子集轉(zhuǎn)移到又一背板(未展示)。額外轉(zhuǎn)移襯底300s上的傳感器裝置10s(參見(jiàn)圖6)可類似地將傳感器裝置10s的子集轉(zhuǎn)移到甚至另一背板(未展示)。任選地，可執(zhí)行濕式化學(xué)清潔工藝以從背板401及其上的第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b移除殘留材料。舉例來(lái)說(shuō)，可采用稀釋氫氟酸從背板401及第一發(fā)光裝置10b的第一子集11b的表面移除殘留材料。參考圖15，提供包括第二轉(zhuǎn)移襯底301g及發(fā)射第二波長(zhǎng)的光的第二發(fā)光裝置10g的組合件。第二波長(zhǎng)不同于第一波長(zhǎng)。舉例來(lái)說(shuō)，第一波長(zhǎng)可為藍(lán)光的波長(zhǎng)，且第二波長(zhǎng)可為綠光的波長(zhǎng)。在第二發(fā)光裝置10g面向背板401的頂側(cè)的配置中，在對(duì)應(yīng)于背板401之上的在其處存在第一發(fā)光裝置10b的第一子集的位置的位置中不存在第二發(fā)光裝置10g。換句話來(lái)說(shuō)，在第二發(fā)光裝置10g面朝下且背板401上的第一發(fā)光裝置10b的第一子集面朝上的配置中，在與第一發(fā)光裝置10b的第一子集的區(qū)域重疊的區(qū)域中不存在第二發(fā)光裝置10g。在一個(gè)實(shí)施例中，可在第二轉(zhuǎn)移襯底301g與背板401對(duì)準(zhǔn)以轉(zhuǎn)移第二發(fā)光裝置10g的子集之前，從第二轉(zhuǎn)移襯底301g移除定位于將與背板401上預(yù)先存在的第一裝置10b重疊的位置中的任何第二發(fā)光裝置10g。任選地，可在從重疊位置移除第二發(fā)光裝置10g的子集之前，施加第二光學(xué)保護(hù)材料層17g以填充第二發(fā)光裝置10g之中的間隙。第二光學(xué)保護(hù)材料層17g可具有與第一光學(xué)保護(hù)材料層17b相同的組成。通過(guò)確保在對(duì)應(yīng)于背板401之上的在其處存在第一發(fā)光裝置10b的第一子集的位置的位置中不存在第二發(fā)光裝置10g，可隨后在將第二轉(zhuǎn)移襯底301g安置在背板401上以接合第二發(fā)光裝置10g的子集時(shí)避免第二發(fā)光裝置10g與第一發(fā)光裝置10b的第一子集之間的潛在碰撞。在將第二轉(zhuǎn)移襯底301g與第二發(fā)光裝置10g的組合件對(duì)準(zhǔn)到背板401之后，將第二轉(zhuǎn)移襯底301g與第二發(fā)光裝置10g的組合件安置在背板401上，使得第二發(fā)光裝置10g的第一子集接觸第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g且第二發(fā)光裝置10g的第二子集不接觸任何導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)。第二發(fā)光裝置10g的第一子集的接觸墊(未展示)接觸相應(yīng)第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g。具體來(lái)說(shuō)，第二發(fā)光裝置陣列10g可在背板401之上對(duì)準(zhǔn)，使得每一接合墊420及上覆第二發(fā)光裝置10g的對(duì)應(yīng)接觸墊接觸定位于其間的第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g。在希望在其處轉(zhuǎn)移第二發(fā)光裝置10g的位置處存在第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g。第二轉(zhuǎn)移襯底301g上的第二發(fā)光裝置10g的第一子集接合到定位于背板401的階梯式水平面的第二子集上的第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g。可采用上文描述的接合方法中的任何者(即，可用于通過(guò)相應(yīng)第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b接合接合墊420與第一發(fā)光裝置10b的第一子集上的上覆接觸墊的對(duì)的接合方法)通過(guò)相應(yīng)第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g接合接合墊420與第二發(fā)光裝置10g的第一子集上的上覆接觸墊的每一對(duì)。隨后，可使接合到第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g的每一第二發(fā)光裝置10g個(gè)別地與第二轉(zhuǎn)移襯底301g分離，而未接合到第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g的第二發(fā)光裝置10g仍原封不動(dòng)，即，不脫離。接合到第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g的一組第二發(fā)光裝置10g是第二發(fā)光裝置10g的第一子集，且未接合到第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g的一組第二發(fā)光裝置10g是第二發(fā)光裝置10g的第二子集?？梢耘c在先前處理步驟中用于使第一發(fā)光裝置10b的第一子集脫離相同的方式，采用由激光器477發(fā)射的定向激光輻射使第二發(fā)光裝置10g的第一子集之中的每一第二發(fā)光裝置10g脫離。因此，選擇性地且循序地移除釋放層20中上覆第二發(fā)光裝置10g的第一子集的第一部分，而不移除釋放層20中上覆第二發(fā)光裝置10g的第二子集的第二部分。第二轉(zhuǎn)移襯底301g包括在激光波長(zhǎng)下光學(xué)透明的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，釋放層20可包括氮化硅，激光波長(zhǎng)可為紫外波長(zhǎng)(例如248nm或193nm)，且使用激光束輻射釋放層20的第一部分會(huì)燒蝕釋放層20的第一部分。參考圖17，在移除釋放層20中上覆第二發(fā)光裝置10g的第一子集的所有第一部分之后，可通過(guò)將第二轉(zhuǎn)移襯底301g及/或背板401拉離彼此而使第二轉(zhuǎn)移襯底301g與背板401分離。在一個(gè)實(shí)施例中，接合材料層30的剩余部分30f可在使用激光束輻射釋放層20的第一部分之后形成于第二發(fā)光裝置10g的第一子集中的至少一者上。在另一實(shí)施例中，接合材料層30中在釋放層20的經(jīng)輻射部分下方的部分可被燒蝕或液化，且例如沿著下伏第二發(fā)光裝置10g的側(cè)壁流出。如果接合材料層30的任何部分仍在釋放層20的經(jīng)輻射部分下方，那么此部分的外圍可斷裂，同時(shí)包括第二轉(zhuǎn)移襯底301g及第二發(fā)光裝置10g的第二子集的組合件與背板401分離?？蓤?zhí)行包括第二轉(zhuǎn)移襯底301g及第二發(fā)光裝置10g的第二子集的組合件與背板401的分離，同時(shí)第二發(fā)光裝置10g的第一子集仍接合到第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g。第一發(fā)光裝置10g的第二子集可隨后用于將第二發(fā)光裝置10g的另一子集轉(zhuǎn)移到另一背板(未展示)。任選地，可執(zhí)行濕式化學(xué)清潔過(guò)程以從背板401及第一發(fā)光裝置10b的第一子集及第二發(fā)光裝置10g的第一子集移除殘留材料。舉例來(lái)說(shuō)，可采用稀釋氫氟酸從背板401、第一發(fā)光裝置10b的第一子集及第二發(fā)光裝置10g的第一子集的表面移除殘留材料。參考圖18，提供包括第三轉(zhuǎn)移襯底301r及發(fā)射第三波長(zhǎng)的光的第三發(fā)光裝置10r的組合件。第三波長(zhǎng)不同于第一波長(zhǎng)及第二波長(zhǎng)。舉例來(lái)說(shuō)，第一波長(zhǎng)可為藍(lán)光的波長(zhǎng)，第二波長(zhǎng)可為綠光的波長(zhǎng)，且第三波長(zhǎng)可為紅光的波長(zhǎng)。在第三發(fā)光裝置10r面向背板401的頂側(cè)的配置中，在對(duì)應(yīng)于背板401之上的在其處存在第一發(fā)光裝置10b的第一子集或第二發(fā)光裝置10g的第一子集的位置的位置中不存在第三發(fā)光裝置10r。換句話來(lái)說(shuō)，在第三發(fā)光裝置10r面朝下且背板401上的第一發(fā)光裝置10b的第一子集及第二發(fā)光裝置10g的第一子集面朝上的配置中，在與第一發(fā)光裝置10b的第一子集或第二發(fā)光裝置10g的第一子集的區(qū)域重疊的區(qū)域中不存在第三發(fā)光裝置10r。在一個(gè)實(shí)施例中，可在第三轉(zhuǎn)移襯底301r與背板401對(duì)準(zhǔn)以轉(zhuǎn)移第三發(fā)光裝置10r的子集之前，從第三轉(zhuǎn)移襯底301r移除定位于將與背板401上預(yù)先存在的裝置(10b、10g)重疊的位置中的任何第三發(fā)光裝置10r。任選地，可在從重疊位置移除第三發(fā)光裝置10r的子集之前，施加第三光學(xué)保護(hù)材料層17r以填充第三發(fā)光裝置10r之中的間隙。第三光學(xué)保護(hù)材料層17r可具有與第一光學(xué)保護(hù)材料層17b相同的組成。通過(guò)確保在對(duì)應(yīng)于背板401之上的在其處存在第一發(fā)光裝置10b的第一子集及第二發(fā)光裝置10g的第一子集的位置的位置中不存在第三發(fā)光裝置10r，可隨后在將第三轉(zhuǎn)移襯底301r安置在背板401上以接合第三發(fā)光裝置10r的子集時(shí)避免第三發(fā)光裝置10r與第一發(fā)光裝置10b的第一子集之間或第三發(fā)光裝置10r與第二發(fā)光裝置10g的第一子集之間的潛在碰撞。在將第三轉(zhuǎn)移襯底301r與第三發(fā)光裝置10r的組合件對(duì)準(zhǔn)到背板401之后，將第三轉(zhuǎn)移襯底301r與第三發(fā)光裝置10r的組合件安置在背板401上，使得第三發(fā)光裝置10r的第一子集接觸第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r且第三發(fā)光裝置10r的第二子集不接觸任何導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)。第三發(fā)光裝置10r的第一子集的接觸墊(未展示)接觸相應(yīng)第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r。具體來(lái)說(shuō)，第三發(fā)光裝置陣列10r可在背板401之上對(duì)準(zhǔn)，使得每一接合墊420及上覆第三發(fā)光裝置10r的對(duì)應(yīng)接觸墊接觸定位于其間的第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r。僅在希望在其處轉(zhuǎn)移第三發(fā)光裝置10r的位置處存在第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r。第三轉(zhuǎn)移襯底301r上的第三發(fā)光裝置10r的第一子集接合到定位于背板401的階梯式水平面的第三子集上的第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r?？刹捎蒙衔拿枋龅慕雍戏椒ㄖ械娜魏握?，(即，可用于通過(guò)相應(yīng)第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b接合第一發(fā)光裝置10b的第一子集上的接合墊420與上覆接觸墊對(duì)的接合方法)通過(guò)相應(yīng)第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r接合接合墊420與第一發(fā)光裝置10r的第一子集上的上覆接觸墊的對(duì)。隨后，可使接合到第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r的每一第三發(fā)光裝置10r個(gè)別地與第三轉(zhuǎn)移襯底301r分離，而未接合到第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r的第三發(fā)光裝置10r仍原封不動(dòng)，即，不脫離。接合到第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r的一組第三發(fā)光裝置10r是第三發(fā)光裝置10r的第一子集，且未接合到第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r的一組第三發(fā)光裝置10r是第三發(fā)光裝置10r的第二子集?？梢耘c在先前處理步驟中用于使第一發(fā)光裝置10b的第一子集脫離相同的方式，采用由激光器477發(fā)射的定向激光輻射使第三發(fā)光裝置10r的第一子集之中的每一第三發(fā)光裝置10r脫離。因此，選擇性地且循序地移除釋放層20中上覆第三發(fā)光裝置10r的第一子集的第一部分，而不移除釋放層20中上覆第三發(fā)光裝置10r的第二子集的第二部分。第三轉(zhuǎn)移襯底301r包括在激光波長(zhǎng)下光學(xué)透明的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，釋放層20可包括氮化硅，激光波長(zhǎng)可為紫外波長(zhǎng)(例如248nm或193nm)，且使用激光束輻射釋放層20的第一部分會(huì)燒蝕釋放層20的第一部分。參考圖19，在移除釋放層20中上覆第三發(fā)光裝置10r的第一子集的所有第一部分之后，可通過(guò)將第三轉(zhuǎn)移襯底301r及/或背板401拉離彼此而使第三轉(zhuǎn)移襯底301r與背板401分離。在一個(gè)實(shí)施例中，接合材料層30的剩余部分30f可在使用激光束輻射釋放層20的第一部分之后形成于第三發(fā)光裝置10r的第一子集中的至少一者上。在另一實(shí)施例中，接合材料層30中在釋放層20的經(jīng)輻射部分下方的部分可被燒蝕或液化，且例如沿著下伏第三發(fā)光裝置10r的側(cè)壁流出。如果接合材料層30的任何部分仍在釋放層20的經(jīng)輻射部分下方，那么此部分的外圍可斷裂，同時(shí)包括第三轉(zhuǎn)移襯底301r及第三發(fā)光裝置10r的第二子集的組合件與背板401分離?？蓤?zhí)行包括第三轉(zhuǎn)移襯底301r及第三發(fā)光裝置10r的第二子集的組合件與背板401的分離，同時(shí)第三發(fā)光裝置10r的第一子集仍接合到第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r。第三發(fā)光裝置10r的第二子集可隨后用于將第三發(fā)光裝置10r的另一子集轉(zhuǎn)移到另一背板(未展示)。任選地，可執(zhí)行濕式化學(xué)清潔過(guò)程以從背板401、第一發(fā)光裝置10b的第一子集、第二發(fā)光裝置10g的第一子集及第三發(fā)光裝置10r的第一子集移除殘留材料。舉例來(lái)說(shuō)，可采用稀釋氫氟酸從背板401、第一發(fā)光裝置10b的第一子集、第二發(fā)光裝置10g的第一子集及第三發(fā)光裝置10r的第一子集的表面移除殘留材料。應(yīng)理解，可改變接合各種裝置的順序以實(shí)現(xiàn)接合具有不同高度及相同水平間距(即，沿著兩個(gè)水平方向具有相同周期性)的多種類型的裝置。一般來(lái)說(shuō)，可選擇接合不同裝置10的序列及相應(yīng)導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)的高度以避免背板401上預(yù)先存在的經(jīng)接合裝置與待接合的新裝置之間的碰撞。包含裝置與安置在背板410之上的轉(zhuǎn)移襯底的接合材料之間的界面的水平平面定位于背板401上預(yù)先存在的裝置的最頂層表面的上方。參考圖20，提供包括額外轉(zhuǎn)移襯底301s及感測(cè)至少一個(gè)參數(shù)的傳感器裝置的組合件。所述至少一個(gè)參數(shù)可為亮度、壓力、溫度及/或另一物理參數(shù)。在傳感器裝置10s面向背板401的頂側(cè)的配置中，在對(duì)應(yīng)于背板401之上的在其處存在第一發(fā)光裝置10b的第一子集、第二發(fā)光裝置10g的第一子集或第三發(fā)光裝置10r的第一子集的位置的位置中不存在傳感器裝置10s。換句話來(lái)說(shuō)，在傳感器裝置10s面朝下且背板401上的第一發(fā)光裝置10b的第一子集、第二發(fā)光裝置10g的第一子集及第三發(fā)光裝置10r的第一子集面朝上的配置中，在與第一發(fā)光裝置10b的第一子集、第二發(fā)光裝置10g的第一子集或第三發(fā)光裝置10r的第一子集的區(qū)域重疊的區(qū)域中不存在傳感器裝置10s。在一個(gè)實(shí)施例中，可在額外轉(zhuǎn)移襯底301s與背板401對(duì)準(zhǔn)以轉(zhuǎn)移傳感器裝置10s的子集之前，從額外轉(zhuǎn)移301s襯底移除定位于將與背板401上預(yù)先存在的裝置(10b、10g、10r)重疊的位置中的任何傳感器裝置10s。任選地，可在從重疊位置移除傳感器裝置10s的子集之前，施加第四光學(xué)保護(hù)材料層17s以填充傳感器裝置10s之中的間隙。第四光學(xué)保護(hù)材料層17s可具有與第一光學(xué)保護(hù)材料層17b相同的組成。通過(guò)確保在對(duì)應(yīng)于背板401之上的在其處存在第一發(fā)光裝置10b的第一子集、第二發(fā)光裝置10g的第一子集、及第三發(fā)光裝置10r的第一子集的位置的位置中不存在傳感器裝置10s，可隨后在將額外轉(zhuǎn)移襯底301s安置在背板401上以接合傳感器裝置10s的子集時(shí)避免傳感器裝置10s與發(fā)光裝置(10b、10g、10r)之間的潛在碰撞。在將額外轉(zhuǎn)移襯底301r與傳感器裝置10s的組合件對(duì)準(zhǔn)到背板401之后，將額外轉(zhuǎn)移襯底301s與傳感器裝置10s的組合件安置在背板401上，使得傳感器裝置10s的第一子集接觸額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s且傳感器裝置10s的第二子集不接觸任何導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)。傳感器裝置10s的第一子集的接觸墊(未展示)接觸相應(yīng)額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s。具體來(lái)說(shuō)，傳感器裝置陣列10s可在背板401之上對(duì)準(zhǔn)，使得每一接合墊420及上覆傳感器裝置10s的對(duì)應(yīng)接觸墊接觸定位于其間的額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s。僅在希望在其處轉(zhuǎn)移傳感器裝置10s的位置處存在額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s。額外轉(zhuǎn)移襯底301s上的傳感器裝置10s的第一子集接合到定位于背板401的階梯式水平面的第四子集上的額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s。可采用上文描述的接合方法中的任何者(即，可用于通過(guò)相應(yīng)第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b接合接合墊420與第一發(fā)光裝置10b的第一子集上的上覆接觸墊對(duì)的接合方法)通過(guò)相應(yīng)額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s接合每一對(duì)接合墊420與傳感器裝置10s的第一子集上的上覆接觸墊。隨后，可使接合到額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s的每一傳感器裝置10s個(gè)別地與額外轉(zhuǎn)移襯底301g分離，而未接合到額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s的傳感器裝置10s仍原封不動(dòng)，即，不脫離。接合到額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g的一組傳感器裝置10s是傳感器裝置10s的第一子集，且未接合到第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g的一組傳感器裝置10s是傳感器裝置10s的第二子集?？梢耘c在先前處理步驟中用于使第一發(fā)光裝置10b的第一子集脫離相同的方式，采用由激光器477發(fā)射的定向激光輻射使傳感器裝置10s的第一子集之中的每一傳感器裝置10s脫離。因此，選擇性地且循序地移除釋放層20中上覆傳感器裝置10s的第一子集的第一部分，而不移除釋放層20中上覆傳感器裝置10s的第二子集的第二部分。額外轉(zhuǎn)移襯底301s包括在激光波長(zhǎng)下光學(xué)透明的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，釋放層20可包括氮化硅，激光波長(zhǎng)可為紫外波長(zhǎng)(例如248nm或193nm)，且使用激光束輻射釋放層20的第一部分會(huì)燒蝕釋放層20的第一部分。參考圖21，在移除釋放層20中上覆傳感器裝置10s的第一子集的所有第一部分之后，可通過(guò)將額外轉(zhuǎn)移襯底301s及/或背板401拉離彼此而使額外轉(zhuǎn)移襯底301s與背板401分離。在一個(gè)實(shí)施例中，接合材料層30的剩余部分30f可在使用激光束輻射釋放層20的第一部分之后形成于傳感器裝置10s的第一子集中的至少一者上。在另一實(shí)施例中，接合材料層30中在釋放層20的經(jīng)輻射部分下方的部分可被燒蝕或液化，且例如沿著下伏傳感器裝置10s的側(cè)壁流出。如果接合材料層30的任何部分仍在釋放層20的經(jīng)輻射部分下方，那么此部分的外圍可斷裂，同時(shí)包括額外轉(zhuǎn)移襯底301s及傳感器裝置10s的第二子集的組合件與背板401分離?？蓤?zhí)行包括額外轉(zhuǎn)移襯底301s及傳感器裝置10s的第二子集的組合件與背板401的分離，同時(shí)傳感器裝置10s的第一子集仍接合到額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s。