本發(fā)明涉及顯示裝置及其制造方法，更具體地，涉及一種使用半導(dǎo)體發(fā)光器件的柔性顯示裝置。

背景技術(shù)：

顯示裝置具有諸如低輪廓、柔性等的優(yōu)異特性。另外，目前商業(yè)化的主要顯示器的代表是液晶顯示器(lcd)和有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(amoled)。然而，lcd存在諸如響應(yīng)時(shí)間慢、難以實(shí)現(xiàn)柔性的問題，amoled存在諸如壽命短、產(chǎn)率差以及柔性低的缺點(diǎn)。

另外，發(fā)光二極管(led)自1962年使用gaasp化合物半導(dǎo)體的紅色led與基于gap:n的綠色led一起商用起已經(jīng)作為用于顯示圖像的光源用在包括信息通信裝置的電子裝置中。因此，半導(dǎo)體發(fā)光器件可用于實(shí)現(xiàn)柔性顯示器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)問題

因此，詳細(xì)描述的一方面在于提供一種能夠簡化新型柔性顯示裝置中的布線工藝的結(jié)構(gòu)和方法。

詳細(xì)描述的另一方面在于提供一種具有能夠減小其厚度的連接布線結(jié)構(gòu)的顯示裝置。

問題的解決方案

為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本說明書的目的，如本文具體實(shí)現(xiàn)和廣義描述的，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：在布線基板上的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件；以及在布線基板上的連接部，該連接部被配置為將所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件電連接至布線基板。另外，所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件中的每一個(gè)包括：第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層交疊的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電電極；以及在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電電極。另外，連接部包括由與第一導(dǎo)電電極相同的材料形成的第一導(dǎo)電層以及由與第二導(dǎo)電電極相同的材料形成的第二導(dǎo)電層。本發(fā)明還提供該顯示裝置的對應(yīng)制造方法。

本申請的進(jìn)一步的適用范圍將從下文給出的詳細(xì)描述而變得更顯而易見。然而，應(yīng)該理解，僅示意性地在指示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的同時(shí)給出詳細(xì)描述和具體示例，因?yàn)閷τ诒绢I(lǐng)域技術(shù)人員而言，通過該詳細(xì)描述，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的各種改變和修改將變得顯而易見。

本發(fā)明的有益效果

根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置可具有以下優(yōu)點(diǎn)。

首先，由于當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光器件生長時(shí)在晶圓上形成連接至布線基板的連接部，所以可執(zhí)行布線連接而沒有任何弱連接區(qū)域。

第二，由于當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光器件生長時(shí)連接部一起形成，所以連接部可被實(shí)現(xiàn)為柱結(jié)構(gòu)而無需附加工藝。

第三，半導(dǎo)體發(fā)光器件與連接部之間的電連接所需的布線基板上的電極線可利用連接部以一定的自由度來布置。

第四，由于半導(dǎo)體發(fā)光器件的導(dǎo)電電極連接至連接部，所以布線線路的厚度可減小，并且工藝時(shí)間可縮短。

第五，由于第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層被層壓在半導(dǎo)體層上，可使連接部和布線基板之間的距離與半導(dǎo)體發(fā)光器件和布線基板之間的距離相等或相似。

附圖說明

附圖被包括以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被并入本說明書并且構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出示例性實(shí)施方式并且與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。

在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置的實(shí)施方式的概念圖；

圖2是圖1中的部分“a”的放大圖；

圖3a和圖3b是沿著圖2中的線“b-b”和“c-c”截取的截面圖；

圖4是示出圖3的倒裝芯片型半導(dǎo)體發(fā)光器件的概念圖；

圖5a至圖5c是示出與倒裝芯片型半導(dǎo)體發(fā)光器件結(jié)合實(shí)現(xiàn)顏色的多種形式的概念圖；

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置的制造方法的截面圖；

圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置的另一實(shí)施方式的立體圖；

圖8是沿著圖7中的線“d-d”截取的截面圖；

圖9是示出圖8的垂直型半導(dǎo)體發(fā)光器件的概念圖；

圖10a是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置的立體圖；

圖10b是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在顯示裝置的布線基板上布置電極的結(jié)構(gòu)的概念圖；

