本發(fā)明涉及半導體器件，特別是涉及安裝有功率用半導體元件的半導體器件。
背景技術：
：：近年來，安裝有功率用半導體元件的半導體器件處于高性能化以及小型化的傾向，要求比以往更高的散熱性能。這樣的半導體器件中的功率用半導體元件在與其周圍的部件之間確保絕緣性的同時，要求向該周圍的部件或者部件的外部的高的散熱特性。因此，在這樣的半導體器件中，大多使用兼具熱傳導性和絕緣性的陶瓷基板。但是，陶瓷基板存在易碎而加工性差這樣的缺點。另一方面，最近在要求散熱特性的半導體器件中，經(jīng)常使用絕緣片。絕緣片是例如在樹脂中填充由陶瓷顆粒構成的無機粉末填充材料而得到的。例如在國際公開第2012/073306號(專利文獻1)的功率模塊中，以覆蓋散熱板的上表面的方式配置的絕緣片在確保引線框與散熱板之間的電氣性的絕緣性的同時，提高從引線框向散熱板的熱傳導效率。而且，國際公開第2012/073306號的功率模塊具有利用環(huán)氧樹脂將功率用半導體元件、散熱板、絕緣片等密封的結(jié)構。另外，在該功率模塊中，引線框的厚度在其正上載置功率用半導體元件的區(qū)域和其以外的用于與外部電連接的區(qū)域之間是不同的。通過使用這樣的在區(qū)域之間厚度不同的引線框，從而能夠?qū)⒁€框與散熱板之間的例如沿著散熱板的表面的方向的距離即所謂沿面距離確保得較長，由此能夠進一步提高引線框與散熱板之間的電氣性的絕緣性?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻1：國際公開第2012/073306號技術實現(xiàn)要素：國際公開第2012/073306號所公開的在區(qū)域之間厚度不同的引線框如上所述能夠提高散熱性和絕緣性，但存在其制造成本高漲這樣的問題。對此，例如在整體上厚度大致恒定但以使延伸方向變更的方式進行了彎曲加工的樣式的引線框在其設置時易于抖動而變得不穩(wěn)定，所以存在如下問題：為了控制位置而準備夾具等，所需的工序增加。另外，如果使用整體平坦的(未進行彎曲加工的)樣式的引線框，則無法確保其與散熱板之間的沿面距離，兩者之間的絕緣性有可能降低。本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于提供一種不會使制造成本高漲而能夠確保引線框與散熱板之間的絕緣性以及散熱特性這雙方的半導體器件。本發(fā)明的半導體器件具備密封樹脂、散熱板、絕緣片、引線框以及半導體元件。散熱板被密封于密封樹脂內(nèi)。在密封樹脂內(nèi)以與散熱板的一個主表面相接的方式安裝有絕緣片。引線框以從密封樹脂內(nèi)到達密封樹脂外的方式延伸，并以相接到絕緣片的與散熱板相反的一側(cè)的主表面上的方式被載置。半導體元件在密封樹脂內(nèi)接合到引線框的與絕緣片相反的一側(cè)的主表面的至少一部分。絕緣片的與引線框相接的一側(cè)的表面在絕緣片的包括俯視時的最外端的至少一部分的端部區(qū)域中，以從引線框遠離的方式具有傾斜地變低。密封樹脂在端部區(qū)域中進入到引線框與絕緣片之間。引線框至少在密封樹脂內(nèi)是平坦的。根據(jù)本發(fā)明，引線框平坦，所以不需要彎曲加工等。另外，安裝于散熱板的絕緣片的端部區(qū)域具有以從引線框遠離的方式變低的樣式。因此，不會使制造成本高漲而能夠確保引線框與散熱板之間的絕緣性以及散熱特性這雙方。附圖說明圖1是示出實施方式1的功率用半導體器件的結(jié)構的概要剖面圖。圖2是示出實施方式1中的圖1的用虛線包圍的區(qū)域ii中的散熱板的形狀以及尺寸的概要放大剖面圖(a)以及示出實施方式1中的圖1的用虛線包圍的區(qū)域ii中的散熱板以及絕緣片的形狀以及尺寸的概要放大剖面圖(b)。圖3是示出在實施方式1的散熱板以及絕緣片中形成作為端部區(qū)域的c面的樣式的第1例的概要俯視圖(a)、示出在實施方式1的散熱板以及絕緣片中形成作為端部區(qū)域的c面的樣式的第2例的概要俯視圖(b)以及示出在實施方式1的散熱板以及絕緣片中形成作為端部區(qū)域的c面的樣式的第3例的概要俯視圖(c)。圖4是示出實施方式1的功率用半導體器件的制造方法的第1工序的概要剖面圖。圖5是示出實施方式1的功率用半導體器件的制造方法的第2工序的概要剖面圖。圖6是示出實施方式1的功率用半導體器件的制造方法的第3工序的概要剖面圖。圖7是示出實施方式1的功率用半導體器件的制造方法的第4工序的概要剖面圖。圖8是示出實施方式1的功率用半導體器件的制造方法的第5工序的概要剖面圖。圖9是示出實施方式1的功率用半導體器件的制造方法的第6工序的概要剖面圖。圖10是示出圖6所示的在散熱板安裝有絕緣片的結(jié)構的制造方法的第1工序的概要剖面圖。圖11是示出圖6所示的在散熱板安裝有絕緣片的結(jié)構的制造方法的第2工序的概要剖面圖。圖12是示出圖6所示的在散熱板安裝有絕緣片的結(jié)構的制造方法的第3工序的概要剖面圖。圖13是示出比較例的功率用半導體器件的結(jié)構的概要剖面圖。圖14是示出實施方式2中的與圖1的用虛線包圍的區(qū)域ii相當?shù)膮^(qū)域中的散熱板的形狀以及尺寸的概要放大剖面圖(a)以及示出實施方式2中的與圖1的用虛線包圍的區(qū)域ii相當?shù)膮^(qū)域中的散熱板以及絕緣片的形狀以及尺寸的概要放大剖面圖(b)。圖15是示出實施方式3的功率用半導體器件的結(jié)構的概要剖面圖。圖16是示出實施方式3中的圖15的用虛線包圍的區(qū)域xvi中的散熱板以及絕緣片的形狀以及尺寸的概要放大剖面圖。圖17是示出實施方式3中的在散熱板安裝有絕緣片的結(jié)構的制造方法的第1工序的概要剖面圖。圖18是示出實施方式3中的在散熱板安裝有絕緣片的結(jié)構的制造方法的第2工序的概要剖面圖。圖19是示出實施方式3中的在散熱板安裝有絕緣片的結(jié)構的制造方法的第3工序的概要剖面圖。圖20是示出實施方式3中的在散熱板安裝有絕緣片的結(jié)構的制造方法的第4工序的概要剖面圖。