傳感器裝置10s的第二子集可隨后用于將傳感器裝置10s的另一子集轉(zhuǎn)移到另一背板(未展示)。任選地，可執(zhí)行濕式化學(xué)清潔過(guò)程以從背板401、第一發(fā)光裝置10b的第一子集、第二發(fā)光裝置10g的第一子集、第三發(fā)光裝置10r的第一子集及傳感器裝置10s的第一子集移除殘留材料。舉例來(lái)說(shuō)，可采用稀釋氫氟酸從背板401、第一發(fā)光裝置10b的第一子集、第二發(fā)光裝置10g的第一子集、第三發(fā)光裝置10r的第一子集及傳感器裝置10s的第一子集的表面移除殘留材料。參考圖22，電子組件(發(fā)光裝置子像素、傳感器或其它組件)可由透明囊封材料囊封。所述透明囊封材料增加光從發(fā)光裝置子像素的提取，借此增加由顯示器面板發(fā)射的光量。所述透明囊封材料可提供具有較小峰谷高度變化的顯示器面板的頂表面。可將透明材料安置在背板401上以形成透明囊封電介質(zhì)層470。囊封劑可為一系列材料中的任何者，例如電介質(zhì)樹(shù)脂(例如苯并環(huán)丁烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯并惡唑或聚酰亞胺)、硅酮、電介質(zhì)(例如tio2或sio2)或低熔點(diǎn)玻璃或旋涂玻璃。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)的厚度及/或電子組件(發(fā)光裝置、傳感器或其它電子元件)的厚度可針對(duì)組件的分組中的每一者而不同。在包括傳感器的三色rgb顯示器面板的說(shuō)明性實(shí)例中，第一發(fā)光裝置10b可為發(fā)藍(lán)光裝置，第二發(fā)光裝置可為發(fā)綠光裝置，且第三發(fā)光裝置可為發(fā)紅光裝置。發(fā)藍(lán)光裝置可具有6微米的厚度，且背板襯底與發(fā)藍(lán)光裝置之間的第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b可為約2微米厚。發(fā)綠光裝置可具有7微米的厚度，且背板襯底與發(fā)綠光裝置之間的第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g可為4微米厚。發(fā)紅光裝置可具有8微米的厚度，且背板襯底與發(fā)紅光裝置之間的第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r可為5微米厚。傳感器裝置10s可具有8微米的厚度，且背板襯底與傳感器之間的額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s可為7微米厚。在此實(shí)例中，對(duì)于發(fā)藍(lán)光裝置、發(fā)綠光裝置、發(fā)紅光裝置及傳感器，背板襯底的面上方的電子組件的遠(yuǎn)端面(距背板430最遠(yuǎn)的發(fā)光裝置或傳感器的面)的高度分別可為8微米、11微米、13微米及15微米。在顯示器面板中，電子組件(發(fā)光裝置、傳感器等等)的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)的厚度可不同，或電子組件(發(fā)光裝置、傳感器等等)的厚度可不同，或其組合，如上文實(shí)例中所描述。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)可經(jīng)配置以與附裝到背板401的每一元件進(jìn)行一或多個(gè)電接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，可通過(guò)兩個(gè)導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)將發(fā)綠光裝置子像素附裝到背板襯底。第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)將發(fā)綠光裝置的陰極連接到背板430中的電子電路，且第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)將發(fā)光裝置的陽(yáng)極連接到背板401中的電子電路。在一個(gè)實(shí)施例中，第一及第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可定位于不同水平平面上。舉例來(lái)說(shuō)，陽(yáng)極接觸平面可比陰極接觸平面高0.5微米。在一個(gè)實(shí)施例中，第一及第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可為不同厚度。舉例來(lái)說(shuō)，陽(yáng)極接合結(jié)構(gòu)厚度可比陰極接合結(jié)構(gòu)厚0.5um。在另一實(shí)施例中，可通過(guò)一個(gè)導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(其可為陽(yáng)極接合結(jié)構(gòu)或陰極接合結(jié)構(gòu))將發(fā)藍(lán)光裝置子像素附裝到背板430。在另一實(shí)施例中，可通過(guò)兩個(gè)導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)將硅光電檢測(cè)器裝置附裝到背板401。在另一實(shí)施例中，可通過(guò)六個(gè)導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)將三個(gè)硅光電檢測(cè)器的陣列附裝到背板401。在另一實(shí)施例中，可通過(guò)一個(gè)導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(其可為陽(yáng)極或陰極接合結(jié)構(gòu)或陰極接合結(jié)構(gòu))將硅光電檢測(cè)器裝置附裝到背板430。在一個(gè)實(shí)施例中，可鄰近經(jīng)配置以發(fā)射綠光的發(fā)光裝置及鄰近經(jīng)配置以發(fā)射紅光的發(fā)光裝置形成經(jīng)配置以發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，可在背板401與電子組件之間提供到附裝到背板401的電子裝置的所有接觸件，且透明囊封電介質(zhì)層470可具有單個(gè)頂表面(即，被平面化)。在另一實(shí)施例中，透明囊封電介質(zhì)層470可形成為微透鏡陣列，例如在每一電子組件之上具有半球形表面。電組件(發(fā)光裝置子像素、傳感器或其它組件)與背板401之間的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可包括ag、al、au、in、sn、cu、ni、bi、sb。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可包括包含多種金屬或金屬合金的多個(gè)層。不同裝置分組的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可包括不同金屬或金屬合金。舉例來(lái)說(shuō)，將發(fā)藍(lán)光裝置附裝到背板401的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可包括ausn，將發(fā)綠光裝置附裝到背板401的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可包括nisn，且將發(fā)紅光裝置附裝到背板襯底的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可包括insn。圖22的示范性結(jié)構(gòu)是包括在頂側(cè)處具有階梯式水平面的背板401的第一示范性發(fā)光裝置組合件。階梯式水平面包括定位于第一水平面平面hsp1內(nèi)的階梯式水平面的第一子集、定位于比階梯式水平面的第一子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409的第二水平面平面hsp2內(nèi)的階梯式水平面的第二子集、定位于比階梯式水平面的第二子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409的第三水平面平面hsp3內(nèi)的階梯式水平面的第三子集、及定位于比階梯式水平面的第三子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409的第四水平面平面hsp4內(nèi)的階梯式水平面的第四子集。每一連續(xù)平面之間的每一階梯的高度可在從0微米到3微米的范圍內(nèi)(例如，在從0.2微米到2微米的范圍內(nèi))。有限階梯高度的存在或缺少取決于用于選擇性地附接發(fā)光裝置(或傳感器裝置)的方法，其取決于用于實(shí)施本發(fā)明的方法的實(shí)施例。換句話來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施例中可能不存在階梯，且在此類情況中全部水平面平面(hsp1、hsp2、hsp3、hsp4)都可定位于相同的水平平面內(nèi)。階梯的存在促進(jìn)各種電子組件(例如發(fā)光裝置(10b、10g、10r)及傳感器裝置10s)的最頂層表面的形成形成有比使用其它方式更小的高度差。集成發(fā)光裝置組合件進(jìn)一步包括定位于背板401的階梯式水平面上的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)可包括接觸階梯式水平面的第一子集的第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b、接觸階梯式水平面的第二子集的第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g、接觸階梯式水平面的第三子集的第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r、及接觸階梯式水平面的第四子集的額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s。集成發(fā)光裝置組合件可進(jìn)一步包括接合到相應(yīng)導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)的發(fā)光裝置(10b、10g、10r)。發(fā)光裝置(10b、10g、10r)包括發(fā)射第一波長(zhǎng)的光且上覆階梯式水平面的第一子集的第一發(fā)光裝置10b、發(fā)射第二波長(zhǎng)的光且上覆階梯式水平面的第二子集的第二發(fā)光裝置10g、及發(fā)射第三波長(zhǎng)的光且上覆階梯式水平面的第三子集的第三發(fā)光裝置10r。集成發(fā)光裝置組合件可進(jìn)一步包括通過(guò)第四導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s接合到背板410的傳感器裝置10s。傳感器裝置10s可上覆階梯式水平面的第四子集。各種經(jīng)接合組件(10b、10g、10r、10s)的位置、各種導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)的高度與各種階梯式水平面的高度可經(jīng)組合使得如接合到背板401的經(jīng)接合組件(10b、10g、10r、10s)的最頂層表面之中的高度差可小于各種經(jīng)接合組件(10b、10g、10r、10s)之中的高度差。在一個(gè)實(shí)施例中，包含第一發(fā)光裝置10b與第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)403b之間的界面的第一水平界面平面hip1可能比第二發(fā)光裝置10g與第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g之間的第二水平界面平面hip2距第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))距第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))更遠(yuǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，各種導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)可具有不同的高度以減小經(jīng)接合組件(10b、10g、10r、10s)的最頂層表面之中的高度差。在一個(gè)實(shí)施例中，第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g可具有比第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b更大的高度。第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r可具有比第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g更大的高度。額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s可具有比第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r更大的高度。各種導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)之中的高度差可為任選的，條件是各種經(jīng)接合組件(10b、10g、10r、10s)之中的固有高度差、背板401的階梯式水平面之中的階梯高度差與各種經(jīng)接合組件(10b、10g、10r、10s)的位置可經(jīng)組合以防止各種轉(zhuǎn)移襯底(300b、300g、300r、300s)的循序接合之中的碰撞。在一個(gè)實(shí)施例中，包含第一發(fā)光裝置10b的頂表面的第一水平頂平面htp1可比包含第二發(fā)光裝置10g的頂表面的第二水平頂平面htp2接近第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))更接近第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))。包含第二發(fā)光裝置10g的頂表面的第二水平頂平面htp2可比包含第三發(fā)光裝置10r的頂表面的第三水平頂平面htp3接近第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))更接近第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))。包含第三發(fā)光裝置10r的頂表面的第三水平頂平面htp3可比包含傳感器裝置10s的頂表面的第四水平頂平面htp4接近第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))更接近第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))。在一個(gè)實(shí)施例中，第二發(fā)光裝置10g可具有比第一發(fā)光裝置10b更大的高度，第三發(fā)光裝置10r可具有比第二發(fā)光裝置10g更大的高度，且傳感器裝置10s可具有比第三發(fā)光裝置10r更大的高度。在一個(gè)實(shí)施例中，背板401包括嵌入于電介質(zhì)材料基質(zhì)內(nèi)的金屬互連結(jié)構(gòu)440。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)電連接到背板401內(nèi)的相應(yīng)金屬互連結(jié)構(gòu)440。金屬互連結(jié)構(gòu)440可包括定位于背板410上或嵌入于背板410內(nèi)的接合墊420。接合墊420接觸導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)的相應(yīng)底表面。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)可包括接合到相應(yīng)接合墊420及相應(yīng)發(fā)光裝置(10b、10g、10r)或相應(yīng)傳感器裝置10s的焊料球。在一個(gè)實(shí)施例中，在經(jīng)接合組件(10b、10g、10r、10s)中的一或多者之上可存在接合材料層的剩余部分30f。舉例來(lái)說(shuō)，氧化硅材料部分可接觸發(fā)光裝置(10b、10g、10s)的相應(yīng)頂表面，且可與彼此橫向間隔開(kāi)。在一個(gè)實(shí)施例中，透明囊封電介質(zhì)層470可上覆背板401且可嵌入發(fā)光裝置(10b、10g、10r)及傳感器裝置10s。任選地，保護(hù)材料層422可定位于背板401的階梯式水平面及側(cè)壁上。保護(hù)材料層422可包括吸收在包含紫外光、可見(jiàn)光及紅外光的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光裝置(10b、10g、10r)及/或傳感器裝置10s可經(jīng)布置于周期陣列中，其中相鄰發(fā)光裝置(10b、10g、10r)沿著水平方向的中心到中心距離是單元距離的整數(shù)倍。在一個(gè)實(shí)施例中，周期陣列可為矩形陣列，其中發(fā)光裝置(10b、10g、10r)及/或傳感器裝置10s被布置于矩形晶格的晶格格位處。參考圖23，展示集成發(fā)光裝置組合件的替代實(shí)施例。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)借助光刻圖案化與至少一種蝕刻工藝的組合形成線腔及通孔腔及通過(guò)使用至少一種導(dǎo)電材料填充所述線腔及通孔腔，在透明囊封電介質(zhì)層470內(nèi)形成導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)480。替代地或另外，舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)借助光刻圖案化與至少一種蝕刻工藝的組合沉積導(dǎo)電金屬層及使所述導(dǎo)電金屬層圖案化，在透明囊封電介質(zhì)層470之上形成導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)480。導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)480可電接觸經(jīng)接合組件(10b、10g、10r、10s)中的一或多者。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)480可嵌入于透明囊封電介質(zhì)層470中，且可電接觸相應(yīng)發(fā)光裝置(10b、10g、10r)及/或相應(yīng)傳感器裝置10s。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)480中的至少一者可電連接到嵌入于背板401內(nèi)的金屬互連結(jié)構(gòu)440。在一個(gè)實(shí)施例中，可由形成于組件(10b、10g、10r、10s)與背板401之間的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)僅提供與電子組件(10b、10g、10r、10s)的電接觸件的第一部分。可由如由導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)480體現(xiàn)的頂部接觸層提供與電組件(10b、10g、10r、10s)的電接觸件的第二部分。導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)480形成于電子組件(10b、10g、10r、10s)之上，且可嵌入于透明囊封電介質(zhì)層470內(nèi)，及/或可形成于透明囊封電介質(zhì)層470之上。在一個(gè)實(shí)施例中，透明囊封電介質(zhì)層470可使并入本發(fā)明的集成發(fā)光裝置組合件的顯示器面板的頂表面部分平面化。可在每一電子組件(10b、10g、10s)的頂表面正上方的透明囊封電介質(zhì)層470中提供通孔腔，且可在囊封劑及電子組件之上提供透明導(dǎo)電氧化物(例如ito或azo)、銀納米線網(wǎng)、銀網(wǎng)狀電極或其它透明或半透明接觸結(jié)構(gòu)，從而形成如體現(xiàn)為導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)480的頂部接觸結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)線接合或延伸穿過(guò)透明囊封電介質(zhì)層470的接觸通孔結(jié)構(gòu)，頂部接觸結(jié)構(gòu)可在背板401的某一特定位點(diǎn)處電接合到背板401。頂部接觸結(jié)構(gòu)可為覆蓋背板401上的每個(gè)電子組件(10b、10g、10r、10s)的完整片狀接觸件，或所述頂部接觸結(jié)構(gòu)可經(jīng)圖案化以將多個(gè)頂部接觸結(jié)構(gòu)提供到特定組件或組件的群組，在此情況中，頂部接觸結(jié)構(gòu)可例如通過(guò)線接合形成于背板401上的金屬電極或與所述金屬電極接觸而在若干特定位點(diǎn)處電接合到背板401。參考圖24，說(shuō)明生長(zhǎng)襯底500上的裝置(10b、10g、10r、10s)的替代實(shí)施例。在此情況中，可采用所屬領(lǐng)域中已知的裝置制造技術(shù)從生長(zhǎng)襯底500生長(zhǎng)或制造裝置(10b、10g、10r、10s)。舉例來(lái)說(shuō)，生長(zhǎng)襯底500可為包含半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體襯底，其可為iii-v族化合物半導(dǎo)體襯底(例如，gaas或gan襯底)或絕緣襯底(例如藍(lán)寶石)。每一生長(zhǎng)襯底500可具備內(nèi)部釋放層520，其可為例如經(jīng)植入材料層，例如經(jīng)植入氫層、經(jīng)植入氧層、經(jīng)植入氮層或通過(guò)植入促進(jìn)在由激光輻射或通過(guò)其它方法局部加熱之后分裂的任何其它原子物種形成的層。內(nèi)部釋放層520執(zhí)行上文論述的釋放層20的功能。每一生長(zhǎng)襯底500可具備源襯底530，其可為生長(zhǎng)襯底500的薄材料層，且其薄到足以在激光輻射內(nèi)部釋放層520的鄰接部分之后被斷裂、燒蝕或以其它方式移除。