(符號說明)1：半導體元件；2：散熱板；2c、3c：c面；2e、3e：最外端；3：絕緣片；4：引線框；4a：內(nèi)側(cè)引線框；4b：外側(cè)引線框；5：內(nèi)部引線；6、6a、6b：接合材料；7：接合線(bondingwire)；8：密封樹脂；8a：密封材料平板(sealingmaterialtablet)；9：模具；9a：上側(cè)模具；9b：下側(cè)模具；10：罐(pot)；11：接合用熱傳導材料；12：散熱器；13、15：沖壓加工機；13a、15a：沖壓下面板(presslowerfaceplate)；13b、15b：沖壓上面板(pressupperfaceplate)；14：緩沖片；100、110、150：半導體器件；er：端部區(qū)域。具體實施方式以下，根據(jù)附圖，說明本發(fā)明的實施方式。(實施方式1)首先，使用圖1～圖3，說明本實施方式的功率用的半導體器件100的結(jié)構。參照圖1，本實施方式的半導體器件100主要具有半導體元件1、散熱板2、絕緣片3、引線框4以及內(nèi)部引線5。在例如由具有長方體形狀的散熱板2以及具有平板形狀的絕緣片3構成的基座之上，以夾著引線框4進行搭載的方式配置有半導體元件1。反過來說，散熱板2是用于將在驅(qū)動半導體元件1時發(fā)出的熱釋放到半導體器件100的外部的部件，它配置于半導體元件1之下。絕緣片3為了使半導體元件1和散熱板2以及引線框4和散熱板2電氣性地絕緣而被夾在它們之間。具體而言，絕緣片3是以與散熱板2的一個主表面(圖1的上側(cè)的主表面)相接的方式安裝的平板狀的部件。絕緣片3由于高的絕緣性以及優(yōu)良的使用性而被用于如功率用的半導體器件100那樣要求散熱特性的器件。引線框4是為了將搭載有半導體元件1的半導體器件100的中心部與例如半導體器件100的外部進行電連接而從半導體器件100的中心部向半導體器件100的外側(cè)延伸的導電性的部件。圖1的引線框4具有內(nèi)側(cè)引線框4a和外側(cè)引線框4b。在此，在引線框4之中，將僅配置于半導體器件100的內(nèi)部(例如僅配置于后述的密封樹脂8內(nèi)，未向半導體器件100的外部延伸)的區(qū)域稱為內(nèi)側(cè)引線框4a，將向半導體器件100的外部延伸的區(qū)域稱為外側(cè)引線框4b。另外，內(nèi)側(cè)引線框4a和外側(cè)引線框4b也可以成為一體(參照后述的圖3)。例如，圖1的右側(cè)的引線框4具備內(nèi)側(cè)引線框4a和外側(cè)引線框4b這雙方(在圖1中將其表示為“4b(4a)”)?；旧弦耘c絕緣片3的和與散熱板2相接的一側(cè)的主表面相反的一側(cè)的主表面(上側(cè)的主表面)相接的方式載置有引線框4。另外，在該引線框4的和與絕緣片3相接的一側(cè)的主表面相反的一側(cè)的主表面(上側(cè)的主表面)上的至少一部分，通過接合材料6a接合有半導體元件1。內(nèi)部引線5具有與引線框4同樣的樣式，但它是用于將多個半導體元件1之間進行電連接的導電性的部件。內(nèi)部引線5通過接合材料6b而接合到半導體元件1的和與引線框4相向的一側(cè)的主表面相反的一側(cè)的主表面(上側(cè)的主表面)上的至少一部分。在此，將接合材料6a和接合材料6b總稱為接合材料6。半導體元件1與引線框4也可以通過接合材料6a相互電連接，但它們也可以通過接合線7相互電連接。例如，在圖1中，左側(cè)的半導體元件1與左側(cè)的外側(cè)引線框4b通過接合線7連接。以覆蓋以上敘述的各部件的方式，利用密封樹脂8密封其大致整體。即，半導體元件1、散熱板2、絕緣片3、內(nèi)側(cè)引線框4a、內(nèi)部引線5、接合線7的表面的大致整體全都被密封樹脂8覆蓋。但是，以朝向外側(cè)的方式延伸的外側(cè)引線框4b僅一部分(內(nèi)側(cè)的區(qū)域)被密封樹脂8覆蓋，其它部分(特別是外側(cè)的區(qū)域)未被密封樹脂8覆蓋。由此，外側(cè)引線框4b的該部分能夠與半導體器件100的外側(cè)電連接。密封樹脂8通過覆蓋半導體元件1的周圍，能夠提高熱循環(huán)試驗、功率循環(huán)試驗、耐濕可靠性試驗的各種試驗的可靠性。參照圖1以及圖2(a)，在本實施方式中，在散熱板2的包括俯視時的最外端2e(最外緣的部分)的至少一部分的端部區(qū)域er中，相比于散熱板2的端部區(qū)域er以外的(俯視時的內(nèi)側(cè)的)區(qū)域，其最上表面以配置于和與絕緣片3相接的一側(cè)相反的一側(cè)(下側(cè))的方式變低。此外，在此端部區(qū)域er不限于例如圖1以及圖2(a)的作為與左右方向有關的1點(最外緣的部分)的最外端2e自身，還包括與該最外端2e非常近的區(qū)域。具體而言，散熱板2的最上表面為在端部區(qū)域er中形成c面2c(傾斜的平面)的樣式。由此，端部區(qū)域er中的散熱板2相比于其它區(qū)域，其厚度變薄，并且其最上表面的高度變低。散熱板2在端部區(qū)域er中具有c面2c，所以隨著接近最外端2e，從引線框4(4b)向下方遠離的量單調(diào)地變大。參照圖2(a)，在圖1的端部區(qū)域er中的散熱板2的c面2c中，沿著其一個主表面的方向(圖2的左右方向)的尺寸a是0.5mm以上且2.0mm以下。另外，圖1的端部區(qū)域er中的散熱板2的c面2c的、散熱板2的最上表面比端部區(qū)域er以外的區(qū)域變低的最大值b是0.025mm以上且0.25mm以下。在c面2c中，相比于c面2c以外的區(qū)域，在其最外端2e處最低。參照圖1以及圖2(b)，散熱板2的上表面上的絕緣片3基本上在其整體中具有大致均勻的厚度t。因此，為了使散熱板2追隨如上所述在端部區(qū)域er中變低的區(qū)域，絕緣片3的與引線框4(4b)相接的一側(cè)(上側(cè))的表面在包括其俯視時的最外端3e(最外緣的部分)的一部分的端部區(qū)域er中以從引線框4(4b)向下方遠離的方式具有傾斜地變低。具體而言，絕緣片3的最上表面為在端部區(qū)域er中形成c面3c(傾斜的平面)的樣式，由此端部區(qū)域er中的絕緣片3相比于其它區(qū)域，其厚度變薄，并且其最上表面的高度變低。絕緣片3在端部區(qū)域er中具有c面3c，所以隨著接近最外端3e，從引線框4(4b)向下方遠離的量單調(diào)地變大。此外，在此散熱板2的最外端2e與絕緣片3的最外端3e在俯視時大致重疊，因此散熱板2的形成有c面2c的端部區(qū)域er與絕緣片3的形成有c面3c的端部區(qū)域er成為相同的區(qū)域。在俯視時散熱板2的最外端2e與絕緣片3的最外端3e大致重疊，從而將絕緣片3粘貼到散熱板2時的對位變得容易。假設絕緣片3在俯視時大于散熱板2，則有時在將絕緣片3安裝到散熱板2之后的處理作業(yè)中發(fā)生絕緣片3的缺損，在絕緣性的確保中發(fā)生問題。參照圖2(b)，圖1的端部區(qū)域er中的絕緣片3的c面3c的沿著其與引線框4相接的上側(cè)的表面的方向(圖2的左右方向)的尺寸a與散熱板2的尺寸a同樣地是0.5mm以上且2.0mm以下。另外，圖2的端部區(qū)域er中的絕緣片3的c面3c的、絕緣片3的最上表面比端部區(qū)域er以外的區(qū)域變低的最大值b是0.025mm以上且0.25mm以下。c面3c在其最外端3e處相比于c面3c以外的區(qū)域變得最低。這是因為絕緣片3的厚度在整體中大致恒定，所以是以追隨散熱板2的c面2c的形狀的方式在其正上形成絕緣片3的c面3c的結(jié)果。隨著散熱板2的上述a的值變大，被引線框4與散熱板2夾著的區(qū)域中的密封樹脂8的絕緣沿面距離變長。在此，絕緣沿面距離是指被引線框4與散熱板2夾著的絕緣性的區(qū)域的特別是沿著絕緣片3的表面的長度。從這個觀點出發(fā)，散熱板2的a的值優(yōu)選為大，但在a的值變得極其大時，在端部區(qū)域er中被引線框4與散熱板2夾著的密封樹脂8的量變多。密封樹脂8由于熱傳導性低，所以存在從引線框4向散熱板2的散熱性降低的可能性。從這個觀點出發(fā)，散熱板2的a的值優(yōu)選為小。如果考慮以上內(nèi)容，則散熱板2的值如上所述優(yōu)選為0.5mm以上且2.0mm以下。而且，假設c面2c、3c被形成為與半導體元件1的一部分重疊，則存在在該重疊的部分中通過散熱板2對半導體元件1的熱進行散熱的效果減弱的可能性。從抑制這樣的問題來確保散熱性的觀點出發(fā)，c面2c、3c優(yōu)選為(僅)形成于在俯視時載置半導體元件1的區(qū)域的外側(cè)。另外，隨著散熱板2的上述b的值變長，被引線框4與散熱板2夾著的區(qū)域中的密封樹脂8的絕緣沿面距離變長。從這個觀點出發(fā)，散熱板2的b的值優(yōu)選為大，但在b的值變得極其大時，存在由于c面2c向下方大幅下垂而其正上的絕緣片3針對散熱板2的緊貼性降低的可能性。如果散熱板2和絕緣片3的緊貼性降低，則在處理散熱板2時絕緣片3有可能破損。從這個觀點出發(fā)，散熱板2的b的值優(yōu)選為小。另外，在散熱板2的端部區(qū)域er中，安裝于其上的絕緣片3需要吸收c面2c的階梯差而以足夠的強度緊貼到散熱板2，為此更優(yōu)選為散熱板2的上述b的值是絕緣片3的厚度t的一半程度。如后所述，絕緣片3的厚度t優(yōu)選為0.05mm以上且0.5mm以下，所以如果考慮以上全部內(nèi)容，則優(yōu)選為散熱板2的上述b的值如上所述是0.025mm以上且0.25mm以下。另外，在假設散熱板2的上述b的值比0.025mm小時，利用絕緣片3來確保引線框4與散熱板2之間的絕緣性的效果變小，在上述b的值比0.25mm大時，利用散熱板2從引線框4、半導體元件1等進行散熱的散熱特性降低。從這個觀點出發(fā)，也優(yōu)選為散熱板2的上述b的值如上所述是0.025mm以上且0.25mm以下。在散熱板2的端部區(qū)域er，設置有1.25％以上且50％以下的傾斜梯度。此處的傾斜梯度表示將b的值除以a的值而得到的值的百分比。通過對散熱板2的端部區(qū)域er設置這個范圍的傾斜梯度，能夠?qū)⒔^緣片3容易地安裝到散熱板2。假設傾斜梯度超過50％，則在將絕緣片3安裝于散熱板2時有可能發(fā)生由絕緣片3的破損或者缺損所致的損傷而損害其絕緣性。另一方面，假設傾斜梯度小于1.25％，則密封樹脂8不會進入到絕緣片3與引線框4之間的間隙。如果密封樹脂8不進入到絕緣片3與引線框4之間，則無法延長絕緣沿面距離。參照圖3(a)，引線框4中的例如被密封樹脂8完全覆蓋的內(nèi)側(cè)引線框4a具有在俯視時縱和橫的長度沒有大的差(比較接近正方形)的矩形形狀。相對于此，至少部分地向密封樹脂8的外側(cè)突出的外側(cè)引線框4b具有在俯視時為棒狀的形狀，其以在俯視時與最外端2e、3e交叉(正交)的方式向半導體器件100的外側(cè)延伸。如圖3(a)所示，端部區(qū)域er中的c面2c以及c面3c也可以形成于散熱板2以及絕緣片3的俯視時的外周(最外端2e、3e)的整體。但是，也可以參照圖3(b)，例如僅在散熱板2以及絕緣片3的矩形的平面形狀的4個最外端的面(4個面)中的與外側(cè)引線框4b交叉的面形成c面2c以及c面3c。另外，也可以參照圖3(c)，例如僅在散熱板2以及絕緣片3的矩形的平面形狀的最外端的面中的與外側(cè)引線框4b交叉的部分及其附近形成c面2c以及c面3c。在如圖3(a)所示在全周形成變低的部分的情況下，不存在散熱板2以及絕緣片3的方向性，所以在制造時無需考慮方向而制造變得容易。另一方面，在如圖3(c)所示僅在一部分中形成變低的部分的情況下，進行使端部變薄的加工的部分變少，所以能夠降低加工成本?？傊诒緦嵤┓绞街?，在散熱板2以及絕緣片3的俯視時的外周(最外端2e、3e)的至少一部分中形成有c面2c、3c，特別是以使至少外側(cè)引線框4b包括橫切最外端2e、3e的部分的方式在包括該最外端2e、3e的端部區(qū)域中形成有c面2c、3c。再次參照圖1，在本實施方式中為如下樣式：在散熱板2的端部區(qū)域er中，密封樹脂8以陷入的方式進入到絕緣片3的c面3c與其正上的引線框4(4b)之間。即，絕緣片3的端部區(qū)域er中的最上表面3c和其正上的引線框4的下表面被密封樹脂8大致完全地覆蓋。