源襯底530的厚度可在從50nm到3微米的范圍內(nèi)，盡管也可采用更小及更大厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，可在第一生長(zhǎng)襯底500b之上制造第一發(fā)光裝置10b，可在第二生長(zhǎng)襯底500g之上制造第二發(fā)光裝置10g、可在第三生長(zhǎng)襯底500r之上制造第三發(fā)光裝置10r，且可在第四生長(zhǎng)襯底500s之上制造傳感器裝置10s。參考圖25，可采用上文描述的相同處理序列形成集成發(fā)光裝置組合件。源襯底530的部分在每一激光輻射過(guò)程期間被燒蝕。因?yàn)樵诿恳簧L(zhǎng)襯底500上都存在源襯底530，所以經(jīng)接合組件(10b、10g、10r、10s)之上及透明囊封電介質(zhì)層470內(nèi)可存在源襯底530的剩余部分530f。可采用本發(fā)明的方法形成發(fā)射顯示器面板。發(fā)射顯示器面板是直視顯示器，其中觀看者可直接觀看由來(lái)自不同顏色的發(fā)光子像素的不同顏色的光發(fā)射形成的圖像。子像素可為有機(jī)發(fā)光裝置，例如發(fā)光二極管。因此，直視顯示器不同于液晶顯示器(lcd)的背光，其中來(lái)自背光的不同顏色的光經(jīng)組合以形成用于照明lcd的液晶材料及彩色濾光器的光，且觀看者觀看透射通過(guò)彩色濾光器及液晶材料的不同顏色的光。背板401上的元件及發(fā)光裝置可促成顯示器面板的組裝。發(fā)射顯示器面板可包含以類似方法組裝到顯示器面板上的傳感器或其它電子元件。傳感器的元件及/或電子元件促成顯示器面板的組裝。為了制造具有作為發(fā)射元件的無(wú)機(jī)發(fā)光二極管(led)的發(fā)射顯示器面板，必須將數(shù)百萬(wàn)計(jì)的led附裝到背板襯底。背板401含有驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)個(gè)別led子像素使得光被發(fā)射且在顯示器上形成圖像的電子器件。在一個(gè)實(shí)施例中，顯示器是三色顯示器面板，其中在顯示器的每一像素內(nèi)存在發(fā)射紅光、綠光及藍(lán)光的三個(gè)子像素。每一子像素可為無(wú)機(jī)led。藍(lán)色及綠色子像素可由inganled組成。紅色子像素可由ingan或alingap或algaasled組成。顯示器面板可具有更多顏色。舉例來(lái)說(shuō)，四色顯示器每像素可包含四個(gè)子像素。子像素可以約470nm波長(zhǎng)發(fā)射藍(lán)光、以約505nm波長(zhǎng)發(fā)射翠綠色光、以約570nm波長(zhǎng)發(fā)射黃綠色光，且以約610nm波長(zhǎng)發(fā)射紅光。在一個(gè)實(shí)施例中，子像素可能全都由ingan組成。形成子像素的發(fā)光裝置可包括納米線陣列，使得每一納米線都是發(fā)光裝置。納米線發(fā)光二極管(led)由于若干原因而對(duì)形成子像素是有利的。首先，納米線led的橫向尺寸可小到1微米。這使必須使用以形成每一子像素的led材料量最小化。這還允許子像素按小間距放置，從而形成高分辨率顯示器。其次，在使用小功率驅(qū)動(dòng)納米線led時(shí)，其具有優(yōu)異的功效(每瓦特電輸入功率的流明)。參考圖26，展示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的另一替代實(shí)施例。除了具有含階梯式水平面的階梯式背板401之外，可采用階梯式發(fā)光裝置表面形成發(fā)光裝置組合件。在一個(gè)實(shí)施例中，可通過(guò)在接合到背板401的每一發(fā)光裝置(10b、10g、10r)或每一傳感器結(jié)構(gòu)10s的側(cè)上使用不同厚度的可焊接金屬化結(jié)構(gòu)或在所述側(cè)上部分缺乏可焊接金屬化結(jié)構(gòu)來(lái)提供階梯式發(fā)光裝置表面。在一個(gè)實(shí)施例中，可焊接金屬化結(jié)構(gòu)可為一組差值厚度接觸墊(15、16)，其包含具有第一厚度的至少一第一接觸墊15及具有不同于第一厚度的第二厚度的第二接觸墊16。可選擇第一厚度與第二厚度的每一組合以實(shí)現(xiàn)針對(duì)每一類型的經(jīng)接合組件(10b、10g、10r、10s)使用相同厚度的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)?？衫缤ㄟ^(guò)在將初始生長(zhǎng)襯底(100b、100g、100r、100s)切塊之前進(jìn)行電鍍形成可焊接金屬化結(jié)構(gòu)，例如一組差值厚度接觸墊(15、16)。一種或一種以上類型的經(jīng)接合組件(10b、10g、10r、10s)可具有差值厚度接觸墊(15、16)。替代地，一種或一種以上類型的經(jīng)接合組件(10b、10g、10r、10s)可具有均勻厚度接觸墊(15、16)，其具有相同的厚度?？蓪⒏鞣N類型的裝置接合到背板401。舉例來(lái)說(shuō)，除了接合一組傳感器裝置10s之外或代替接合一組傳感器裝置10s，可將探針或其它電子處理器集成芯片(ic)接合到背板401。探針的非限制性說(shuō)明性實(shí)例是高電力紅外發(fā)光二極管(irled)或組合檢測(cè)器使用以提供手勢(shì)辨識(shí)的功能性的垂直腔面發(fā)射激光器(vcsel)。電子ic的非限制性說(shuō)明性實(shí)例是低密度高成本處理器芯片，對(duì)于所述處理器芯片，直接制造于有源背板上是不經(jīng)濟(jì)的，且從生長(zhǎng)襯底轉(zhuǎn)移到背板更經(jīng)濟(jì)?？刹捎枚鄠€(gè)接合步驟將多個(gè)傳感器、探針及/或電子ic集成到背板401上。在一個(gè)實(shí)施例中，可采用多個(gè)垂直腔面發(fā)射激光器(vcsel)形成投影式顯示器?？稍谛纬赏该髂曳怆娊橘|(zhì)層470之前根據(jù)需要在本發(fā)明的組裝過(guò)程的任何階段處執(zhí)行測(cè)試及重新加工過(guò)程。重新加工過(guò)程可包括高速拾取和放置操作，其中可(例如，采用相應(yīng)導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)的局部加熱)選擇性地拾取接合到背板401的已知有缺陷電子組件(10g、10g、10r、10s)，且放置功能取代電子組件(10g、10g、10r、10s)來(lái)替代它?？稍诮雍瞎δ苋〈娮咏M件之前執(zhí)行對(duì)一組新的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)的適當(dāng)清潔及放置。如果在稍后階段處執(zhí)行重新加工過(guò)程，那么取代電子組件可具有比背板401上現(xiàn)存的電子組件更大的高度(例如，通過(guò)添加更厚接合材料層或制造具有更大高度的電子組件)，或可采用不干涉相鄰電子組件的放置方法。在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)可為焊接材料部分，即，焊料“球”。應(yīng)理解，焊料“球”可具有或可不具有球形形狀，且也可采用其它形狀(例如圓柱形形狀)作為焊料“球”。參考圖27，可修改本發(fā)明的處理序列以增強(qiáng)經(jīng)接合裝置的頂表面與背板401的共面性。在將裝置(10b、10g、10r或10s)接合到背板401及移除轉(zhuǎn)移組合件的剩余部分的每一回合之后，例如，在圖14的處理步驟之后，在圖17的處理步驟之后，在圖19的處理步驟之后及/或在圖21的處理步驟之后，可將具有共面底表面的虛設(shè)襯底700安置在新的經(jīng)接合裝置(10b、10g、10r或10s)的頂表面上及背板401之上。圖27說(shuō)明在使包括第一轉(zhuǎn)移襯底301b及第一發(fā)光裝置10b的第二子集的組合件與背板401分離之后，在將具有平面底表面的虛設(shè)襯底701安置在第一發(fā)光裝置10b的頂表面上之后的示范性結(jié)構(gòu)?？稍诜蛛x轉(zhuǎn)移襯底(301b、301g、301r、301s)的任何者之后應(yīng)用相同方法?？芍貜?fù)地使用虛設(shè)襯底701，或可針對(duì)每一使用以新的襯底取代虛設(shè)襯底701。假設(shè)701的底表面包含平坦剛性表面，即，基本上與水平歐幾里德二維平面重合的表面，虛設(shè)襯底701可包括絕緣體材料、導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體材料或其組合，條件是虛設(shè)襯底701的底表面包含平坦剛性表面，即，基本上與水平歐幾里德二維平面重合的表面。參考圖28，可將向下壓力施加到虛設(shè)襯底700，同時(shí)將導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)，即，焊料球，加熱到回流溫度。在此處理步驟期間，虛設(shè)襯底700朝向背板401擠壓新經(jīng)接合裝置(10b、10g、10r或10s)。在一些實(shí)施例中，可在最后的回流步驟期間使用虛設(shè)襯底700向下擠壓經(jīng)轉(zhuǎn)移裝置(10b、10g、10r及10s)的頂表面以確保所有經(jīng)轉(zhuǎn)移裸片的頂表面都定位于相同水平平面中。在一些其它實(shí)施例中，先前經(jīng)接合裝置可通過(guò)仔細(xì)選擇先前經(jīng)接合裝置的頂表面的高度(例如，通過(guò)針對(duì)多個(gè)背板401選擇接合墊420的階梯式表面的高度及導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430的高度，使得稍后經(jīng)接合裝置的頂表面比先前經(jīng)接合裝置距每一背板401更遠(yuǎn))而不影響后續(xù)轉(zhuǎn)移。圖28說(shuō)明在虛設(shè)襯底700朝向背板410擠壓經(jīng)轉(zhuǎn)移第一發(fā)光裝置10b的同時(shí)使第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b回流的步驟。參考圖29，可采用上文描述的實(shí)施例中的任何者執(zhí)行后續(xù)處理步驟以囊封經(jīng)接合裝置(10b、10g、10r、10s)。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b、430g、430r、430s)可包含作為經(jīng)回流焊接材料部分的特性的特征，例如凸面經(jīng)回流表面。可采用多個(gè)轉(zhuǎn)移組合件及多個(gè)背板將不同類型的裝置轉(zhuǎn)移到每一背板，及在每一背板上形成裝置集合的周期陣列。每一轉(zhuǎn)移組合件中的裝置可在一系列裝置轉(zhuǎn)移之前具有相同的二維周期性。裝置集合的周期陣列可跨越背板相同，且可具有二維周期性，其是轉(zhuǎn)移組合件上的裝置的二維周期性的倍數(shù)。參考圖30，說(shuō)明用于將四種不同類型的裝置(10b、10g、10r、10s)(例如，分別是發(fā)藍(lán)光led、發(fā)綠光led及發(fā)紅光led及傳感器)轉(zhuǎn)移到四個(gè)背板(bp1、bp2、bp3、bp4)的示范性轉(zhuǎn)移模式及示范性轉(zhuǎn)移序列。可將四種不同類型的裝置(10b、10g、10r、10s)提供于可包括四個(gè)轉(zhuǎn)移襯底(301b、301g、301r、301s)的四個(gè)源襯底(b、g、r、s)或四個(gè)生長(zhǎng)襯底(100/500a、100/500b、100/500c、100/500d)或其組合上?？蓪⒌谝话l(fā)光二極管10b提供于第一源襯底b上，可將第二發(fā)光二極管10g提供于第二源襯底g上，可將第三發(fā)光二極管10r提供于第三源襯底r上，且可將傳感器裝置10s提供于第四源襯底s上?？蓪?biāo)記為“1”的第一裝置10b的子集從第一源襯底b轉(zhuǎn)移到第一背板bp1上用“1”標(biāo)記的位置。隨后，可將標(biāo)記為“2”的第二裝置10g的子集從第二源襯底g轉(zhuǎn)移到第二襯底bp2到第二背板bp2上用“2”標(biāo)記的位置。循序轉(zhuǎn)移針對(duì)使用逐漸增加的數(shù)值索引標(biāo)記的每一組裝置繼續(xù)進(jìn)行一直到使用數(shù)值索引“16”標(biāo)記的一組裝置為止。在圖31a到31e中說(shuō)明在轉(zhuǎn)移序列的每一步驟處在源襯底(b、g、r、s)及背板(bp1、bp2、bp3、bp4)上存在或缺少各種裝置(10b、10g、10r、10s)的變化。圖31a對(duì)應(yīng)于裝置(10b、10g、10r、10s)的任何轉(zhuǎn)移之前的配置，圖31b對(duì)應(yīng)于在執(zhí)行轉(zhuǎn)移步驟1到4之后的配置，圖31c對(duì)應(yīng)于在執(zhí)行步驟5到8之后的配置，圖31d對(duì)應(yīng)于在執(zhí)行步驟9到12之后的配置，且圖31e對(duì)應(yīng)于在執(zhí)行步驟13到16之后的配置。應(yīng)注意，因?yàn)椴襟E1到4獨(dú)立于彼此，所以可以任何順序置亂如圖31b中說(shuō)明的步驟1到4，因?yàn)椴襟E5到8獨(dú)立于彼此，所以可以任何順序置亂如圖31c中說(shuō)明的步驟5到8，因?yàn)椴襟E9到12獨(dú)立于彼此，所以可以任何順序置如亂圖31d中說(shuō)明的步驟9到12，且因?yàn)椴襟E13到16獨(dú)立于彼此，所以可以任何順序置亂如圖31e中說(shuō)明的步驟13到16。雖然針對(duì)采用四個(gè)源襯底(b、g、r、s)及四個(gè)背板(bp1、bp2、bp3、bp4)的情況說(shuō)明示范性轉(zhuǎn)移模式及示范性轉(zhuǎn)移序列，但可將本發(fā)明的方法應(yīng)用到采用m個(gè)轉(zhuǎn)移組合件及n個(gè)背板的任何情況，其中m是大于1的整數(shù)，n是大于1的整數(shù)，且n不小于m。n個(gè)背板與來(lái)自m個(gè)轉(zhuǎn)移組合件的裝置接合，以形成n個(gè)集成發(fā)光裝置組合件。在一個(gè)實(shí)施例中，n可與m相同或大于m。提供多個(gè)轉(zhuǎn)移組合件，例如，m個(gè)轉(zhuǎn)移組合件。m個(gè)轉(zhuǎn)移組合件中的每一者包括具有相同二維周期性的二維陣列內(nèi)的相應(yīng)源襯底(b、g、r、s)及相應(yīng)裝置(10b、10g、10r、10s)。如本文使用，多個(gè)結(jié)構(gòu)的相同二維周期性是指一種配置，其中多個(gè)結(jié)構(gòu)中的每一者具有相應(yīng)單元結(jié)構(gòu)且相應(yīng)單元結(jié)構(gòu)的例子沿著周期性的兩個(gè)獨(dú)立方向(例如，第一周期性方向及第二周期性方向)重復(fù)，且所述單元結(jié)構(gòu)針對(duì)全部多個(gè)結(jié)構(gòu)沿著相應(yīng)第一周期性方向以第一間距重復(fù)且沿著相應(yīng)第二周期性方向以相同第二間距重復(fù)，且所述第一周期性方向與所述第二周期性方向之間的角度針對(duì)全部多個(gè)結(jié)構(gòu)相同。n個(gè)背板中的每一者具有經(jīng)配置以安裝m種類型的裝置的相應(yīng)單元導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)模式的周期重復(fù)。m個(gè)類型的裝置中的每一者可為m個(gè)轉(zhuǎn)移組合件之中的相應(yīng)轉(zhuǎn)移組合件內(nèi)的裝置中的一者。每一單元導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)模式沿著n個(gè)背板中的每一者內(nèi)的兩個(gè)獨(dú)立方向的間距可為m個(gè)轉(zhuǎn)移組合件中的每一者內(nèi)的裝置的二維周期性的相應(yīng)間距的倍數(shù)。在說(shuō)明性實(shí)例中，裝置(10b、10g、10r、10s)中的每一者可在相應(yīng)轉(zhuǎn)移組合件內(nèi)是周期的，其中沿著第一方向具有第一周期性a且沿著第二方向(其可垂直于第一方向)具有第二周期性b。背板中的每一者內(nèi)的單元導(dǎo)電接合墊圖案可沿著第一方向具有第一周期性2a(其是a的整數(shù)倍)且沿著第二方向(其可垂直于第一方向)具有第二周期性2b(其可為b的整數(shù)倍)?？赏ㄟ^(guò)將每一相應(yīng)轉(zhuǎn)移組合件安置在n個(gè)背板之中的相應(yīng)背板(bp1、bp2、bp3、bp4)之上防止相應(yīng)轉(zhuǎn)移組合件上現(xiàn)存的裝置與先前接合到相應(yīng)背板(bp1、bp2、bp3、bp4)的任何裝置(10b、10g、10r、10s)(如果存在)碰撞的位置處，循序地將來(lái)自m個(gè)轉(zhuǎn)移組合件中的每一者的裝置(10b、10g、10r、10s)的子集轉(zhuǎn)移到相應(yīng)背板(bp1、bp2、bp3、bp4)。參考圖32a，說(shuō)明處理中結(jié)構(gòu)，其可用于根據(jù)在其中使用不同高度接合墊的本發(fā)明的實(shí)施例形成第二示范性發(fā)光裝置組合件。如本文使用，“原型”結(jié)構(gòu)或“處理中”結(jié)構(gòu)是指隨后其中的至少一個(gè)組件的形狀或組成物被修改的瞬態(tài)結(jié)構(gòu)。第二示范性發(fā)光裝置組合件的處理中結(jié)構(gòu)可包含在其中包括金屬互連結(jié)構(gòu)440的背板襯底400。可經(jīng)由燒蝕材料層130(其可為上文描述的釋放層20或上文描述的源襯底530的部分)將第一發(fā)光二極管10b附接到源襯底301b。在此實(shí)施例中，背板襯底400可具有基本上平面(即，非階梯式)上表面或如圖9中說(shuō)明的階梯式上表面?？稍陔S后在其處接合各種裝置的位置處形成接合墊(421、422、423)。各種裝置可包含上文描述的第一發(fā)光裝置10b、第二發(fā)光裝置10g、第三發(fā)光裝置10r及/或傳感器裝置10s?？稍谠匆r底(b、g、r、s，參考圖30)(其可為轉(zhuǎn)移襯底(301b、301g、301r、301s)、生長(zhǎng)襯底(100/500b、100/500g、100/500r、100/500s)或其組合)上提供各種裝置(10b、10g、10r、10s)。背板401包含背板襯底400及接合墊(421、422、423)。接合墊(421、422、423)可具有與上文描述的接合墊420相同的組成。接合墊(421、422、423)可包含具有不同厚度的多個(gè)類型。舉例來(lái)說(shuō)，接合墊(421、422、423)可包含具有第一厚度的第一接合墊421、具有第二厚度的第二接合墊422及具有第三厚度的第三接合墊423。也可采用具有不同厚度的額外接合墊(未展示)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一厚度可大于第二厚度，且第二厚度可大于第三厚度。第一厚度與第二厚度之間的差值可在從0.3微米到10微米(例如，從1微米到5微米)的范圍內(nèi)，且第二厚度與第三厚度之間的差值可在從0.3微米到10微米(例如，從1微米到5微米)的范圍內(nèi)。最薄接合墊的厚度可在從1微米到20微米(例如，從2微米到10微米)的范圍內(nèi)，盡管也可采用更小及更大厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，可在待轉(zhuǎn)移到背板401的裝置上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。舉例來(lái)說(shuō)，第一發(fā)光二極管10b可為待轉(zhuǎn)移到背板襯底400的第一裝置。第一發(fā)光二極管10b可定位于第一源襯底301b(其可為第一轉(zhuǎn)移襯底300b或第一類型生長(zhǎng)襯底100b或500b)上。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)可為上文論述的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430中的任何者。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)可包含形成于隨后轉(zhuǎn)移到背板襯底400的第一發(fā)光二極管10b的第一子集上的第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431、形成于隨后轉(zhuǎn)移到另一背板襯底(未展示)的第一發(fā)光二極管10b的第二子集上的第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432、形成于隨后轉(zhuǎn)移到另一背板襯底的第一發(fā)光二極管10b的第三子集上的第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433及形成于隨后轉(zhuǎn)移到又一背板襯底的第一發(fā)光二極管10b的另一子集上的任選額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)?？稍诘谝话l(fā)光二極管10b上同時(shí)形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。替代地，可在背板401的接合墊(421、422、423)上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。在此情況中，可同時(shí)在所有接合墊(421、422、423)上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。又替代地，可形成每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)作為兩個(gè)物理分離部分，使得每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432或433)中的一個(gè)部分形成于第一發(fā)光二極管10b上，且對(duì)應(yīng)導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432或433)中的另一部分形成于匹配接合墊(421、422或423)的表面上。在一個(gè)實(shí)施例中，可形成每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)作為近似均勻地劃分于第一發(fā)光二極管10b上形成的上部與接合墊(421、422或423)上形成的下部之間的兩個(gè)分離部分。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)中的每一者可具有相同的高度(或總高度，如果形成為兩個(gè)部分)。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)中的每一者可具有相同的高度及相同的體積(或總體積，如果形成為兩個(gè)部分)。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)中的每一者可具有相同的高度、相同的體積及相同的形狀(或兩種形狀的相同集合，如果形成為兩個(gè)部分)。