另外，在本實施方式中，引線框4(4a、4b)在其整體中是平坦的。即，該引線框4例如不進行彎曲加工，其結(jié)果，不具有顯著的彎曲部(關于延伸方向，直角地彎曲的部分等)等。更具體而言，該引線框4的最上表面在其整體中，圖1的與上下方向有關的位置(坐標)的變化(偏差)是例如0.1mm以下。接下來，詳細說明上述各部件的材質(zhì)、尺寸等。半導體元件1是搭載有例如igbt(insulatedgatebipolartransistor，絕緣柵雙極晶體管)那樣的元件、和mosfet(metaloxidesemiconductorfield-effecttransistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管)那樣的開關元件及二極管那樣的整流元件的芯片狀的部件。igbt是使大電流流過而驅(qū)動的元件，所以半導體元件1作為功率用半導體元件驅(qū)動，搭載該半導體元件1的半導體器件100是所謂的功率模塊。構成半導體元件1的半導體芯片優(yōu)選為例如由硅(si)形成。但是，半導體元件1的半導體芯片除了硅以外，更優(yōu)選為例如由從包括碳化硅(sic)、氮化鎵系材料(例如氮化鎵(gan))、金剛石的群中選擇的任意材料形成。它們是帶隙比硅寬的所謂的寬帶隙半導體材料。使用這樣的寬帶隙半導體材料形成的半導體元件1能夠應用于通過使大電流流過igbt等所搭載的元件而在高溫下實施的動作。此外，在圖1中，相互隔開間隔而配置有2個半導體元件1，但不限定于此，半導體元件1的配置數(shù)量可以是任意的(即，也可以僅配置1個半導體元件1或者配置3個以上的半導體元件1)。散熱板2優(yōu)選為由從包括熱傳導率高的銅、鋁、銅或鋁的合金、銅或鋁的復合體(complex)的群中選擇的任意材料形成。作為銅或鋁的合金，例如使用銅和鉬的合金。作為銅或鋁的復合體，例如使用鋁和碳化硅的復合體。散熱板2的厚度未特別限定，但優(yōu)選為例如1mm以上且5mm以下。如果散熱板2形成得厚則熱容量大，并且能夠使熱擴散并釋放，所以能夠提高散熱性。具體而言，在散熱板2的厚度是1mm以上的情況下，熱的擴散變得更大，能夠進一步提高散熱性能。另外，如果散熱板2的厚度是5mm以下，則散熱板2的加工性變得更加良好(加工變得更容易)，能夠?qū)⒅圃斐杀具M一步抑制得較低。通過對具有某個厚度的金屬板進行沖壓模具加工，散熱板2被加工成期望的尺寸。如果進行沖壓模具加工，則在散熱板2的端部區(qū)域er中產(chǎn)生下垂面。在本實施方式中，通過有效地利用該下垂面來形成c面2c。絕緣片3具有在環(huán)氧樹脂等熱硬化性樹脂中含有熱傳導性高(陶瓷顆粒)的無機粉末填充材料的結(jié)構。另外，在后面詳述的密封樹脂8也使用在環(huán)氧樹脂等熱硬化性樹脂中填充陶瓷顆粒的無機粉末填充材料而得到的部件。例如，在使用在環(huán)氧樹脂中填充無機粉末填充材料而成的部件作為絕緣片3、并且密封樹脂8也使用在環(huán)氧樹脂中填充無機粉末填充材料而成的部件時，絕緣片3與密封樹脂8的界面通過相同的環(huán)氧樹脂彼此相互反應，能夠形成堅固的界面。絕緣片3需要具有高的散熱性能，為了提高散熱性，有效的是使用熱傳導性高的無機粉末填充材料。具體而言，例如在絕緣片3中能夠使用晶體二氧化硅、氧化鋁、氮化硅、氮化硼、氮化鋁等絕緣性且熱傳導性高的無機粉末填充材料。絕緣片3的厚度t優(yōu)選為0.05mm以上且0.5mm以下。使用于絕緣片3的無機粉末填充材料經(jīng)常使用其最大粒徑是0.05mm以上且0.15mm以下的材料。在此，無機粉末填充材料的最大粒徑表示在無機粉末填充材料的內(nèi)部所劃出的直線的尺寸(無機粉末填充材料的投影中的其內(nèi)部的直線狀的尺寸)的最大值。因此，如果絕緣片3比0.05mm薄，則由于比此處包含的無機粉末填充材料的最大粒徑還薄，所以有時絕緣片3的絕緣性顯著地降低。另一方面，在絕緣片3比0.5mm厚的情況下，雖然絕緣性好但熱阻變大，有時散熱性能降低。從以上的觀點出發(fā)，絕緣片3的厚度t優(yōu)選為0.05mm以上且0.5mm以下。此外，絕緣片3無需是由單一的層構成的結(jié)構，絕緣片3也可以是例如層疊熱傳導率相互不同的多個層而成的結(jié)構。另外，如上所述，以樹脂材料為基礎而形成絕緣片3。因此，相比于例如絕緣片3由作為通常的半導體器件的基板而使用的陶瓷材料形成的情況，絕緣片3與密封樹脂8及散熱板2的線膨脹系數(shù)的差變小。因此，相比于絕緣片3是陶瓷材料的情況，能夠抑制由熱循環(huán)所致的絕緣片3的樹脂破裂、界面剝離。而且，以樹脂材料為基礎的絕緣片3還具有作為粘接劑的功能。因此，在后述的半導體器件100的密封工序中進行的熱硬化時，以與引線框4、散熱板2以及密封樹脂8相互緊貼的方式粘接絕緣片3。因此，絕緣片3無需在其一個以及另一個主表面上涂覆用于與引線框4、散熱板2以及密封樹脂8相互粘接的粘接劑。該粘接劑成為熱阻上升的原因，所以通過不涂覆該粘接劑，能夠抑制絕緣片3與引線框4、散熱板2以及密封樹脂8之間的熱阻的增加，能夠得到散熱性能高的半導體器件100。接下來，引線框4以及內(nèi)部引線5都優(yōu)選為例如由從包括銅、鐵、銅合金、鐵合金的群中選擇的任意材料形成。在它們之中，特別是優(yōu)選使用銅或者銅合金，通過使用它們，能夠成為使引線框4以及內(nèi)部引線5的熱傳導性以及電傳導性特別優(yōu)良的結(jié)構。另外，關于引線框4以及內(nèi)部引線5，也可以在由上述銅等形成的基材的表面通過鍍敷來形成鎳、銀、鎳鈀金等的薄膜。由此，能夠抑制該基材的氧化，并且使該基材與接合線7的接合狀態(tài)變得更良好。接合材料6中的將引線框4與半導體元件1進行連接的接合材料6a優(yōu)選為從包括焊錫、以銀為主成分的燒結(jié)性填料、以銀為主成分的焊料、在錫中分散有銅的材料、以金為主成分的金錫、金鍺等金系合金的群中選擇的任意材料。它們是熱傳導性高且導電性高的接合材料。另外，接合材料6中的將多個半導體元件1彼此利用內(nèi)部引線5來連接的接合材料6b優(yōu)選為從包括焊錫、以銀為主成分的燒結(jié)性填料、以銀為主成分的焊料、在錫中分散有銅的材料的群中選擇的任意材料。它們是導電性高的接合材料。接合線7優(yōu)選為從包括鋁、銅、金、銀、以這些金屬為主成分的合金的群中選擇的任意材料。作為密封樹脂8，使用通過向環(huán)氧樹脂等熱硬化性樹脂中混入熔融二氧化硅、晶體二氧化硅、氧化鋁、氮化硅等無機粉末填充材料而調(diào)整了熱膨脹系數(shù)以及彈性模量的材料。在它們之中，作為密封樹脂8，特別是優(yōu)選將熔融二氧化硅用作填充材料。對于密封樹脂8不要求熱傳導性，所以通過包含熱傳導性低但熱膨脹系數(shù)小的熔融二氧化硅，能夠使密封樹脂8整體的熱膨脹系數(shù)的調(diào)整變得容易。此外，密封樹脂8的熱傳導率是0.7w/mk以上且0.9w/mk以下(比構成半導體器件100的其它各部件的熱傳導率低)。接下來，使用圖4～圖12，說明半導體器件100的制造方法的一個例子。參照圖4，首先在引線框4a、4b的一個(上側(cè)的)主表面上，經(jīng)由接合材料6a而相互隔開間隔地接合多個半導體元件1。將這個工序稱為芯片接合(diebonding)。在芯片接合中，同時經(jīng)由接合材料6b利用內(nèi)部引線5來接合多個半導體元件1彼此。作為半導體元件1，將多個數(shù)量的例如由硅構成且搭載有igbt的半導體芯片和例如由硅構成且搭載有二極管的半導體芯片相互隔開間隔地接合到引線框4。在此，例如搭載有igbt的半導體元件1在俯視時其尺寸是10mm×10mm×0.25mm，例如搭載有二極管的半導體元件1在俯視時其尺寸是10mm×8mm×0.25mm。作為接合材料6a，例如使用不含鉛的焊錫材料(錫99.25質(zhì)量％，銅0.75質(zhì)量％)，在平坦(與厚度方向有關的坐標的變化(偏差)在整體上是0.1mm以下)且對其整個面實施了非電解鍍鎳的銅制的引線框4的期望的位置，接合固定半導體元件1。另外，在半導體元件1的和與引線框4接合的一側(cè)相反的一側(cè)(上側(cè))的主表面，雖然未圖示，但部分地實施了鎳金鍍敷。多個半導體元件1的鎳金鍍敷的部分通過例如作為不含鉛的焊錫材料(錫99.25質(zhì)量％，銅0.75質(zhì)量％)的接合材料6b而與內(nèi)部引線5(厚度0.6mm)電連接。由此，多個半導體元件1彼此經(jīng)由內(nèi)部引線5相互電連接。使用焊錫回流裝置，一并實施半導體元件1的下表面處的使用了接合材料6a的接合以及半導體元件1的上表面處的使用了接合材料6b的接合。參照圖5，半導體元件1與(作為引線框4的一部分的)外側(cè)引線框4b通過接合線7電連接。將這個工序稱為線接合。在此使用的接合線7是例如與其延伸的方向交叉的剖面為直徑0.15mm的大致圓形的鋁制的線。參照圖6，作為與接合有圖5所示的半導體元件1等的部件不同的部件，準備通過在散熱板2的一個(上側(cè)的)主表面上載置絕緣片3的狀態(tài)下對其進行加熱以及加壓而接合的部件。將在散熱板2上對該絕緣片3進行加熱以及加壓的工序稱為沖壓工序。在此，準備如下的散熱板2：最外端2e(包含最外端2e的端部區(qū)域er)相比于端部區(qū)域er以外的區(qū)域，其最上表面朝向下側(cè)變低，從而在端部區(qū)域er中形成有c面2c。在其之上接合厚度恒定的絕緣片3，所以絕緣片3也在端部區(qū)域er中形成c面3c。作為一個例子，例如準備如下的散熱板2：形成有傾斜梯度為10％的c面2c，以使得在最外端2e處相比于端部區(qū)域er以外的區(qū)域使其最上表面形成得低0.1mm(圖2的尺寸b是0.1mm)，并且在從最外端2e起1mm的范圍中形成端部區(qū)域er(c面2c)(圖2的尺寸a是1mm)。該散熱板2例如由無氧銅形成，其俯視時的尺寸是30mm×20mm×3mm。另外，絕緣片3準備熱傳導率是12w/mk、且厚度是0.2mm的絕緣片。在散熱板2的上側(cè)的主表面上，雖然未圖示但載置有硅橡膠片，在該硅橡膠片上載置絕緣片3。即，硅橡膠片被配置成夾在散熱板2與絕緣片3之間。硅橡膠片由在絕緣片3熔融的溫度以上時具有耐熱性和緩沖性的材質(zhì)形成。在該狀態(tài)下，從絕緣片3的上方通過沖壓工序?qū)^緣片3以及散熱板2進行加壓，并且對它們進行加熱。例如，在沖壓工序時的加熱條件中，溫度是120℃，壓力是3mpa，加熱時間是3分鐘。此時，絕緣片3未完全硬化，通過加溫而再次熔融。參照圖7，接合半導體元件1并且線接合工序完成的引線框4a、4b和沖壓工序完成且接合有絕緣片3的散熱板2設置于用于進行樹脂密封(成型工序)的模具9的內(nèi)部的期望的位置。此處的模具9是用于通過傳遞成型工序進行樹脂密封的模具，在由上側(cè)模具9a以及下側(cè)模具9b構成的容器狀的部件的內(nèi)部設置上述引線框4以及散熱板2，閉合模具9。具體而言，以與絕緣片3接觸的方式，在絕緣片3上(散熱板2上)載置引線框4。絕緣片3通過在模具9內(nèi)的高溫環(huán)境下熔融，從而與引線框4相互粘接。另外，此時在模具9的外側(cè)，配置有與從模具9的內(nèi)部通到外部的汽缸連接的罐10。罐10是放置作為用于進行樹脂密封的材料的密封材料平板8a的部件。密封材料平板8a是密封用的樹脂材料被固化為平板狀(tablet狀)的形狀的材料。參照圖8，在模具9閉合、且圖7的密封材料平板8a設置于圖7的罐10的狀態(tài)下，罐10內(nèi)的密封材料平板8a一般被加壓一邊被供給到模具9的內(nèi)部。固態(tài)形狀的密封材料平板8a通過加熱逐漸地熔融而增加流動性的同時，被注入到和汽缸內(nèi)相連的模具9的上側(cè)模具9a與下側(cè)模具9b之間的區(qū)域。作為被注入到模具9內(nèi)的有流動性的密封材料平板8a的樹脂材料通過模具9被進一步加熱并固化而成為密封樹脂8。通過在模具9內(nèi)填充密封樹脂8，模具9內(nèi)的半導體元件1以及散熱板2等各部件的表面全部被所固化的密封樹脂8覆蓋。此時，散熱板2的最外端2e的至少一部分的最上表面變低(厚度變薄)。