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)的高度可在從15微米到100微米(例如從20微米到60微米)的范圍內(nèi)，盡管也可采用更小及更大高度。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)可為基本上球形、基本上橢圓形或基本上圓柱形。每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的最大水平尺寸(例如球形形狀或圓柱形形狀的直徑)可在從15微米到100微米(例如從20微米到60微米)的范圍內(nèi)，盡管也可采用更小及更大最大水平尺寸。參考圖32b，背板401及包含第一發(fā)光二極管10b的組合件經(jīng)定位使得每一第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431附接到第一發(fā)光裝置10b及第一接合墊421中的一者，且接觸第一發(fā)光裝置10b及第一接合墊421中的另一者。歸因于各種類型的接合墊(421、422、423)的厚度的差異，第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433不接觸任何下伏接合墊(422、423)(假如第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433附接到第一發(fā)光裝置10b)或不接觸上覆第一發(fā)光裝置10b(假如第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433附接到第二接合墊422或第三接合墊423)。隨后執(zhí)行回流過(guò)程?？蓪h(huán)境溫度升高到導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)的材料的回流溫度。僅第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431形成與下伏第一接合墊421(如果第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431已經(jīng)接合到第一發(fā)光裝置10b)或與上覆第一發(fā)光裝置10b(如果第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431已經(jīng)接合到第一接合墊421)的額外接合。因此，每一第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431變成接合到上覆第一發(fā)光裝置10b及下伏第一接合墊421，同時(shí)在回流過(guò)程期間不針對(duì)第二及第三連續(xù)接合結(jié)構(gòu)(432、433)形成額外接合。雖然采用使背板401及包含第一發(fā)光二極管10b的組合件在回流過(guò)程之前接觸彼此的實(shí)施例描述本發(fā)明，但本文明確預(yù)期例如在回流過(guò)程的溫度斜變步驟期間與回流過(guò)程同時(shí)執(zhí)行背板401及包含第一發(fā)光二極管10b的組合件的機(jī)械移動(dòng)的實(shí)施例。雖然為了方便說(shuō)明，上文將第一接合墊421描述為“下伏”而將第一發(fā)光裝置描述為“上覆”，但應(yīng)理解，可在過(guò)程期間，顛倒地布置組件(即，其中第一接合墊421是“下伏”，且第一發(fā)光裝置是“下伏”)或?qū)⑵洳贾糜谌魏纹渌恢弥?。參考圖32c，執(zhí)行激光輻射過(guò)程以使每一經(jīng)接合第一發(fā)光裝置10b與第一源襯底分離?？扇缟衔拿枋瞿菢硬捎孟嗤す廨椛溥^(guò)程。由激光束輻射材料層130中上覆第一發(fā)光二極管10b(其接合到背板401)的第一子集的部分，且燒蝕所述部分。可針對(duì)第一子集內(nèi)的每一第一發(fā)光二極管10b循序地執(zhí)行激光燒蝕。參考圖32d，第一源襯底301b與經(jīng)附接第一發(fā)光二極管10b(即，第一發(fā)光二極管10b的第一子集的補(bǔ)集)的組合件與背板401及第一發(fā)光二極管10b的第一子集分離。通過(guò)第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431將第一發(fā)光二極管10b的第一子集附接到背板401以形成處理中第二示范性發(fā)光裝置組合件。參考圖32e，采用任何合適的壓力板(例如虛設(shè)襯底700)朝向背板401推動(dòng)第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431上的第一發(fā)光二極管10b。將處理中第二發(fā)光裝置組合件的溫度升高到第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431的回流溫度以在虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第一發(fā)光二極管10b時(shí)誘發(fā)第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431的回流。選擇推動(dòng)距離使得第一接合墊421的底表面與第一發(fā)光二極管10b的頂表面之間的垂直距離小于最薄接合墊(例如，第三接合墊421)的厚度、導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的高度(其在導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)之中相同)與隨后附接的裝置(10g、10r)的最小高度(如果高度不同)或隨后附接的裝置(10g、10r)的共同高度(如果高度相同)的和。圖32a到32e的處理步驟可對(duì)應(yīng)于圖31b中說(shuō)明的步驟1，其中背板401對(duì)應(yīng)于圖31b中的背板bp1?？蓤?zhí)行等效處理步驟(其對(duì)應(yīng)于圖31b中說(shuō)明的步驟2)以采用圖31b中展示的轉(zhuǎn)移模式(或任何其它模式)將第二發(fā)光裝置10g的第一子集從第二源襯底g(其可為第二轉(zhuǎn)移襯底300g或第二類型生長(zhǎng)襯底100/500g)轉(zhuǎn)移到第二背板bp2的第一接合墊421。此類處理步驟可提供第二源襯底g，以全等于背板401上的第一發(fā)光二極管10b的模式的模式從第二源襯底g移除第二發(fā)光裝置10g的第一子集。參考圖32f，從其移除第二發(fā)光裝置10g的第一子集的第二源襯底(例如第二轉(zhuǎn)移襯底301g)定位于處理中第二示范性發(fā)光裝置組合件之上，且經(jīng)對(duì)準(zhǔn)使得第二發(fā)光二極管10g的第二子集上覆第二接合墊422。參考圖32g，背板401及包含第二發(fā)光二極管10g的組合件經(jīng)定位使得每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432附接到第二發(fā)光裝置10g及第二接合墊422中的一者，且接觸第二發(fā)光裝置10g及第二接合墊422中的另一者。歸因于第二及第三接合墊(422、423)的厚度的差值，第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433不接觸任何下伏接合墊423(假如第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433附接到第二發(fā)光裝置10g)或不接觸上覆第二發(fā)光裝置10g(假如第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433附接到第二接合墊422或第三接合墊423)。隨后執(zhí)行回流過(guò)程?？蓪h(huán)境溫度升高到導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)的材料的回流溫度。第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432形成與上覆第二接合墊422(如果第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432已經(jīng)接合到第二發(fā)光裝置10g)或與上覆第二發(fā)光裝置10g(如果第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432已經(jīng)接合到第二接合墊422)的額外接合。因此，每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432變成接合到上覆第二發(fā)光裝置10g及下伏第二接合墊422，同時(shí)在回流過(guò)程期間不針對(duì)第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433形成額外接合。參考圖32h，執(zhí)行激光輻射過(guò)程以使每一經(jīng)接合第二發(fā)光裝置10g與第二源襯底分離。由激光束輻射燒蝕材料層130中上覆第二發(fā)光二極管10g(其接合到背板401)的經(jīng)接合子集(即，第二子集)的部分，且燒蝕所述部分?？舍槍?duì)接合到背板401的第二發(fā)光二極管10g的子集內(nèi)的每一第二發(fā)光二極管10g循序地執(zhí)行激光燒蝕。參考圖32i，第二源襯底301g與經(jīng)附接第二發(fā)光二極管10g(即，第二源襯底上仍存在的第二發(fā)光二極管10g的第三子集)的組合件與背板401及現(xiàn)附接到背板401的第二發(fā)光二極管10g的第二子集分離。通過(guò)第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432將第二發(fā)光二極管10g的第二子集附接到背板401以形成處理中第二示范性發(fā)光裝置組合件。參考圖32j，采用虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432上的第二發(fā)光二極管10g。將處理中第二發(fā)光裝置組合件的溫度升高到第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432的回流溫度，以在虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第二發(fā)光二極管10g時(shí)誘發(fā)第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432的回流。選擇推動(dòng)距離使得第二接合墊422的底表面與第二發(fā)光二極管10g的頂表面之間的垂直距離小于最薄接合墊(例如，第三接合墊423)的厚度、如最初提供的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的高度(其在導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)之中相同)與隨后附接的裝置(10r及任選地10s)的最小高度(如果高度不同)或隨后附接的裝置(10r及任選地10s)的共用高度(如果高度相同)的和。圖32f到32j的處理步驟可對(duì)應(yīng)于圖31c中說(shuō)明的步驟6，其中背板401對(duì)應(yīng)于圖31c中的背板bp1?？蓤?zhí)行對(duì)應(yīng)于圖31b中的步驟3及圖31c中的步驟7的處理步驟以采用圖31b及31c中展示的轉(zhuǎn)移模式(或任何其它模式)將第三發(fā)光裝置10r的第一子集及第二子集從第三源襯底r(其可為第三轉(zhuǎn)移襯底300r或第三類型生長(zhǎng)襯底100/500r)轉(zhuǎn)移到額外背板(例如，圖31b中的bp3及圖31c中的bp4)的接合墊。此類處理步驟可提供第三源襯底r，以全等于背板401上的第一發(fā)光二極管10b與第二發(fā)光二極管10g的組合模式的模式從第三源襯底r移除第三發(fā)光裝置10r的第一子集及第二子集。參考圖32k，在先前處理步驟中已從其移除第三發(fā)光裝置10r的第一子集及第二子集的第三源襯底(例如第三轉(zhuǎn)移襯底301r)定位于處理中第二示范性發(fā)光裝置組合件之上，且經(jīng)對(duì)準(zhǔn)使得第三發(fā)光二極管10r的第三子集上覆第三接合墊423。參考圖32l，背板401及包含第三發(fā)光二極管10r的組合件經(jīng)定位使得每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433附接到第三發(fā)光裝置10r及第三接合墊423中的一者，且接觸第三發(fā)光裝置10r及第三接合墊423中的另一者。如果存在具有更小厚度的任何額外接合墊(未展示)，那么上覆此類額外接合墊的額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(未展示)不接觸任何下伏額外接合墊(假如額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)附接到第三源襯底)或不接觸上覆第三發(fā)光裝置10r(假如額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)附接到額外接合墊)。隨后執(zhí)行回流過(guò)程?？蓪h(huán)境溫度升高到導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)的材料的回流溫度。第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433形成與下伏第三接合墊423(如果第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433已經(jīng)接合到第三發(fā)光裝置10r)或與上覆第三發(fā)光裝置10r(如果第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433已經(jīng)接合到第三接合墊423)的額外接合。因此，每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433變成接合到上覆第三發(fā)光裝置10r及下伏第三接合墊423，同時(shí)在回流過(guò)程期間不針對(duì)額外連續(xù)接合結(jié)構(gòu)(如果存在)形成額外接合。參考圖32m，執(zhí)行激光輻射過(guò)程以使每一經(jīng)接合第三發(fā)光裝置10r與第三源襯底分離。由激光束輻射燒蝕材料層130中上覆第三發(fā)光二極管10r(其接合到背板401)的經(jīng)接合子集(即，第三子集)的部分，且燒蝕所述部分?？舍槍?duì)接合到背板401的第三發(fā)光二極管10r的子集內(nèi)的每一第三發(fā)光二極管10r循序地執(zhí)行激光燒蝕。參考圖32n，第三源襯底301r與任何剩余第三發(fā)光二極管10r(如果存在)的組合件與背板401及現(xiàn)附接到背板401的第三發(fā)光二極管10r的第三子集分離。通過(guò)第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433將第三發(fā)光二極管10r的第三子集附接到背板401以形成第二示范性發(fā)光裝置組合件。任選地，可采用虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433上的第三發(fā)光二極管10r。將第二發(fā)光裝置組合件的溫度升高到第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433的回流溫度以在虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第三發(fā)光二極管10r時(shí)誘發(fā)第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433的回流。如果隨后將把任何額外裝置(例如傳感器裝置10s)附接到背板401，那么可選擇推動(dòng)距離使得第三接合墊423的底表面與第三發(fā)光二極管10r的頂表面之間的垂直距離小于額外接合墊的厚度、額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)的高度(其可與如最初提供的其它導(dǎo)電接合墊(431、432、433)的高度相同)與隨后的裝置(例如傳感器裝置10s)的最小高度的和。參考圖33a，說(shuō)明處理中結(jié)構(gòu)，其可用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成第三示范性發(fā)光裝置組合件。可通過(guò)采用相同厚度的接合墊(421、422、423)及不同高度的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)從圖32a的處理中第二示范性發(fā)光裝置組合件得到處理中第三示范性發(fā)光裝置組合件。接合墊(421、422、423)可具有與上文描述的接合墊420相同的組成。在此實(shí)施例中，背板襯底400可具有基本上平面(即，非階梯式)上表面或如圖9中說(shuō)明的階梯式上表面，且接合墊(421、422、423)可具有與圖32a中展示相同的高度或不同的高度。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)可包含具有不同高度的多個(gè)類型。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)可包含具有第一高度的第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431、具有第二高度的第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432及具有第三高度的第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433。也可采用具有不同高度的額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(未展示)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一高度可大于第二高度，且第二高度可大于第三高度。第一高度與第二高度之間的差值可在從0.3微米到10微米(例如，從1微米到5微米)的范圍內(nèi)，且第二高度與第三高度之間的差值可在從0.3微米到10微米(例如，從1微米到5微米)的范圍內(nèi)。最短導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(例如，433)的高度可在從10微米到80微米(例如，從15微米到50微米)的范圍內(nèi)，盡管也可采用更小及更大高度。在一個(gè)實(shí)施例中，可在待轉(zhuǎn)移到背板401的裝置上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。舉例來(lái)說(shuō)，第一發(fā)光二極管10b可為待轉(zhuǎn)移到背板襯底400的第一裝置。第一發(fā)光二極管10b可定位于第一源襯底b(其可為第一轉(zhuǎn)移襯底30b或第一類型生長(zhǎng)襯底100b)上。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)可為上文論述的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430中的任何者。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431形成于隨后轉(zhuǎn)移到背板襯底400的第一發(fā)光二極管10b的第一子集上。第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432形成于隨后轉(zhuǎn)移到另一背板襯底(未展示)的第一發(fā)光二極管10b的第二子集上。第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433形成于隨后轉(zhuǎn)移到又一背板襯底的第一發(fā)光二極管10b的第三子集上。任選地，額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可形成于隨后轉(zhuǎn)移到又一背板襯底的第一發(fā)光二極管10b的另一子集上。替代地，可在背板401的接合墊(421、422、423)上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。在此情況中，可同時(shí)在所有接合墊(421、422、423)上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。又替代地，可形成每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)作為兩個(gè)物理分離部分，使得每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432或433)中的一個(gè)部分形成于第一發(fā)光二極管10b上，且對(duì)應(yīng)導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432或433)中的另一部分形成于匹配接合墊(421、422或423)的表面上。在一個(gè)實(shí)施例中，可形成每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)作為近似均勻地劃分于第一發(fā)光二極管10b上形成的上部與接合墊(421、422或423)上形成的下部之間的兩個(gè)分離部分?？裳虻卦诘谝话l(fā)光二極管10b上形成不同類型的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431可具有比第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432大的體積，且第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432可具有比第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433大的體積。在一個(gè)實(shí)施例中，不同類型的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)可具有基本上相同的最大橫向尺寸(例如，球形形狀或圓柱形形狀的直徑)。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)可為基本上橢圓形或基本上圓柱形。