由此，在熔融的密封樹脂8被注入到模具9內(nèi)時，在最外端2e及其附近的端部區(qū)域er中，在引線框4與絕緣片3(散熱板2)之間產(chǎn)生間隙，密封樹脂8還進入到該間隙。因此，密封樹脂8在端部區(qū)域er中也以將引線框4、絕緣片3(散熱板2)的表面全都覆蓋的方式深入。此外，在傳遞成型工序中，為了使密封樹脂8以及絕緣片3硬化，例如將模具9內(nèi)的溫度設為180℃，將壓力設為10mpa，并將加熱時間設為3分鐘。但是，關于傳遞成型工序中的加熱時間，能夠根據(jù)密封樹脂8以及絕緣片3的反應性而適當設定任意的時間。另外，絕緣片3也通過加溫而如上所述熔融，并通過該傳遞成型工序的進一步的加溫而熱硬化。參照圖9，在密封樹脂8被固化之后，從模具9取出由密封樹脂8密封的半導體器件100。此外，也可以在從模具9取出半導體器件100之后，為了進一步提高密封樹脂8的硬化度而在例如180℃下加熱8小時，從而進行進一步的熱硬化。以上，通過傳遞成型工序供給密封樹脂8，但密封樹脂8的供給方法不限于此。接下來，引線框4的不需要部分被切斷。將該工序稱為連接桿切斷(tiebarcutting)。另外，向密封樹脂8的外側(cè)露出的例如在沿著散熱板2的主表面的方向上延伸的外側(cè)引線框4b例如在密封樹脂8的外側(cè)以在朝向圖9的上側(cè)的方向上延伸的方式彎曲約90°。接下來，在散熱板2的與接合有絕緣片3的一個主表面相反的一側(cè)的主表面(下側(cè)的主表面)涂覆接合用熱傳導材料11，經(jīng)由該接合用熱傳導材料11在該相反的一側(cè)的主表面上接合散熱器12。由此，成為半導體器件100與散熱器12被接合的樣式。此外，散熱器12是用于將在半導體器件100(半導體元件1等)的驅(qū)動時產(chǎn)生的熱釋放到外部的部件。接合用熱傳導材料11優(yōu)選為具有流動性或者熱硬化性。例如，在接合用熱傳導材料11是硅散熱油脂(siliconeheatdissipatinggrease)的情況下，根據(jù)所使用的接合用熱傳導材料11的種類，為了接合半導體器件100與散熱器12而施加的負載被適當?shù)刈罴鸦４送?，在接合用熱傳導材?1是散熱性粘接劑的情況下，在對半導體器件100與散熱器12之間施加了負載的狀態(tài)下，在例如125℃下加熱30分鐘，從而將接合用熱傳導材料11熱硬化，由此接合半導體器件100與散熱器12。此外，半導體器件100和散熱器12既可以根據(jù)需要通過螺絲緊固來接合、或者也可以通過使用板簧進行壓制來接合。在本實施方式中，既可以將(不具有散熱器12的)半導體器件100的樣式作為最終的完成品(產(chǎn)品)，也可以將對半導體器件100連接有散熱器12的樣式(半導體器件110)作為最終的完成品(產(chǎn)品)。在此，使用圖10～圖12，特別說明具有變低的部分(c面2c、3c)的散熱板2以及絕緣片3的形成方法的一個例子。參照圖10，準備包括最外端2e的端部區(qū)域相比于其以外的區(qū)域變低而形成有c面2c的散熱板2、以及在俯視時與散熱板2重疊的(俯視時的形狀以及尺寸與散熱板2大致相同的)絕緣片3。此外，散熱板2的c面2c是通過例如作為其成型時的模具使用成為可形成c面2c的形狀的部件、或者使用專用的倒角切割機等切削工具進行切削加工而形成的。關于絕緣片3，在圖10中未形成c面3c，包括最外端3e在內(nèi)在其整個面中厚度為大致恒定(在其整個面中平坦)。然后，絕緣片3以與散熱板2重疊的方式安裝在散熱板2的一個(上側(cè)的)主表面上。參照圖11，在沖壓加工機13的沖壓下面板13a上的期望的位置，載置圖10的散熱板2以及絕緣片3。另外，在沖壓加工機13的沖壓上面板13b的與沖壓下面板13a相向的(下側(cè)的)面上，緩沖片14安裝于在俯視時與散熱板2以及絕緣片3重疊的位置。緩沖片14是由在加熱時以及加壓時(壓縮)變形并且通過將其按壓到絕緣片3而能夠使絕緣片3變形的材料形成的平板形狀的部件。具體而言，緩沖片14優(yōu)選為由從包括硅樹脂、丙烯酸樹脂、氟系樹脂的群中選擇的任意材料形成。參照圖12，沖壓上面板13b下降而使緩沖片14緊貼到絕緣片3，由此沖壓上面板13b對絕緣片3以及散熱板2施加向下的壓力，并且加熱至絕緣片3熔融的溫度。其中，在此加熱的溫度是絕緣片3的反應發(fā)展而不熱硬化的程度的低溫。另外，關于加熱的時間，也設為絕緣片3的反應發(fā)展而不熱硬化的程度。由此，絕緣片3以追隨散熱板2的c面2c等的形狀的方式(以形成c面3c的方式)變形。通過從沖壓加工機13拆下散熱板2等，如圖6所示形成具有c面2c(以及c面3c)的散熱板2。此外，在絕緣片3的上表面(與緩沖片14緊貼的面)上，從對于絕緣片3與緩沖片14緊貼而相互不剝離的問題進行抑制的觀點出發(fā)，雖然未圖示但也可以配置分離型膜。接下來，參照圖13的比較例，說明本實施方式的作用效果。參照圖13，在比較例的半導體器件150中，散熱板2在包括其俯視時的最外端2e的端部區(qū)域中，不具有如本實施方式那樣其最上表面變低的形狀(圖1的c面2c等)。即，圖13的散熱板2在其整體中與圖的上下方向有關的厚度大致相等(平坦)。由于散熱板2是平坦的，所以安裝在其主表面上的絕緣片3也同樣地，在包括其俯視時的最外端3e的端部區(qū)域中，不具有如本實施方式那樣其最上表面變低的形狀(圖1的c面3c等)，在其整體中為大致平坦。此外，這以外的半導體器件150的結(jié)構與半導體器件100的結(jié)構大致相同，所以對同一要素附加同一符號，不重復其說明。在比較例的情況下，絕緣片3的最外端3e的最上部與外側(cè)引線框4b接觸。因此，導電性的外側(cè)引線框4b與其正下的散熱板2(的最外端2e)的距離(絕緣沿面距離)變短。如果外側(cè)引線框4b與散熱板2的絕緣沿面距離變短，則在半導體器件150的驅(qū)動時有可能產(chǎn)生外側(cè)引線框4b與散熱板2相互短路的問題。因此，在本實施方式中，絕緣片3的與引線框4相接的一側(cè)(上側(cè))的表面在絕緣片3的包括俯視時的最外端3e的至少一部分的端部區(qū)域er中，以從引線框4向下方遠離的方式變低。另外，密封樹脂8以在該端部區(qū)域er中存在于引線框4與絕緣片3(即其正下的散熱板2)之間的方式進入。因此，在本實施方式中，導電性的引線框4與其正下的導電性的散熱板2之間的絕緣沿面距離相比于比較例變長。而且，在端部區(qū)域er中密封樹脂8進入到引線框4與散熱板2之間，所以成為如下樣式：絕緣性的密封樹脂8進入到引線框4與(處于散熱板2的上表面上的)絕緣片3之間的區(qū)域。由此，在本實施方式中，相比于比較例，能夠提高引線框4與散熱板2之間的絕緣性，并且能夠確保通過散熱板2釋放來自半導體元件1等的發(fā)熱的良好的功能(能夠確保絕緣性和散熱特性這雙方)。以上那樣的結(jié)構通過如下來實現(xiàn)：在散熱板2的包括俯視時的最外端的至少一部分的端部區(qū)域中，相比于散熱板的端部區(qū)域以外的區(qū)域，散熱板的最上表面以配置于與絕緣片相反的一側(cè)的方式變低。這是因為，絕緣片3追隨散熱板2的最外端2e變低的形狀，其最外端3e變低。在此，假設外側(cè)引線框4b具有在散熱板2的端部區(qū)域er中例如向上方延伸并以使與散熱板2的距離變大的方式彎曲的形狀，則能夠容易地確保外側(cè)引線框4b與散熱板2的絕緣性。但是，在該情況下，有可能對引線框4實施彎曲加工等而增加引線框4的形成所需的工序數(shù)，使其制造成本高漲。另外，被實施彎曲加工的引線框4在其設置時會抖動而難以固定位置，所以需要引線框4的抖動抑制管理。而且，在被實施彎曲加工的引線框4的表面上搭載半導體元件1或者接合接合線7時，需要考慮引線框4的階梯差的專用夾具，為此有可能導致成本進一步高漲以及生產(chǎn)率進一步降低。但是，在本實施方式中，引線框4(在圖9中在密封樹脂8的外側(cè)在樹脂密封之后彎曲的結(jié)構的)至少在密封樹脂8內(nèi)其整體變得平坦，未實施彎曲加工。因此，能夠降低引線框4的制造成本，并且降低密封樹脂8內(nèi)的引線框4的抖動的可能性。另外，無需使用考慮引線框4的階梯差的專用夾具，所以還能夠提高作為后工序的例如半導體元件1的載置工序等的生產(chǎn)率。這樣在本實施方式中，在如下發(fā)明有益：即使引線框4是平坦的，通過延長與其正下的散熱板2的絕緣沿面距離，也能夠提高絕緣性以及散熱特性這雙方。這是因為，通過使引線框4平坦，引線框4的加工性以及處理性變得良好，而且能夠確保散熱板2的端部區(qū)域er的絕緣沿面距離所實現(xiàn)的絕緣性。(實施方式2)參照圖14(a)以及圖14(b)，在本實施方式中，與實施方式1的圖2(a)以及圖2(b)相比不同點在于，散熱板2以及絕緣片3在最外端2e、3e附近的端部區(qū)域中，其主表面形成曲面2r、3r。即，在本實施方式中，代替實施方式1的c面2c、3c而形成有曲面2r、3r。通過該曲面2r、3r，散熱板2以及絕緣片3在包括其最外端2e、3e的端部區(qū)域er中相比于端部區(qū)域er以外的區(qū)域，其最上表面變低(其厚度變薄)。曲面2r、3r既可以是球面狀，也可以是球面狀以外的曲面狀。絕緣片3的厚度在其整體中大致恒定，所以絕緣片3的曲面3r以追隨散熱板2的曲面2r的形狀的方式形成。曲面2r、3r的沿著一個主表面的方向(圖14的左右方向)的尺寸a以及與主表面交叉的方向(圖14的上下方向)的尺寸b和圖2中的尺寸a以及尺寸b的值基本上相同。在圖14中，曲面2r、3r具有向上凸起的形狀，但它們也可以具有向下凸起的形狀。此外，這以外的本實施方式的結(jié)構與實施方式1的結(jié)構大致相同，所以對同一要素附加同一符號，不重復其說明。接下來，說明本實施方式的作用效果。在本實施方式中，除了實施方式1的作用效果以外，還能夠起到以下的作用效果。如果如本實施方式那樣將端部區(qū)域er形成為曲面狀，則即使它具有與實施方式1相同的尺寸a、b，相比于如實施方式1那樣端部區(qū)域er是平面狀的情況，也能夠進一步延長外側(cè)引線框4b與其正下的散熱板2的絕緣沿面距離。另外，在本實施方式中，端部區(qū)域er形成為曲線狀，所以相比于端部區(qū)域er形成為c面狀的實施方式1，能夠降低在端部區(qū)域er中絕緣片3從散熱板2剝離的可能性。(實施方式3)參照圖15以及圖16，在本實施方式的半導體器件300中，與實施方式1(圖1)的半導體器件100相比不同點在于，散熱板2包括端部區(qū)域er在內(nèi)在其整體中為平坦，在端部區(qū)域er中未形成最上表面相比于其以外的區(qū)域向下側(cè)變低的c面2c。具體而言，圖15以及圖16的散熱板2為了在端部區(qū)域er與端部區(qū)域er以外的區(qū)域之間使其最上表面的高度(大致)相等而變得平坦。更具體而言，該散熱板2的最上表面在其整體中，與圖15的上下方向有關的位置(坐標)的變化(偏差)是例如0.1mm以下。但是，在散熱板2的上側(cè)的主表面上安裝的絕緣片3在其端部區(qū)域er中變薄，形成有c面3c。其結(jié)果，(與實施方式1同樣地)在絕緣片3的端部區(qū)域er中，c面3c以從其上的外側(cè)引線框4b向下方遠離的方式具有傾斜地變低。隨著接近最外端3e，絕緣片3從引線框4(4b)向下方遠離的量單調(diào)地變大，c面3c以在其最外端3e處到達絕緣片3的最下表面的方式(在圖16中以使最外端3e具有尖的剖面形狀的方式)形成。與實施方式1不同，在本實施方式中，c面3c并非是追隨其正下的c面2c的形狀而形成的，而是以使絕緣片3在端部區(qū)域er中相比于其它區(qū)域使厚度變薄的方式形成的。絕緣片3的c面3c形成為使最外端3e處的厚度大致為0。因此，絕緣片3的最外端3e不具有圖15的上下方向的成分(以及圖15的上下方向的成分)而僅具有俯視時的圓周方向的成分。但是，不限于這樣的樣式，也可以以使最外端3e具有圖15的上下方向的成分的方式形成c面3c。參照圖16，在本實施方式的端部區(qū)域er中的絕緣片3的c面3c中，沿著與引線框4相接的上側(cè)的表面的方向(圖16的左右方向)的尺寸c對應于圖2的散熱板2的尺寸a，與圖2的尺寸a同樣地是0.5mm以上且2.0mm以下。