每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的最大水平尺寸(例如球形形狀或圓柱形形狀的直徑)可在從15微米到100微米(例如從20微米到60微米)的范圍內(nèi)，盡管也可采用更小及更大最大水平尺寸。參考圖33b，背板401及包含第一發(fā)光二極管10b的組合件經(jīng)定位使得每一第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431附接到第一發(fā)光裝置10b及第一接合墊421中的一者，且接觸第一發(fā)光裝置10b及第一接合墊421中的另一者。歸因于各種類型的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)的高度的差異，第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433不接觸任何下伏接合墊(422、423)(假如第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433附接到第一發(fā)光裝置10b)或不接觸上覆第一發(fā)光裝置10b(假如第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433附接到第二接合墊422或第三接合墊423)。隨后，以與圖32b的處理步驟相同的方式執(zhí)行回流過(guò)程。參考圖33c，以與圖32c的處理步驟相同的方式執(zhí)行激光輻射過(guò)程以使每一經(jīng)接合第一發(fā)光裝置10b與第一源襯底分離。參考圖33d，第一源襯底301b與經(jīng)附接第一發(fā)光二極管10b(即，第一發(fā)光二極管10b的第一子集的補(bǔ)集)的組合件與背板401及第一發(fā)光二極管10b的第一子集分離。參考圖33e，采用虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431上的第一發(fā)光二極管10b同時(shí)使第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431以與圖32e的處理步驟相同的方式回流。圖33a到33e的處理步驟可對(duì)應(yīng)于圖31b中說(shuō)明的步驟1，其中背板401對(duì)應(yīng)于圖31b中的背板bp1?？蓤?zhí)行等效處理步驟(其對(duì)應(yīng)于圖31b中說(shuō)明的步驟2)以采用圖31b中展示的轉(zhuǎn)移模式(或任何其它模式)將第二發(fā)光裝置10g的第一子集從第二源襯底g(其可為第二轉(zhuǎn)移襯底300g或第二類型生長(zhǎng)襯底100/500g)轉(zhuǎn)移到第二背板bp2的第一接合墊421。此類處理步驟可提供第二源襯底g，以全等于背板401上的第一發(fā)光二極管10b的模式的模式從第二源襯底g移除第二發(fā)光裝置10g的第一子集。參考圖33f，從其移除第二發(fā)光裝置10g的第一子集的第二源襯底(例如第二轉(zhuǎn)移襯底301g)定位于處理中第四示范性發(fā)光裝置組合件之上，且經(jīng)對(duì)準(zhǔn)使得第二發(fā)光二極管10g的第二子集上覆第二接合墊422。參考圖33g，背板401及包含第二發(fā)光二極管10g的組合件經(jīng)定位使得每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432附接到第二發(fā)光裝置10g及第二接合墊422中的一者，且接觸第二發(fā)光裝置10g及第二接合墊422中的另一者。歸因于第二及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(432、433)的高度的差異，第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433不接觸任何下伏接合墊423(假如第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433附接到第二發(fā)光裝置10g)或不接觸上覆第二發(fā)光裝置10g(假如第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433附接到第二接合墊422或第三接合墊423)。隨后以與圖32g的處理步驟相同的方式執(zhí)行回流過(guò)程。每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432變成接合到上覆第二發(fā)光裝置10g及下伏第二接合墊422，同時(shí)在回流過(guò)程期間不針對(duì)第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433形成額外接合。參考圖33h，執(zhí)行激光輻射過(guò)程以使每一經(jīng)接合第二發(fā)光裝置10g與第二源襯底分離?？扇缭趫D32h的處理步驟中那樣執(zhí)行相同的激光輻射過(guò)程。參考圖33i，第二源襯底301g與經(jīng)附接第二發(fā)光二極管10g(第二源襯底上仍存在的第二發(fā)光二極管10g的第三子集)的組合件與背板401及現(xiàn)附接到背板401的第二發(fā)光二極管10g的第二子集分離。參考圖33j，以與圖32j的處理步驟中相同的方式采用虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432上的第二發(fā)光二極管10g。圖33f到33j的處理步驟可對(duì)應(yīng)于圖31c中說(shuō)明的步驟6，其中背板401對(duì)應(yīng)于圖31c中的背板bp1?？蓤?zhí)行對(duì)應(yīng)于圖31b中的步驟3及圖31c中的步驟7的處理步驟以采用圖31b及31c中展示的轉(zhuǎn)移模式(或任何其它模式)將第三發(fā)光裝置10r的第一子集及第二子集從第三源襯底r(其可為第三轉(zhuǎn)移襯底300r或第三類型生長(zhǎng)襯底100/500r)轉(zhuǎn)移到額外背板(例如，圖31b中的bp3及圖31c中的bp4)的接合墊。此類處理步驟可提供第三源襯底r，以全等于背板401上的第一發(fā)光二極管10b與第二發(fā)光二極管10g的組合模式的模式從第三源襯底r移除第三發(fā)光裝置10r的第一子集及第二子集。參考圖33k，在先前處理步驟中已從其移除第三發(fā)光裝置10r的第一子集及第二子集的第三源襯底(例如第三轉(zhuǎn)移襯底301r)定位于處理中第二示范性發(fā)光裝置組合件之上，且經(jīng)對(duì)準(zhǔn)使得第三發(fā)光二極管10r的第三子集上覆第三接合墊423。參考圖33l，背板401及包含第三發(fā)光二極管10r的組合件經(jīng)定位使得每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433附接到第三發(fā)光裝置10r及第三接合墊423中的一者，且接觸第三發(fā)光裝置10r及第三接合墊423中的另一者。如果存在具有更小高度的任何額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(未展示)，那么上覆此類額外接合墊的額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(未展示)不接觸任何下伏額外接合墊(假如額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)附接到第三源襯底)或不接觸上覆第三發(fā)光裝置10r(假如額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)附接到額外接合墊)。隨后，以與圖32l的處理步驟中相同的方式執(zhí)行回流過(guò)程。參考圖33m，以與圖32m的處理步驟中相同的方式執(zhí)行激光輻射過(guò)程以使每一經(jīng)接合第三發(fā)光裝置10r與第三源襯底分離。參考圖33n，以與圖32n的處理步驟中相同的方式使第三源襯底301r與任何剩余第三發(fā)光二極管10r(如果存在)的組合件與背板401及現(xiàn)附接到背板401的第三發(fā)光二極管10r的第三子集分離。任選地，可以與圖32n的處理步驟中相同的方式采用虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433上的第三發(fā)光二極管10r。參考圖34a，說(shuō)明處理中結(jié)構(gòu)，其可用于根據(jù)使用選擇激光焊接將裝置接合到背板的本發(fā)明的實(shí)施例形成第四示范性發(fā)光裝置組合件。可通過(guò)采用相同厚度的接合墊(421、422、423)及相同高度的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)從圖32a的處理中第二示范性發(fā)光裝置組合件或圖33a的處理中第三示范性發(fā)光裝置組合件得到處理中第四示范性發(fā)光裝置組合件。接合墊(421、422、423)可具有與上文描述的接合墊420相同的組成。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)可具有與上文描述的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430相同的組成。在此實(shí)施例中，背板襯底400可具有基本上平面(即，非階梯式)上表面或如圖9中說(shuō)明的階梯式上表面。接合墊(421、422、423)可具有與圖32a中展示相同的高度或不同的高度。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)可具有與圖33a中展示相同的高度或不同的高度。在一個(gè)實(shí)施例中，可在待轉(zhuǎn)移到背板401的裝置上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。舉例來(lái)說(shuō)，第一發(fā)光二極管10b可為轉(zhuǎn)移到背板襯底400的第一裝置。第一發(fā)光二極管10b可定位于第一源襯底301b(其可為第一轉(zhuǎn)移襯底300b或第一類型生長(zhǎng)襯底100/500b)上。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)可為上文論述的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430中的任何者。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431形成于隨后轉(zhuǎn)移到背板襯底400的第一發(fā)光二極管10b的第一子集上。第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432形成于隨后轉(zhuǎn)移到另一背板襯底(未展示)的第一發(fā)光二極管10b的第二子集上。第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433形成于隨后轉(zhuǎn)移到又一背板襯底的第一發(fā)光二極管10b的第三子集上。任選地，額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)可形成于隨后轉(zhuǎn)移到又一背板襯底的第一發(fā)光二極管10b的另一子集上。替代地，可在背板401的接合墊(421、422、423)上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。在此情況中，可同時(shí)在所有接合墊(421、422、423)上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。又替代地，可形成每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)作為兩個(gè)物理分離部分，使得每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432或433)中的一個(gè)部分形成于第一發(fā)光二極管10b上，且對(duì)應(yīng)導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432或433)中的另一部分形成于匹配接合墊(421、422或423)的表面上。在一個(gè)實(shí)施例中，可形成每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)作為近似均勻地劃分于第一發(fā)光二極管10b上形成的上部與接合墊(421、422或423)上形成的下部之間的兩個(gè)分離部分。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)可為基本上球形、基本上橢圓形或基本上圓柱形。每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的最大水平尺寸(例如球形形狀或圓柱形形狀的直徑)可在從15微米到100微米(例如從20微米到60微米)的范圍內(nèi)，盡管也可采用更小及更大最大水平尺寸。參考圖34b，背板401及包含第一發(fā)光二極管10b的組合件經(jīng)定位使得每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)附接到第一發(fā)光裝置10b及接合墊(421、422或423)中的一者，且接觸第一發(fā)光裝置10b及接合墊(421、422或423)中的另一者。在一個(gè)實(shí)施例中，每一第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431可附接到上覆第一發(fā)光裝置10b及第一接合墊421中的一者，且接觸上覆第一發(fā)光裝置10b及第一接合墊421中的另一者；每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432可附接到上覆第一發(fā)光裝置10b及第二接合墊422中的一者，且接觸上覆第一發(fā)光裝置10b及第二接合墊422中的另一者；且每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433可附接到上覆第一發(fā)光裝置10b及第三接合墊423中的一者，且接觸上覆第一發(fā)光裝置10b及第三接合墊423中的另一者?？刹捎眉訜峒す馄?67使第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431回流。加熱激光器467可具有在導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的材料內(nèi)誘發(fā)比在源襯底301b的材料內(nèi)或在待轉(zhuǎn)移的裝置(例如，第一發(fā)光裝置10b)的材料內(nèi)更大的能量吸收的波長(zhǎng)。舉例來(lái)說(shuō)，加熱激光器467可具有在從0.8微米到20微米(例如1到2微米)的范圍內(nèi)的波長(zhǎng)，以在待回流的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431的材料與不回流的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432、433的材料之間提供差溫加熱。也在導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431及源襯底301b的材料與待轉(zhuǎn)移的裝置之間提供差溫加熱?？捎蓙?lái)自加熱層467的激光束的循序輻射選擇性地加熱第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431以使每一第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431回流，并將每一第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431接合到上覆第一發(fā)光裝置10b及下伏第一接合墊421。優(yōu)選地，通過(guò)源襯底301b提供激光束。激光束可透射通過(guò)源襯底301b及裝置到導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431以供選擇加熱。替代地，激光束可由源襯底或鄰近導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431的裝置吸收以選擇性地加熱導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431及使導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431回流，而無(wú)需使剩余導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(432、433)回流。參考圖34c，以與圖32c的處理步驟相同的方式執(zhí)行激光輻射過(guò)程以使每一經(jīng)接合第一發(fā)光裝置10b與第一源襯底分離。激光器477(本文稱之為“燒蝕激光器”)的波長(zhǎng)可與加熱激光器467的波長(zhǎng)不同(例如，更短)，例如，在0.1與0.75微米之間，例如0.25到0.5微米。激光器將比提供到源襯底301b的材料及經(jīng)轉(zhuǎn)移裝置(例如，第一發(fā)光二極管10b)的加熱更多的加熱到燒蝕材料層130的材料。可循序地由來(lái)自激光器477的激光束輻射燒蝕材料層130中上覆第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431的每一部分以使每一下伏第一發(fā)光裝置10b分離。參考圖34d，第一源襯底301b與經(jīng)附接第一發(fā)光二極管10b(即，第一發(fā)光二極管10b的第一子集的補(bǔ)集)的組合件與背板401及第一發(fā)光二極管10b的第一子集分離。參考圖34e，采用虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431上的第一發(fā)光二極管10b同時(shí)使第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431以與圖32e的處理步驟相同的方式回流。圖34a到34e的處理步驟可對(duì)應(yīng)于圖31b中說(shuō)明的步驟1，其中背板401對(duì)應(yīng)于圖31b中的背板bp1。可執(zhí)行等效處理步驟(其對(duì)應(yīng)于圖31b中說(shuō)明的步驟2)以采用圖31b中展示的轉(zhuǎn)移模式(或任何其它模式)將第二發(fā)光裝置10g的第一子集從第二源襯底g(其可為第二轉(zhuǎn)移襯底300g或第二類型生長(zhǎng)襯底100/500g)轉(zhuǎn)移到第二背板bp2的第一接合墊421。此類處理步驟可提供第二源襯底g，以全等于背板401上的第一發(fā)光二極管10b的模式的模式從第二源襯底g移除第二發(fā)光裝置10g的第一子集。參考圖34f，從其移除第二發(fā)光裝置10g的第一子集的第二源襯底(例如第二轉(zhuǎn)移襯底301g)定位于處理中第四示范性發(fā)光裝置組合件之上，且經(jīng)對(duì)準(zhǔn)使得第二發(fā)光二極管10g的第二子集上覆第二接合墊422。參考圖34g，背板401及包含第二發(fā)光二極管10g的組合件經(jīng)定位使得每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432附接到第二發(fā)光裝置10g及第二接合墊422中的一者，且接觸第二發(fā)光裝置10g及第二接合墊422中的另一者。在一個(gè)實(shí)施例中，每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432可附接到上覆第二發(fā)光裝置10g及第二接合墊422中的一者，且接觸上覆第二發(fā)光裝置10g及第二接合墊422中的另一者；且每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433可附接到上覆第二發(fā)光裝置10g及第三接合墊423中的一者，且接觸上覆第二發(fā)光裝置10g及第三接合墊423中的另一者。采用加熱激光器467使第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432回流而無(wú)需使剩余導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、433)回流。加熱激光器467可具有在導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的材料內(nèi)誘發(fā)比在源襯底301g的材料內(nèi)或在待轉(zhuǎn)移的裝置(例如，第二發(fā)光裝置10g)的材料內(nèi)更大的能量吸收的波長(zhǎng)?？刹捎门c圖34b的處理步驟中相同的加熱激光器?？捎蓙?lái)自加熱層467的激光束的循序輻射第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432以使每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432回流，并將每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432接合到上覆第二發(fā)光裝置10g及下伏第二接合墊422。參考圖34h，以與圖32h的處理步驟相同的方式執(zhí)行激光輻射過(guò)程以使每一經(jīng)接合第二發(fā)光裝置10g與第二源襯底分離。激光器477的波長(zhǎng)可與加熱激光器467的波長(zhǎng)不同，且將比提供到源襯底301g的材料及經(jīng)轉(zhuǎn)移裝置(例如，第二發(fā)光二極管10g)更多的加熱提供到燒蝕材料層130的材料?？裳虻赜蓙?lái)自層477的激光束輻射燒蝕材料層130中上覆第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432的每一部分以使每一第二下伏發(fā)光裝置10g分離。參考圖34i，第二源襯底301g與經(jīng)附接第二發(fā)光二極管10g(第二源襯底上仍存在的第二發(fā)光二極管10g的第三子集)的組合件與背板401及現(xiàn)附接到背板401的第二發(fā)光二極管10g的第二子集分離。參考圖34j，以與圖32j的處理步驟中相同的方式采用虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432上的第二發(fā)光二極管10g。圖34f到34j的處理步驟可對(duì)應(yīng)于圖31c中說(shuō)明的步驟6，其中背板401對(duì)應(yīng)于圖31c中的背板bp1?？蓤?zhí)行對(duì)應(yīng)于圖31b中的步驟3及圖31c中的步驟7的處理步驟以采用圖31b及31c中展示的轉(zhuǎn)移模式(或任何其它模式)將第三發(fā)光裝置10r的第一子集及第二子集從第三源襯底r(其可為第三轉(zhuǎn)移襯底300r或第三類型生長(zhǎng)襯底100/500r)轉(zhuǎn)移到額外背板(例如，圖31b中的bp3及圖31c中的bp4)的接合墊。