另外，圖16的端部區(qū)域er中的絕緣片3的c面3c的與端部區(qū)域er以外的區(qū)域相比絕緣片3的最上表面變低的最大值d對應于圖2的尺寸b，與圖2的尺寸b同樣地是0.025mm以上且0.25mm以下。此外，這以外的本實施方式的結(jié)構與實施方式1的結(jié)構大致相同，所以對同一要素附加同一符號，不重復其說明。接下來，使用圖17～圖20，說明本實施方式的僅在絕緣片3中具有變低的部分(c面3c)的散熱板2以及絕緣片3的形成方法的一個例子。參照圖17，首先準備散熱板2以及絕緣片3。絕緣片3具有在俯視時與散熱板2重疊的平面形狀(俯視時的形狀以及尺寸與散熱板2大致相同)。在圖17中未形成c面3c，散熱板2以及絕緣片3包括最外端2e、3e在內(nèi)在其整個面中厚度為大致恒定(大致平坦)。參照圖18，絕緣片3以與散熱板2重疊的方式安裝在散熱板2的一個(上側(cè)的)主表面上。在沖壓加工機15的沖壓下面板15a上的期望的位置，載置圖17的散熱板2以及絕緣片3。另外，在沖壓加工機15的沖壓上面板15b的與沖壓下面板15a相向的(下側(cè)的)面上，形成有與應形成于絕緣片3的c面3c的形狀對應的傾斜15c。參照圖19，沖壓上面板15b下降而使其下側(cè)的面(包括傾斜15c的部分)緊貼到絕緣片3，由此沖壓上面板13b對絕緣片3以及散熱板2施加向下的壓力，并且加熱至絕緣片3熔融的溫度。其中，在此加熱的溫度是絕緣片3的反應發(fā)展而不熱硬化的程度的低溫。另外，關于加熱的時間，也設為絕緣片3的反應發(fā)展而不熱硬化的程度。通過該加熱以及加壓，絕緣片3的一部分流動，向絕緣片3轉(zhuǎn)印沖壓上面板15b的下表面的傾斜15c的形狀，形成如圖15以及圖16所示的端部區(qū)域的c面3c。此外，此時從對于絕緣片3與沖壓上面板15b緊貼而相互不剝離的問題進行抑制的觀點出發(fā)，雖然未圖示但也可以在絕緣片3的上表面上配置分離型膜。另外，通過流動而從散熱板2的正上露出的絕緣片3在從沖壓加工機15取出之后被去除。參照圖20，通過從沖壓加工機15拆下散熱板2等，形成安裝有具有c面3c的絕緣片3的散熱板2。接下來，說明本實施方式的作用效果。根據(jù)本實施方式，無需在散熱板2的端部區(qū)域形成變薄的(最上表面變低的)區(qū)域，而能夠形成絕緣片3的端部區(qū)域變薄的結(jié)構。由于無需形成向散熱板2的c面，相應地能夠比實施方式1更容易地提供期望的形狀的絕緣片3。即使散熱板2的端部區(qū)域不一定變低而是平坦的，只要至少絕緣片3在端部區(qū)域中變低，就能夠使密封樹脂8進入到絕緣片3與其正上的外側(cè)引線框4b之間，能夠提高引線框4與散熱板2之間的絕緣性。另外，能夠確保使絕緣片3的端部區(qū)域中的引線框4與散熱板2的絕緣沿面距離變長。實施例1在實施方式1中，通過改變圖2(a)、(b)中的尺寸a、b的值來改變傾斜梯度的值，評價在散熱板2的一個主表面上安裝有絕緣片3的狀態(tài)下進行沖壓工序(參照圖6)時的絕緣片3針對散熱板2的緊貼性以及由該散熱板2形成的半導體器件100(參照圖1、圖9)的絕緣性及散熱性。表1的樣品編號1～15是在由無氧銅構成的散熱板2(平面尺寸是30mm×20mm×3mm)的一個主表面上通過沖壓工序接合有環(huán)氧樹脂系的絕緣片3的半導體器件100的樣品。此外，在絕緣片3中，作為體積而含有58％量的作為無機粉末填充材料的氮化硼。另外，絕緣片3的厚度是0.2mm，熱傳導率是12w/mk。表1示出評價該樣品中的散熱板2與絕緣片3的緊貼性、半導體器件100的外側(cè)引線框4b與散熱板2之間的絕緣耐壓(絕緣性)、以及利用散熱板2實現(xiàn)的半導體器件100的散熱特性(散熱性)而得到的結(jié)果。[表1]樣品編號a(mm)b(mm)傾斜梯度緊貼性絕緣性散熱性100無良好2kv10020.30.133.3％良好2kv10030.50.120.0％良好4kv100410.110.0％良好5kv10051.50.16.7％良好6kv100620.15.0％良好6kv10272.50.14.0％良好6kv115810.011.0％良好2kv100910.0252.5％良好5kv1001010.110.0％良好6kv1001110.2525.0％良好6kv1001210.330.0％剝離--1320.2512.5％良好6kv103140.40.2562.5％剝離--150.40.250.0％剝離--在表1中的“絕緣性”的欄中，示出在對各半導體器件100的樣品使交流電壓每次按照0.5kv的幅度上升的同時施加1分鐘時能夠維持絕緣性的最大的電壓，在該電壓值是4kv以上的情況下，判定為絕緣性良好。在評價絕緣性時，無需切斷引線框4的不需要部分(不實施連接桿切斷)，在引線框4內(nèi)全部在相同的電位的狀態(tài)下測定出電壓值。另外，在表1中的“散熱性”的欄中，利用將厚度在整體中恒定(不形成c面2c：尺寸a、b都是0)的散熱板2(樣品編號1)的熱阻設為100時的相對值來表示，如果是110以上，則判定為散熱性低。根據(jù)表1，具有如下傾向：在a的值小時絕緣性降低，在a的值大時熱性降低。另外，具有如下傾向：在b的值小時絕緣性降低，在b的值大時無法確保散熱板2與絕緣片3的緊貼性。如果由b/a的值表示的傾斜梯度高，則向散熱板2安裝絕緣片3時發(fā)生剝離，具有無法確保散熱板2與絕緣片3之間的緊貼性的傾向。另一方面，具有如果傾斜梯度低則絕緣片3的絕緣性降低的傾向。如果考慮以上，則可以說作為a的值最優(yōu)選0.5mm以上且2.0mm以下，作為b的值最優(yōu)選0.025mm以上且0.25mm以下。具體而言，樣品編號3、4、5、6、9、10、11、13的各樣品滿足上述a、b的數(shù)值條件，緊貼性、絕緣性、散熱性都呈現(xiàn)良好的結(jié)果。應認為本次公開的實施方式在所有點僅為例示，并非是限制性的內(nèi)容。本發(fā)明的范圍并非是通過上述說明而是通過權利要求書來示出，包括與權利要求書均等的意義以及范圍內(nèi)的所有的變更。當前第1頁12當前第1頁12