此類處理步驟可提供第三源襯底r，以全等于背板401上的第一發(fā)光二極管10b與第二發(fā)光二極管10g的組合模式的模式從第三源襯底r移除第三發(fā)光裝置10r的第一子集及第二子集。參考圖34k，在先前處理步驟中已從其移除第三發(fā)光裝置10r的第一子集及第二子集的第三源襯底(例如第三轉(zhuǎn)移襯底301r)定位于處理中第四示范性發(fā)光裝置組合件之上，且經(jīng)對(duì)準(zhǔn)使得第三發(fā)光二極管10r的第三子集上覆第三接合墊423。參考圖34l，背板401及包含第三發(fā)光二極管10r的組合件經(jīng)定位使得每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433附接到第三發(fā)光裝置10r及第三接合墊423中的一者，且接觸第三發(fā)光裝置10r及第三接合墊423中的另一者。如果存在任何額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(未展示)，那么上覆此類額外接合墊的額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(未展示)可接觸下伏額外接合墊及上覆第三發(fā)光裝置10r，且可附接到下伏額外接合墊或上覆第三發(fā)光裝置10r。采用加熱激光器467使第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433回流。加熱激光器467可具有在第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433的材料內(nèi)誘發(fā)比在源襯底301r的材料內(nèi)或在待轉(zhuǎn)移的裝置(例如，第三發(fā)光裝置10r)的材料內(nèi)更大的能量吸收的波長(zhǎng)?？刹捎门c圖34b或圖34g的處理步驟中相同的加熱激光器?？捎蓙?lái)自加熱層467的激光束循序輻射第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433以使每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433回流，并將每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433接合到上覆第三發(fā)光裝置10r及下伏第三接合墊423。參考圖34m，以與圖32m的處理步驟中相同的方式執(zhí)行激光輻射過(guò)程以使每一經(jīng)接合第三發(fā)光裝置10r與第三源襯底分離。參考圖34n，以與圖32n的處理步驟中相同的方式使第三源襯底301r與任何剩余第三發(fā)光二極管10r(如果存在)的組合件與背板401及現(xiàn)附接到背板401的第三發(fā)光二極管10r的第三子集分離。任選地，可以與圖32n的處理步驟中相同的方式采用虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433上的第三發(fā)光二極管10r。參考圖35a，說(shuō)明處理中結(jié)構(gòu)，其可用于根據(jù)同時(shí)通過(guò)非選擇加熱而非通過(guò)選擇激光加熱接合組件的本發(fā)明的實(shí)施例形成第五示范性發(fā)光裝置組合件。處理中第五示范性發(fā)光裝置組合件可與圖34a的處理中第四示范性發(fā)光裝置組合件相同。在此實(shí)施例中，背板襯底400可具有基本上平面(即，非階梯式)上表面或如圖9中說(shuō)明的階梯式上表面。接合墊(421、422、423)可具有與圖32a中展示相同的高度或不同的高度。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)可具有與圖33a中展示相同的高度或不同的高度。在一個(gè)實(shí)施例中，可在待轉(zhuǎn)移到背板401的裝置上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。舉例來(lái)說(shuō)，第一發(fā)光二極管10b可為待轉(zhuǎn)移到背板襯底400的第一裝置。第一發(fā)光二極管10b可定位于第一源襯底b(其可為第一轉(zhuǎn)移襯底300b或第一類型生長(zhǎng)襯底100/500b)上。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)可為上文論述的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430中的任何者。替代地，可在背板401的接合墊(421、422、423)上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。在此情況中，可同時(shí)在所有接合墊(421、422、423)上形成導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)。又替代地，可形成每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)作為兩個(gè)物理分離部分，使得每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432或433)中的一個(gè)部分形成于第一發(fā)光二極管10b上，且對(duì)應(yīng)導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432或433)中的另一部分形成于匹配接合墊(421、422或423)的表面上。在一個(gè)實(shí)施例中，可形成每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)作為近似均勻地劃分于第一發(fā)光二極管10b上形成的上部與接合墊(421、422或423)上形成的下部之間的兩個(gè)分離部分。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、432)可為基本上球形、基本上橢圓形或基本上圓柱形。每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的最大水平尺寸(例如球形形狀或圓柱形形狀的直徑)可在從15微米到100微米(例如從20微米到60微米)的范圍內(nèi)，盡管也可采用更小及更大最大水平尺寸。參考圖35b，背板401及包含第一發(fā)光二極管10b的組合件經(jīng)定位使得每一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)附接到第一發(fā)光裝置10b及接合墊(421、422或423)中的一者，且接觸第一發(fā)光裝置10b及接合墊(421、422或423)中的另一者。在一個(gè)實(shí)施例中，每一第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431可附接到上覆第一發(fā)光裝置10b及第一接合墊421中的一者，且接觸上覆第一發(fā)光裝置10b及第一接合墊421中的另一者；每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432可附接到上覆第一發(fā)光裝置10b及第二接合墊422中的一者，且接觸上覆第一發(fā)光裝置10b及第二接合墊422中的另一者；且每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433可附接到上覆第一發(fā)光裝置10b及第三接合墊423中的一者，且接觸上覆第一發(fā)光裝置10b及第三接合墊423中的另一者。執(zhí)行回流過(guò)程以使導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)回流?？赏ㄟ^(guò)將均勻加熱提供到導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)(例如，通過(guò)將背板401與在其上具有經(jīng)附接結(jié)構(gòu)的第一源襯底301b的組合件放置到加熱爐或任何其它溫度受控環(huán)境中)執(zhí)行回流過(guò)程?？蓪⒚恳粚?dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)接合到上覆第一發(fā)光裝置10b及下伏接合墊(421、422、423)。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的接合可同時(shí)發(fā)生。參考圖35c，以與圖32c的處理步驟相同的方式執(zhí)行激光輻射過(guò)程以使每一經(jīng)接合第一發(fā)光裝置10b與第一源襯底分離。激光器477的波長(zhǎng)將比提供到源襯底301b及經(jīng)轉(zhuǎn)移裝置(例如，第一發(fā)光二極管10b)的材料更多的加熱提供到燒蝕材料層130的材料?？裳虻赜蓙?lái)自層477的激光束輻射燒蝕材料層130中上覆第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431的每一部分以使每一下伏第一發(fā)光裝置10b分離。在一個(gè)實(shí)施例中，可在采用激光輻射的分離過(guò)程期間，將導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的溫度維持在低于回流溫度。替代地，可在采用激光輻射的分離過(guò)程期間，將導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的溫度維持在接近回流溫度。參考圖35d，可通過(guò)非選擇加熱(例如加熱爐加熱)將導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的溫度改變成預(yù)設(shè)溫度，本文稱之為“分離溫度”。分離溫度是第二及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(432、433)中的每一者可在其下分裂成兩部分而不會(huì)引起第二及第三接合結(jié)構(gòu)(432、433)中的額外斷裂的溫度。分離溫度可與回流溫度相同，可低于回流溫度(例如，達(dá)小于攝氏10度)，或可高于回流溫度(例如，達(dá)小于攝氏20度)。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的溫度可為圖35b的處理步驟處的回流溫度，可降低到低于在圖35c的處理步驟處的回流溫度的處理溫度，且可升高到圖35d的處理步驟處的分離溫度。在圖35c的激光燒蝕過(guò)程之后，第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431不附接到第一源襯底301b。隨著在分離溫度下遠(yuǎn)離背板401及第一發(fā)光二極管10b的第一子集拉動(dòng)第一源襯底301b與經(jīng)附接第一發(fā)光二極管10b(即，第一發(fā)光二極管10b的第一子集的補(bǔ)集)的組合件，第二及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(432、433)中的每一者可劃分成兩部分。舉例來(lái)說(shuō)，每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432可劃分成附接到第一發(fā)光裝置10b的第二上導(dǎo)電接合材料部分432u及附接到背板401的第二下導(dǎo)電接合材料部分432l，且每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433可劃分成附接到第一發(fā)光裝置10b的第三上導(dǎo)電接合材料部分433u及附接到背板401的第三下導(dǎo)電接合材料部分433l。上導(dǎo)電接合材料部分(432u或433u)中的導(dǎo)電接合材料的量與下伏下導(dǎo)電接合材料部分(432l或433l)中的導(dǎo)電接合材料的量的比可取決于分離溫度的選擇而為約1或小于1。參考圖35e，采用虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431上的第一發(fā)光二極管10b同時(shí)使第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431以與圖32e的處理步驟相同的方式回流。圖35a到35e的處理步驟可對(duì)應(yīng)于圖31b中說(shuō)明的步驟1，其中背板401對(duì)應(yīng)于圖31b中的背板bp1。可執(zhí)行等效處理步驟(其對(duì)應(yīng)于圖31b中說(shuō)明的步驟2)以采用圖31b中展示的轉(zhuǎn)移模式(或任何其它模式)將第二發(fā)光裝置10g的第一子集從第二源襯底g(其可為第二轉(zhuǎn)移襯底300g或第二類型生長(zhǎng)襯底100/500g)轉(zhuǎn)移到第二背板bp2的第一接合墊421。此類處理步驟可提供第二源襯底g，以全等于背板401上的第一發(fā)光二極管10b的模式的模式從第二源襯底g移除第二發(fā)光裝置10g的第一子集。參考圖35f，從其移除第二發(fā)光裝置10g的第一子集的第二源襯底(例如第二轉(zhuǎn)移襯底301g)定位于處理中第五示范性發(fā)光裝置組合件之上，且經(jīng)對(duì)準(zhǔn)使得第二發(fā)光二極管10g的第二子集上覆第二接合墊422。每一上導(dǎo)電接合材料部分(432u或433u)可在對(duì)準(zhǔn)過(guò)程之后對(duì)準(zhǔn)到下伏下導(dǎo)電接合材料部分(432l或433l)。參考圖35g，使背板401及包含第二發(fā)光二極管10g的組合件接觸彼此，同時(shí)將溫度升高到上導(dǎo)電接合材料部分(432u、433u)及下導(dǎo)電接合材料部分(432l、433l)的材料的回流溫度。同時(shí)使溫度斜升并減小上導(dǎo)電接合材料部分(432u、433u)與下導(dǎo)電接合材料部分(432l、433l)之間的分離距離可避免上導(dǎo)電接合材料部分(432u、433u)及下導(dǎo)電接合材料部分(432l、433l)破裂及/或避免上導(dǎo)電接合材料部分(432u、433u)與下導(dǎo)電接合材料部分(432l、433l)之間歸因于其不規(guī)則形狀而未對(duì)準(zhǔn)。每一對(duì)垂直鄰接的第二上導(dǎo)電接合材料部分432u與第二下導(dǎo)電接合材料部分432l合并以形成第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432。每一對(duì)垂直鄰接的第三上導(dǎo)電接合材料部分433u與第三下導(dǎo)電接合材料部分433l合并以形成第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433。將每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432接合到上覆第二發(fā)光裝置10g及下伏第二接合墊422。將每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433接合到上覆第二發(fā)光裝置10g及下伏第三接合墊423。參考圖35h，以與圖32h的處理步驟相同的方式執(zhí)行激光輻射過(guò)程以使每一經(jīng)接合第二發(fā)光裝置10g與第二源襯底分離。激光器477的波長(zhǎng)可將比提供到源襯底301g及經(jīng)轉(zhuǎn)移裝置(例如，第二發(fā)光二極管10g)的材料更多的加熱提供到燒蝕材料層130的材料?？裳虻赜蓙?lái)自層477的激光束輻射燒蝕材料層130中上覆第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432的每一部分以使每一下伏第二發(fā)光裝置10g分離。參考圖35i，在圖35c的激光燒蝕過(guò)程之后，第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432不附接到第二源襯底301b?？蓪?dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)的溫度改變成分離溫度，且在分離溫度下遠(yuǎn)離背板401及第一發(fā)光二極管10b的第一子集拉動(dòng)第二源襯底301g與經(jīng)附接第二發(fā)光二極管10g的組合件。可將第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433中的每一者劃分成兩部分。具體來(lái)說(shuō)，可將每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433劃分成附接到第一發(fā)光裝置10b的第三上導(dǎo)電接合材料部分433u及附接到背板401的第三下導(dǎo)電接合材料部分433l。第三上導(dǎo)電接合材料部分433u中的導(dǎo)電接合材料的量與下伏第三下導(dǎo)電接合材料部分433l中的導(dǎo)電接合材料的量的比可取決于分離溫度的選擇而為約1或小于1。參考圖35j，以與圖32j的處理步驟中相同的方式采用虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432上的第二發(fā)光二極管10g。圖35f到35j的處理步驟可對(duì)應(yīng)于圖31c中說(shuō)明的步驟6，其中背板401對(duì)應(yīng)于圖31c中的背板bp1。可執(zhí)行對(duì)應(yīng)于圖31b中的步驟3及圖31c中的步驟7的處理步驟以采用圖31b及31c中展示的轉(zhuǎn)移模式(或任何其它模式)將第三發(fā)光裝置10r的第一子集及第二子集從第三源襯底r(其可為第三轉(zhuǎn)移襯底300r或第三類型生長(zhǎng)襯底100/500r)轉(zhuǎn)移到額外背板(例如，圖31b中的bp3及圖31c中的bp4)的接合墊。此類處理步驟可提供第三源襯底r，以全等于背板401上的第一發(fā)光二極管10b與第二發(fā)光二極管10g的組合模式的模式從第三源襯底r移除第三發(fā)光裝置10r的第一子集及第二子集。參考圖35k，在先前處理步驟中已從其移除第三發(fā)光裝置10r的第一子集及第二子集的第三源襯底(例如第三轉(zhuǎn)移襯底301r)定位于處理中第五示范性發(fā)光裝置組合件之上，且經(jīng)對(duì)準(zhǔn)使得第三發(fā)光二極管10r的第三子集上覆第三接合墊423。在對(duì)準(zhǔn)過(guò)程之后，每一第三上導(dǎo)電接合材料部分433u可對(duì)準(zhǔn)到下伏第三下導(dǎo)電接合材料部分433l。參考圖35l，使背板401及包含第二發(fā)光二極管10g的組合件接觸彼此，同時(shí)將溫度升高到第三上導(dǎo)電接合材料部分433u及第三下導(dǎo)電接合材料部分433l的材料的回流溫度。同時(shí)使溫度斜升并減小第三上導(dǎo)電接合材料部分433u與第三下導(dǎo)電接合材料部分433l之間的分離距離可避免第三上導(dǎo)電接合材料部分433u及第三下導(dǎo)電接合材料部分433l破裂及/或避免第三上導(dǎo)電接合材料部分433u與第三下導(dǎo)電接合材料部分433l之間歸因于其不規(guī)則形狀而未對(duì)準(zhǔn)。每一對(duì)垂直鄰接的第三上導(dǎo)電接合材料部分433u與第三下導(dǎo)電接合材料部分433l合并以形成第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433。將每一第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433接合到上覆第二發(fā)光裝置10g及下伏第三接合墊423。參考圖35m，以與圖32m的處理步驟中相同的方式執(zhí)行激光輻射過(guò)程以使每一經(jīng)接合第三發(fā)光裝置10r與第三源襯底分離。參考圖35n，以與圖32n的處理步驟中相同的方式使第三源襯底301r與任何剩余第三發(fā)光二極管10r(如果存在)的組合件與背板401及現(xiàn)附接到背板401的第三發(fā)光二極管10r的第三子集分離。任選地，可以與圖32n的處理步驟中相同的方式采用虛設(shè)襯底700朝向背板401推動(dòng)第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433上的第三發(fā)光二極管10r。根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例，提供一種形成至少一個(gè)集成發(fā)光裝置組合件的方法。將包括第一源襯底301b及發(fā)射第一波長(zhǎng)的光的第一發(fā)光裝置10b的第一組合件安置在背板401之上。將第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b或431)安置在背板401與所述第一組合件之間。通過(guò)第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b或431)將第一發(fā)光裝置10b的第一子集接合到背板401。通過(guò)激光燒蝕上覆第一發(fā)光裝置10b的第一子集的材料部分130，使第一發(fā)光裝置10b的第一子集從第一源襯底301b脫離。使包括第一源襯底301b與第一發(fā)光裝置10b的第二子集的組合件與背板401分離，而第一發(fā)光裝置10b的第一子集仍接合到背板401，如圖14、32d、33d、34d及35d中說(shuō)明。在一個(gè)實(shí)施例中，提供包括第二源襯底301g及第二發(fā)光裝置10g的第二組合件。第二發(fā)光裝置10g發(fā)射不同于第一波長(zhǎng)的第二波長(zhǎng)的光。在形成第一圖案(例如圖31b中的第二源襯底g中的圖案或空缺)的空缺位置中不存在第二發(fā)光裝置10g。將包括第二源襯底301g及第二發(fā)光裝置10g的第二組合件安置在背板401之上。將第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432安置在背板401與第二組合件之間。當(dāng)將第二組合件安置在背板401之上時(shí)，第一圖案的空缺位置上覆第一發(fā)光裝置10b中接合到背板402的所有區(qū)域，如圖15、16、32f、32g、33f、33g、34f、34g、35f及35g中說(shuō)明。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430g或432)將第二發(fā)光裝置10g的第一子集接合到背板401。通過(guò)激光燒蝕上覆第二發(fā)光裝置10g的第一子集的材料部分130使第二發(fā)光裝置10g的第一子集從第二源襯底301g脫離。使包括第二源襯底301g及第二發(fā)光裝置10g的第二子集的組合件與背板401分離，而第二發(fā)光裝置10g的第一子集仍接合到背板401，如圖17、32i、33i、34i及35i中說(shuō)明。在一個(gè)實(shí)施例中，提供包括第三源襯底301r及第三發(fā)光裝置10r的第三組合件。第三發(fā)光裝置10r發(fā)射不同于第一波長(zhǎng)及第二波長(zhǎng)的第三波長(zhǎng)的光。在形成第二圖案(例如圖31c中的第三源襯底r之上的空缺位置的圖案)的空缺位置中不存在第三發(fā)光裝置10r。將包括第三源襯底301r及第三發(fā)光裝置10r的第三組合件安置在背板401之上。將第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430r或433)安置在背板401與第三組合件之間。在將第三組合件安置在背板401之上時(shí)，第二圖案中的空缺位置上覆第一及第二發(fā)光裝置(10b、10g)中接合到背板401的所有區(qū)域，如圖18、32k、32l、33k、33l、34k、34l、35k及35l中說(shuō)明。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430r或433)將第三發(fā)光裝置10r的第一子集接合到背板401。通過(guò)激光燒蝕上覆第三發(fā)光裝置10r的第一子集的材料部分130使第三發(fā)光裝置10r的第一子集從第三源襯底301r脫離。使包括第三源襯底301r及第三發(fā)光裝置10r的第二子集的組合件與背板401分離，而第三發(fā)光裝置10r的第一子集仍接合到背板401，如圖19中或圖32m、33m、34m或35m的處理步驟不久之后的處理步驟中說(shuō)明。在背板401上提供第一接合墊(420或421)及第二接合墊(420或421)。當(dāng)將第一組合件安置在背板401之上時(shí)，第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b或431)上覆第一接合墊(420或421)，且第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430g或432)上覆第二接合墊(420或422)。在將第一發(fā)光裝置10b的第一子集接合到背板401時(shí)，將第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b或431)接合到第一發(fā)光裝置10b的第一子集及第一接合墊(420或421)，如圖12、32b、33b、34b及35b中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，在將第一發(fā)光裝置10b的第一子集接合到背板401時(shí)，從第二接合墊(420或422)及第一發(fā)光裝置10b的第二子集選出的一組結(jié)構(gòu){(420或422)或10b}不以物理方式接觸第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430g或432)，如圖13、32b及33b中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，在將第一發(fā)光裝置10b的第一子集接合到背板401之前及在將第一發(fā)光裝置10b的第一子集接合到背板401時(shí)，將第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b或431)接合到第一接合墊(420或421)，且將第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430g或432)接合到第二接合墊(420或422)，如圖11及12中說(shuō)明且如上文針對(duì)第二到第五示范性集成發(fā)光裝置組合件解釋。在一些實(shí)施例中，在將第一發(fā)光裝置10b的第一子集接合到背板401之前及在將第一發(fā)光裝置10b的第一子集接合到背板401時(shí)，將第一及導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b或431)中的每一者接合到相應(yīng)第一發(fā)光裝置10b，如上文針對(duì)第一示范性集成發(fā)光裝置組合件解釋且如圖32a、32b、33a、33b、34a、34b、35a及35b中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，當(dāng)將第一組合件安置在背板之上時(shí)，第一發(fā)光二極管10b的近面(即，最接近背板401的表面，例如第一發(fā)光二極管10b的底表面)在水平平面內(nèi)，如圖12、32a、32b、33a、33b、34a、34b、35a及35b中說(shuō)明。在將第一組合件安置在背板401之上時(shí)，第一接合墊(420或421)比第二接合墊(420或422)接近水平平面的程度更接近水平平面，如圖12、32a及32b中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，第一接合墊421具有比第二接合墊422更大的厚度，如圖32a到32n中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，當(dāng)將第一組合件安置在背板401之上時(shí)，第一接合墊420的背面與水平平面垂直間隔開(kāi)比第二接合墊420的背面距水平平面更小的分離距離，如圖12中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，背板401具有階梯式表面，其具有距背板401的平面背面409具有不同分離距離的階梯式表面，且第一接合墊420定位于與第二接合墊420不同的階梯式表面上，如圖9到12中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，第一接合墊421與第二接合墊422具有相同厚度，且第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431具有比形成于其上的第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432更大的高度，如圖33a中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，在將第一發(fā)光裝置10b的第一子集接合到背板401時(shí)，第二接合墊422及第一發(fā)光裝置10b的第二子集以物理方式接觸第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432，如圖34b及35b中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，通過(guò)由選擇性地加熱如圖34b中說(shuō)明的每一第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)10b的激光束進(jìn)行輻射，將第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431接合到下伏第一接合墊421及上覆第一發(fā)光裝置10b。在一些實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光裝置10b的第一子集接合到背板401時(shí)，從第二接合墊422及第一發(fā)光裝置10b的第二子集選出的一組結(jié)構(gòu)(422或10b)不接合到第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432。在一些實(shí)施例中，通過(guò)均勻地加熱第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b或431)將第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b或431)接合到下伏第一接合墊(420或421)及上覆第一發(fā)光裝置10b，如圖12、32b、33b及35b中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光裝置10b的第一子集接合到背板401時(shí)，第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432接合到第二接合墊422及第一發(fā)光裝置10b的第二子集，如圖35b中說(shuō)明。在此情況中，可將第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432中的每一者分離成兩部分(432u、432l)同時(shí)使包括第一源襯底301b及第一發(fā)光裝置10b的第二子集的組合件與背板401分離，如圖35d中說(shuō)明。兩個(gè)部分(432u、432l)可包括接合到第二組內(nèi)的相應(yīng)第一發(fā)光裝置10b的上部432u及結(jié)合到相應(yīng)第二接合墊421的下部432l。在一些實(shí)施例中，在圖35b的處理步驟處的回流溫度下，將第一發(fā)光裝置10b的第一子集接合到第一接合墊421，且同時(shí)將第一發(fā)光裝置10b的第二子集接合到第二接合墊422?？稍诒葓D35c的處理步驟處的回流溫度低的溫度下執(zhí)行激光燒蝕。在圖35d的處理步驟處，包括第一源襯底301b及第一發(fā)光裝置10b的第二子集的組合件在分離溫度下與背板401分離，所述分離溫度可經(jīng)選擇以在一些情況中不小于回流溫度。在一些實(shí)施例中，在包括第一源襯底301b及第一發(fā)光裝置10b的第二子集的組合件與背板401分離之后，推動(dòng)第一發(fā)光裝置10b的第一子集使其更接近背板同時(shí)使第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)回流，如圖27、28、32e、33e、34e及35e中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，在推動(dòng)第一發(fā)光裝置10b的第一子集期間的垂直推動(dòng)距離可大于第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430g或432)與從上覆第一發(fā)光二極管10b及下伏第二接合墊(420或422)選出的結(jié)構(gòu)之間的間隙之中的最大高度。在第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430g或432)與上覆第一發(fā)光二極管10b之間可存在間隙，如圖12及13中說(shuō)明，或在第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430g或432)與下伏第二接合墊(420或422)之間可存在間隙，如圖32b及33b中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，可提供包括另一源襯底(401s或101s)及傳感器裝置10s的額外組合件。在形成另一圖案的空缺位置中不存在傳感器裝置10s，所述圖案可為例如圖31d中的第四源襯底s中的空缺位置的圖案。可將包括額外源襯底(401s或101s)及傳感器裝置10s的額外組合件安置在背板401之上?？蓪㈩~外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)420安置在背板401與額外組合件之間，且當(dāng)額外組合件安置在背板401之上時(shí)，額外圖案中的空缺位置上覆第一發(fā)光裝置10b(及第二及第三發(fā)光裝置(10g、10r)，如果存在)中接合到背板401的所有區(qū)域，如圖19中說(shuō)明。雖然未針對(duì)第二到第五集成發(fā)光裝置組合件明確描述傳感器裝置10s到背板401的轉(zhuǎn)移，但應(yīng)理解，在具有與背板401上的經(jīng)轉(zhuǎn)移離散裝置相同的間距的陣列配置中，可反復(fù)地采用相同的裝置轉(zhuǎn)移方法以轉(zhuǎn)移任何數(shù)目個(gè)不同類型的離散裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，可通過(guò)額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)420將傳感器裝置10s的第一子集接合到背板401?？赏ㄟ^(guò)激光燒蝕上覆傳感器裝置10s的第一子集的材料部分20，使傳感器裝置20s的第一子集從額外源襯底(401s或101s)脫離，如圖20中說(shuō)明?？墒拱~外源襯底(401s或101s)及傳感器裝置10s的第二子集的組合件與背板401分離，而傳感器裝置10的第一子集仍接合到背板401，如圖21中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，通過(guò)使激光束循序地輻射第一子集中的每一第一發(fā)光裝置10b，使第一發(fā)光裝置10b的第一子集一次一個(gè)地從第一源襯底(401b或101b)脫離，如圖13、32c、33c、34c及35c中說(shuō)明。在背板401上提供第一接合墊(420、421)，且當(dāng)?shù)谝话l(fā)光裝置10b的第一子集接合到背板401時(shí)，第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b或431)中的每一者接合到相應(yīng)第一接合墊(420、421)及第一子集中的相應(yīng)第一發(fā)光裝置10b。在一些實(shí)施例中，在將第一發(fā)光二極管的第一子集接合到背板401時(shí)，第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430g或432)安置在第一發(fā)光裝置10b的第二子集與定位于背板401上的第二接合墊(420、422)之間，且每一第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430g或432)接合到第二子集內(nèi)的上覆第一發(fā)光裝置10b及下伏第二接合墊(420、422)中的一者，且不以物理方式接觸第二子集內(nèi)的上覆第一發(fā)光裝置10b及下伏第二接合墊(420、422)中的另一者，如圖13、32b及33b中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，背板401在頂側(cè)處具備階梯式水平面，如圖9到23及25到29中說(shuō)明。階梯式水平面可包括定位于第一水平面平面hsp1內(nèi)的階梯式水平面的第一子集及定位于比階梯式水平面的第一子集接近背板401的平面背面409的程度更接近背板401的平面背面409的第二水平面平面hsp2內(nèi)的階梯式水平面的第二子集，如圖9中說(shuō)明。在此情況中，可在階梯式水平面的第一子集處形成第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)420，且可在階梯式水平面的第二子集處形成第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)420。階梯式水平面可包括定位于比階梯式水平面的第二子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409的第三水平面平面hsp3內(nèi)的階梯式水平面的第三子集，且可在階梯式水平面的第三子集處形成第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)420。在一個(gè)實(shí)施例中，包括第一源襯底(401b、101b)及第一發(fā)光裝置10b的第一組合件可進(jìn)一步包括釋放層20，其接觸第一源襯底且包括以從紫外范圍、可見(jiàn)范圍及紅外范圍選出的波長(zhǎng)吸收光的材料。接合材料層30可接觸釋放層20及第一發(fā)光裝置10b?？蛇x擇性地移除釋放層20(其是燒蝕材料層130)中上覆第一發(fā)光裝置10b的第一子集的第一部分，而不移除釋放層20中上覆第一發(fā)光裝置10b的第二子集的第二部分。在一些實(shí)施例中，釋放層20包括氮化硅，激光波長(zhǎng)是紫外波長(zhǎng)，且使用激光束輻射釋放層20的第一部分會(huì)燒蝕釋放層20的第一部分。在一些實(shí)施例中，第一源襯底可為在其上制造第一發(fā)光裝置10b的生長(zhǎng)襯底500b的上部530?？赏ㄟ^(guò)使生長(zhǎng)襯底500b的上部530與生長(zhǎng)襯底500b的下部分離來(lái)提供第一源襯底101b。在一個(gè)實(shí)施例中，生長(zhǎng)襯底500b可包括iii-v族化合物半導(dǎo)體材料，且可為iii-v族化合物半導(dǎo)體襯底。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供集成發(fā)光裝置組合件，其包括在頂側(cè)處具有階梯式水平面的背板401。階梯式水平面包括定位于第一水平面平面hsp1內(nèi)的階梯式水平面的第一子集及及定位于比階梯式水平面的第一子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409的第二水平面平面hsp2內(nèi)的階梯式水平面的第二子集，如圖9中說(shuō)明。集成發(fā)光裝置組合件可包括上覆背板401的階梯式水平面的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430包括上覆階梯式水平面的第一子集的第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b及上覆階梯式水平面的第二子集的第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g。集成發(fā)光裝置組合件可包括接合到導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430的發(fā)光裝置(10b、10g、10r)。發(fā)光裝置(10b、10g、10r)可包括發(fā)射第一波長(zhǎng)的光且上覆階梯式水平面的第一子集的第一發(fā)光裝置10b及發(fā)射第二波長(zhǎng)的光且上覆階梯式水平面的第二子集的第二發(fā)光裝置10g。在一些實(shí)施例中，包含第一發(fā)光裝置10b與第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b之間的界面的第一水平界面平面比第二發(fā)光裝置10g與第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g之間的第二水平界面平面距第二水平面平面更遠(yuǎn)，如圖22、23、24、25及29中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，階梯式水平面進(jìn)一步包括定位于比階梯式水平面的第二子集更接近背板401的背面409的第三水平面平面hsp3內(nèi)的階梯式水平面的第三子集，如圖9中說(shuō)明。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430可進(jìn)一步包括上覆階梯式水平面的第三子集的第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置(10b、10g、10r)進(jìn)一步包括發(fā)射第三波長(zhǎng)的光且上覆階梯式水平面的第三子集的第三發(fā)光裝置10r。包含第三發(fā)光裝置10r與第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r之間的界面的第三水平界面平面可比第二水平界面平面接近第二水平面平面hsp2的程度更接近第二水平面平面hsp2，如圖22、23、24、25及29中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g具有比第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430b更大的高度，如圖22、23、24、25及29中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430r具有比第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430g更大的高度，如22、23、24、25及29中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，集成發(fā)光裝置組合件可包括通過(guò)第四導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)430s接合到背板401的傳感器裝置10s。在一些實(shí)施例中，包含第一發(fā)光裝置10b的頂表面的第一水平頂平面可比包含第二發(fā)光裝置10g的頂表面的第二水平頂平面接近第二水平面平面hsp2的程度更接近第二水平面平面hsp2，如圖22、23、24、25及29中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置(10b、10g、10r)進(jìn)一步包括發(fā)射第三波長(zhǎng)的光且上覆階梯式水平面的第三子集的第三發(fā)光裝置10r。包含第三發(fā)光裝置10r的頂表面的第三水平頂平面可比第二水平頂平面距第二水平面平面距第二水平面平面更遠(yuǎn)，如圖22、23、24、25及29中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，第二發(fā)光裝置10g可具有比第一發(fā)光裝置10g更大的高度，如圖22、23、24、25及29中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，第三發(fā)光裝置10r可具有比第二發(fā)光裝置10g更大的高度。在一些實(shí)施例中，可將發(fā)光裝置(10b、10g、10r)布置于周期陣列中，其中相鄰發(fā)光裝置沿著水平方向的中心到中心距離是單位距離的整數(shù)倍。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供包括接合到背板401的第一發(fā)光裝置10b及第二發(fā)光裝置10g的集成發(fā)光裝置組合件。每一第一發(fā)光裝置10b以第一波長(zhǎng)發(fā)射光，且每一第二發(fā)光裝置10g以不同于第一波長(zhǎng)的第二波長(zhǎng)發(fā)射光。每一第一發(fā)光裝置10b通過(guò)包含第一接合墊(420或421)及第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b或431)的第一堆疊接合到背板401。每一第二發(fā)光裝置10g通過(guò)包含第二接合墊(420或422)及第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430g或432)的第二堆疊接合到背板401。包含第一接合墊(420或421)與第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430b或431)之間的第一界面的第一平面從包含第二接合墊(420或422)與第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430g或432)之間的第二界面的第二平面垂直偏移，如圖22、23、24、25、29及32中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，第一發(fā)光裝置10b及第二發(fā)光裝置10g的遠(yuǎn)端面(即，頂表面)可在與圖32n中說(shuō)明的第一及第二平面間隔開(kāi)且平行于第一及第二平面的相同平面內(nèi)。在一些實(shí)施例中，第一接合墊421可具有第一厚度，且第二接合墊422可具有小于第一厚度的第二厚度，如圖32n中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，第一接合墊420及第二接合墊420可具有相同厚度且可定位于階梯式表面上。第一接合墊420的底表面定位于階梯式表面的第一子集上，且第二接合墊420的底表面定位于從階梯式表面的第一子集垂直偏移的階梯式表面的第二子集上，如圖22、23、24、25及29中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432具有第一高度，且第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432具有小于第一高度的第二高度，如圖32n中說(shuō)明。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)中的每一者可在形成之后(例如，在圖32a的處理步驟處)形成有相同體積，且第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431及第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432中的每一者可具有相同體積。第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431及第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432可具有相同材料組成。在一些實(shí)施例中，第一接合墊421可具有第一厚度，第二接合墊422可具有第二厚度，且第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431的第一厚度與第一高度的和可與第二接合結(jié)構(gòu)432的第二厚度與第二高度的和相同，如圖32n中說(shuō)明。在一些實(shí)施例中，第三發(fā)光裝置10r可接合到背板401。每一第三發(fā)光裝置10r以不同于第一波長(zhǎng)及第二波長(zhǎng)的第三波長(zhǎng)發(fā)射光。每一第三發(fā)光裝置10r可通過(guò)包含第三接合墊423及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433的第三堆疊接合到背板401。包含第三接合墊423與第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433之間的第三界面的第三平面可從第一平面及第二平面垂直偏移。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供包括接合到背板401的第一發(fā)光裝置10b及第二發(fā)光裝置10g的集成發(fā)光裝置組合件。每一第一發(fā)光裝置10b以第一波長(zhǎng)發(fā)射光，且每一第二發(fā)光裝置10g以不同于第一波長(zhǎng)的第二波長(zhǎng)發(fā)射光。每一第一發(fā)光裝置10b可通過(guò)包含第一接合墊421及第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431的第一堆疊接合到背板401，且每一第二發(fā)光裝置10g可通過(guò)包含第二接合墊422及第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432的第二堆疊接合到背板401。第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431與第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432可具有相同高度。第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431中的每一者可具有第一體積，且第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432中的每一者可具有小于第一體積的第二體積，如圖33n中說(shuō)明。第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431、第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432與第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433可具有與圖33a的處理步驟處形成的體積不同的體積。舉例來(lái)說(shuō)，第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431的體積可大于第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432的體積，且第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432的體積可大于第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433的體積。導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(431、432、433)可具有與圖33a的處理步驟處所形成的近似相同的橫向范圍及不同的垂直范圍。在一些實(shí)施例中，第一發(fā)光裝置10b及第二發(fā)光裝置10g的遠(yuǎn)端面(即，頂表面)可在相同水平平面內(nèi)，所述平面與背板401的頂表面及背板401的背面409間隔開(kāi)且平行于背板401的頂表面及背板401的背面409。在一些實(shí)施例中，第一接合墊421與第二接合墊422可具有與圖33n中所說(shuō)明的相同的厚度。在一些實(shí)施例中，第一接合墊421及第二接合墊422的底表面可定位于包含背板401的頂表面的相同平面內(nèi)。在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)421與第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)422可具有相同的材料組成。在一些實(shí)施例中，可將第三發(fā)光裝置10r接合到背板401。每一第三發(fā)光裝置10r以不同于第一波長(zhǎng)及第二波長(zhǎng)的第三波長(zhǎng)發(fā)射光。每一第三發(fā)光裝置10r可通過(guò)包含第三接合墊423及第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433的第三堆疊接合到背板401。第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)431、第二導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)432與第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433可具有相同的高度，且第三導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)433中的每一者可具有小于第二體積的第三體積。根據(jù)本發(fā)明的一方面，可圍繞低熔點(diǎn)金屬、共晶體及快速擴(kuò)散反應(yīng)設(shè)計(jì)用于熱敏工藝的超低溫度接合。組合分離接合墊組合物導(dǎo)致稱為選擇性裸片接合的過(guò)程。雖然描述了采用包含銦(in)、錫(sn)及碲(te)三種材料的組合物的本發(fā)明，但可結(jié)合對(duì)應(yīng)接合墊冶金術(shù)采用從下文表1選出的且具有不同熔融溫度的任何多種材料的組合物作為一組焊接材料以實(shí)現(xiàn)在多個(gè)階段中循序地接合裸片(裝置)。此外，可采用多種類型的接合材料實(shí)施本發(fā)明的特征。三個(gè)實(shí)施例包含：完全可逆的純金屬鍵；部分可逆共晶反應(yīng)；及幾乎不可逆低溫?cái)U(kuò)散反應(yīng)。將具有in(熔點(diǎn)156℃)、sn(熔點(diǎn)232℃)及te(熔點(diǎn)449℃)的完全可逆的純金屬鍵沉積在待接合的裝置的一個(gè)側(cè)或兩個(gè)側(cè)上?？啥啻沃匦氯廴谇抑匦录庸そ雍辖缑?。必須將每一金屬沉積于適當(dāng)擴(kuò)散屏障及與下伏裝置或襯底一致的粘合層的頂部上。舉例來(lái)說(shuō)，可在pt/ti/cr上采用sn。層的厚度可從10nm到數(shù)微米變化。熔融焊料的橫向流動(dòng)由接合條件、接合墊幾何形狀、潤(rùn)濕層設(shè)計(jì)及熱壓縮接合參數(shù)控制。部分可逆的共晶反應(yīng)是鍵，其中合金系統(tǒng)包含相位圖(例如，cu-sn)系統(tǒng)中的一系列級(jí)聯(lián)共晶反應(yīng)或具有經(jīng)延長(zhǎng)兩相液體加鄰接共晶點(diǎn)的固相區(qū)域。這些鍵在接合界面的組成經(jīng)設(shè)計(jì)使得兩種合金組分的混合(擴(kuò)散)增加合金的溫度但仍含有純組分及具有低熔點(diǎn)的固溶體時(shí)是部分可逆的。反應(yīng)是部分可逆的，這是因?yàn)榻?jīng)反應(yīng)合金將形成在低溫下不會(huì)重新熔融的金屬間化合物。此類型的裸片接合方法還可在金屬層的厚度經(jīng)設(shè)計(jì)以導(dǎo)致將低熔點(diǎn)材料完全消耗成更高穩(wěn)定性的金屬間化合物時(shí)導(dǎo)致永久接合。這些系統(tǒng)通常將允許至少一個(gè)重新熔融及重新接合序列及多達(dá)四個(gè)或四個(gè)以上的序列(au-sn)。將在稍微高于最低熔點(diǎn)組分的熔點(diǎn)下完成第一接合。重新加工溫度將比第一接合溫度高大約10℃到15℃。隨著在合金形成中消耗掉越來(lái)越多的更高溫組分，重新接合/重新加工溫度將升提高。必須將每一金屬沉積在適當(dāng)擴(kuò)散屏障及與下伏裝置或襯底一致的粘合層的頂部上。舉例來(lái)說(shuō)，可在pt/ti/cr上采用sn。層的厚度可從10nm到數(shù)微米變化。熔融焊料的橫向流動(dòng)由接合條件、接合墊幾何形狀、濕潤(rùn)層設(shè)計(jì)及熱壓縮接合參數(shù)控制。幾乎不可逆的低溫?cái)U(kuò)散反應(yīng)是系統(tǒng)，其中有可能因?yàn)榭焖贁U(kuò)散過(guò)程及穩(wěn)定的高溫化合物的形成而僅可重新加工接合接點(diǎn)僅僅一次。反應(yīng)較快，但可結(jié)合快速熱過(guò)程使用以抑制化合物形成，且允許剩余低溫固溶體的熔融。必須將每一金屬沉積于適當(dāng)擴(kuò)散屏障及與下伏裝置或襯底一致的粘合層的頂部上。舉例來(lái)說(shuō)，可在pt/ti/cr上采用sn。層的厚度可從10nm到數(shù)微米變化。熔融焊料的橫向流動(dòng)由接合條件、接合墊幾何形狀、濕潤(rùn)層設(shè)計(jì)及熱壓縮接合參數(shù)控制。示范性系統(tǒng)包含(但不限于)具有低于450℃的反應(yīng)溫度、已展示為部分或完全可逆的系統(tǒng)。純金屬完全可逆系統(tǒng)是in-in、sn-sn及te-te。完全及部分可逆的鍵包含in、sn或te中的一或多者。對(duì)于基于錫的接點(diǎn)，最著名的實(shí)例是in-sn、cu-sn、au-sn、ag-sn、al-sn、pd-sn、ge-sn、ni-sn。對(duì)于基于銦的接點(diǎn)，最顯著的系統(tǒng)是in-sn、ag-in、au-in、cu-in、in-pt、in-pd。所關(guān)注碲系統(tǒng)是in-te、sn-te、ag、te、cu-te及ge-te。在經(jīng)接合系統(tǒng)的選擇區(qū)域中，組合這些基礎(chǔ)低溫反應(yīng)允許選擇性地轉(zhuǎn)移經(jīng)混合技術(shù)或裸片類型。襯底可具備不同類型的焊接材料。在一個(gè)實(shí)施例中，可將焊接材料體現(xiàn)為上文描述的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)(430、431、432、433)。替代地，如果接合方案采用直接接合墊到接合墊接合，那么上文描述的接合墊(420、421、422、423)可包含焊接材料。舉例來(lái)說(shuō)，如果支撐襯底由in、sn及te的接合墊組成且配合部件具有銅接合墊，那么可使用以下序列僅在in、sn或te位置處選擇性地接合部件。首先，以與cu具有第一共晶點(diǎn)(其是三種共晶點(diǎn)之中的最低共晶點(diǎn))的第一材料(例如，in)開(kāi)始，可將襯底加熱到剛好超過(guò)第一共晶點(diǎn)(例如，針對(duì)in-cu系統(tǒng)的情況為156℃)，且所述襯底由第一含cu墊裸片(即，包含銅接合墊的第一裝置10b)接觸。此將形成共晶合金，且取決于第一含cu墊裸片保持接觸的時(shí)間長(zhǎng)度及溫度，接點(diǎn)將形成穩(wěn)定的金屬間化合物，其在后續(xù)重新加熱過(guò)程期間將不會(huì)重新熔融直到超過(guò)310℃。具有sn或te的其它位置將不會(huì)在此低溫下與cu材料顯著反應(yīng)。其次，可通過(guò)放置第二含cu墊裸片及將經(jīng)接觸部件的溫度升高到剛好超過(guò)第二材料(例如，sn)與cu的第二共晶點(diǎn)，將第二含cu墊裸片，即，包含銅接合墊的第二裝置10g，接合到襯底。第二共晶點(diǎn)高于第一共晶點(diǎn)，且低于第三材料與cu的第三共晶點(diǎn)。假如sn是第二材料，那么第二共晶溫度是186℃。可將襯底加熱到剛好超過(guò)第二共晶點(diǎn)，且所述襯底可由第二含cu墊裸片(即，第二裝置10g的銅接合墊)接觸。此將形成共晶合金，且取決于第二含cu墊裸片保持接觸的時(shí)間長(zhǎng)度及溫度，接點(diǎn)將形成將在后續(xù)重新加熱過(guò)程期間不會(huì)重新熔融直到超過(guò)340℃的穩(wěn)定的金屬間化合物。金屬間化合物使接點(diǎn)穩(wěn)定。最后，可通過(guò)放置第三含cu墊裸片及將經(jīng)接觸部件的溫度升高到剛好超過(guò)第三材料(例如，te)與cu的第三共晶點(diǎn)，將第三含cu墊裸片，即，包含銅接合墊的第三裝置10r，接合到襯底。如果第三材料是te，那么第三共晶溫度是約340℃。提供額外接合方案，其中襯底(例如背板401)及裸片(其可為裝置中的任何者)具有交錯(cuò)反應(yīng)溫度的多種經(jīng)組合冶金術(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，襯底可含有具有in、sn及te接合墊的位點(diǎn)?？稍?44℃下將具有至少一個(gè)au接合墊的第一裸片(例如第一發(fā)光裝置10b)接合到in位點(diǎn)，可在186℃到227℃下將具有至少一個(gè)cu接合墊的第二裸片(例如第二發(fā)光裝置10g)接合到sn位點(diǎn)，且可在295℃到353℃下將具有至少一個(gè)ag接合墊的第三裸片(例如第三發(fā)光裝置10r)接合到te位點(diǎn)。許多組合物是可能的，且各種類型的接合墊的層的厚度可經(jīng)調(diào)整，使得在每一選擇性裸片附接階段處，存在足夠的剩余in、sn或te以實(shí)現(xiàn)個(gè)別鍵的重新熔融及重新加工?？山Y(jié)合上文描述的裸片(裝置)轉(zhuǎn)移方法中的任何者采用采用具有與常用接合墊材料(例如cu、au、ag、sn或in)不同的共晶溫度的多種類型的焊接材料的各種方法。表1列舉了所關(guān)注冶金系統(tǒng)及初始選擇性裸片附接的最低接合溫度。表1：可采用以提供具有針對(duì)本發(fā)明的各種接合方案的不同共晶溫度的一組共晶系統(tǒng)的示范性共晶系統(tǒng)及相應(yīng)共晶溫度。二元合金系統(tǒng)最低接合溫度(℃)au-pd100in-sn120ag-in144au-in153cu-in153in-pt154in-pd156in-te156cu-sn186sn-zn199au-sn217ag-sn221al-sn228sn-te228pd-sn230ge-sn231ni-sn231sn-ti231cr-sn232nb-sn232sn-sn232au-cu240cu-ni250ag-te295cu-te340al-cr350au-ge360au-si363ge-te365cu-pd400cu-pt418根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供任選地具有階梯式水平面及任選地嵌入金屬互連結(jié)構(gòu)的背板。第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)形成于第一階梯式水平面上。第一轉(zhuǎn)移襯底上的第一發(fā)光裝置安置在第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)上，且第一發(fā)光裝置的第一子集接合到第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)。可采用激光輻射以選擇性地使第一發(fā)光裝置的第一子集從第一轉(zhuǎn)移襯底斷開(kāi)，而第一發(fā)光裝置的第二子集仍附接到第一轉(zhuǎn)移襯底?？刹捎孟嗤椒▽⒚恳活~外轉(zhuǎn)移襯底上的額外裝置接合到背板上的額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)，條件是在將與接合位置處的背板上預(yù)先存在的第一發(fā)光裝置或裝置重疊的位置中不存在所述額外裝置。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，可直接或通過(guò)轉(zhuǎn)移襯底將不同類型的離散裝置從多個(gè)生長(zhǎng)襯底轉(zhuǎn)移到多個(gè)背板?？刹捎枚嗖睫D(zhuǎn)移序列防止離散裝置碰撞?？稍诿恳晦D(zhuǎn)移步驟處，將裝置的子集從所選擇的源襯底轉(zhuǎn)移到所選擇的背板。可采用接合過(guò)程與激光燒蝕過(guò)程的組合以轉(zhuǎn)移離散裝置。可通過(guò)采用在先前經(jīng)附接裝置與待轉(zhuǎn)移的裝置之間提供差值高度的方案避免源襯底與背板上先前經(jīng)附接裝置之間的碰撞?？刹捎帽嘲迳系碾A梯式水平面、具有不同厚度的接合墊及/或具有不同高度的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)以提供差值高度。也可采用虛設(shè)襯底以將先前經(jīng)接合裝置推動(dòng)到更接近背板。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供任選地具有階梯式水平面且任選地嵌入金屬互連結(jié)構(gòu)的背板。第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)形成于第一階梯式水平面上。第一轉(zhuǎn)移襯底上的第一發(fā)光裝置安置在第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)上，且第一發(fā)光裝置的第一子集接合到第一導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)?？刹捎眉す廨椛湟赃x擇性地使第一發(fā)光裝置的第一子集從第一轉(zhuǎn)移襯底斷開(kāi)，而第一發(fā)光裝置的第二子集仍接合到第一轉(zhuǎn)移襯底?？刹捎孟嗤椒▽⒚恳活~外轉(zhuǎn)移襯底上的額外裝置接合到背板上的額外導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)，條件是在將與接合位置處的背板上預(yù)先存在的第一發(fā)光裝置或裝置的位置中不存在所述額外裝置。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，可直接或通過(guò)轉(zhuǎn)移襯底將不同類型的離散裝置從多個(gè)生長(zhǎng)襯底轉(zhuǎn)移到多個(gè)背板?？刹捎枚嗖睫D(zhuǎn)移序列防止離散裝置的碰撞?？稍诿恳晦D(zhuǎn)移步驟處將裝置的子集從所選擇的源襯底轉(zhuǎn)移到所選擇的背板?？刹捎媒雍线^(guò)程與激光燒蝕過(guò)程的組合以轉(zhuǎn)移離散裝置?？赏ㄟ^(guò)采用在先前經(jīng)附接裝置與待轉(zhuǎn)移的裝置之間提供差值高度的方案避免源襯底與背板上的先前經(jīng)附接裝置之間的碰撞?？刹捎帽嘲迳系碾A梯式水平面、具有不同厚度的接合墊及/或具有不同高度的導(dǎo)電接合結(jié)構(gòu)以提供差值高度。也可采用虛設(shè)襯底以將先前經(jīng)接合裝置推動(dòng)到更接近背板。根據(jù)本發(fā)明的再一方面，可直接或通過(guò)轉(zhuǎn)移襯底將不同類型的離散裝置從多個(gè)生長(zhǎng)襯底轉(zhuǎn)移到多個(gè)背板?？刹捎枚嗖睫D(zhuǎn)移序列防止離散裝置的碰撞?？稍诿恳晦D(zhuǎn)移步驟處將裝置的子集從所選擇的源襯底轉(zhuǎn)移到所選擇的背板。可采用接合過(guò)程與激光燒蝕過(guò)程的組合以轉(zhuǎn)移離散裝置。可采用具有不同共晶溫度的多種類型的焊接材料以實(shí)現(xiàn)不同類型的離散裝置的循序接合，而不會(huì)誘發(fā)先前經(jīng)接合裝置的塌陷。盡管前述內(nèi)容參考特定優(yōu)選實(shí)施例，但應(yīng)理解，本發(fā)明并非如此受限。所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員應(yīng)想到，可對(duì)所揭示的實(shí)施例做出各種修改，且此類修改希望是在本發(fā)明的范圍內(nèi)。在本發(fā)明中說(shuō)明采用特定結(jié)構(gòu)及/或配置的實(shí)施例的情況中，應(yīng)理解，可使用任何其它兼容結(jié)構(gòu)及/或功能等效的配置實(shí)踐本發(fā)明，條件是未明確禁止此類替代或所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員另外知曉此類替代并非不可能。當(dāng)前第1頁(yè)12