圖11a和圖11b是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件和連接部的結(jié)構(gòu)的截面圖；

圖12a和圖12b是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件和連接部生長在基板上的結(jié)構(gòu)的概念圖；

圖13a至圖13f和圖14a至圖14d是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的概念圖；

圖15是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的顯示裝置的立體圖；以及

圖16是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的顯示裝置的立體圖。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖詳細(xì)描述本文公開的實(shí)施方式，為相同或相似的元件指定相同的標(biāo)號，而不管圖號，其冗余描述將被省略。用于以下描述中公開的構(gòu)成元件的后綴“模塊”或“單元”僅是為了容易描述本說明書，后綴本身并不給予任何特殊含義或功能。

另外，應(yīng)該注意的是，僅示出附圖以容易地說明本發(fā)明的概念，因此，它們不應(yīng)被解釋為由附圖限制本文公開的技術(shù)構(gòu)思。另外，當(dāng)諸如層、區(qū)域或基板的元件被稱作“在”另一元件“上”時(shí)，它可直接在所述另一元件上，或者也可在二者之間插入中間元件。

本文公開的顯示裝置可包括便攜式電話、智能電話、膝上型計(jì)算機(jī)、數(shù)字廣播終端、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、導(dǎo)航、石板pc、平板pc、超級本、數(shù)字tv、臺式計(jì)算機(jī)等。然而，本文公開的配置可適用于任何可顯示裝置，即使它是稍后將開發(fā)的新產(chǎn)品類型。

圖1是示出根據(jù)本公開的實(shí)施方式的使用半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置100的概念圖。如圖1所示，在顯示裝置100的控制器中處理的信息可利用柔性顯示器來顯示。柔性顯示器包括柔性、可彎曲、可扭曲、可折疊和可卷曲顯示器。例如，柔性顯示器可在薄的柔性基板上制造，其在維持平板顯示器的顯示特性的同時(shí)可像紙張一樣翹曲、彎曲、折疊或卷曲。

當(dāng)柔性顯示器未翹曲時(shí)(例如，具有無限曲率半徑的配置，以下稱作“第一配置”)，柔性顯示器的顯示區(qū)域變?yōu)槠矫妗．?dāng)在第一配置下柔性顯示器由于外力而翹曲時(shí)(例如，具有有限曲率半徑的配置，以下稱作“第二配置”)，其顯示區(qū)域變?yōu)榍妗Ｈ鐖D1所示，在第二配置下顯示的信息包括顯示在曲面上的視覺信息。

該視覺信息可通過分別控制以矩陣形式設(shè)置的子像素的光發(fā)射來實(shí)現(xiàn)。另外，子像素表示用于實(shí)現(xiàn)一種顏色的最小單元，并且可通過半導(dǎo)體發(fā)光器件來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本公開的實(shí)施方式，示出發(fā)光二極管(led)作為一種半導(dǎo)體發(fā)光器件。發(fā)光二極管可形成為小尺寸，以即使在第二配置下也起到子像素的作用。

以下，將參照附圖更詳細(xì)地描述利用發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)的柔性顯示器。具體地講，圖2是圖1中的部分“a”的局部放大圖，圖3a和圖3b是沿著圖2中的線b-b和c-c截取的橫截面圖，圖4是示出圖3a中的倒裝芯片型半導(dǎo)體發(fā)光器件的概念圖，圖5a至圖5c是示出與倒裝芯片型半導(dǎo)體發(fā)光器件結(jié)合實(shí)現(xiàn)顏色的各種形式的概念圖。

圖2、圖3a和圖3b示出了使用無源矩陣(pm)型半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置100。然而，以下例示也適用于有源矩陣(am)型半導(dǎo)體發(fā)光器件。

如所示，顯示裝置100可包括基板110、第一電極120、導(dǎo)電粘合層130、第二電極140和多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件150?；?10可以是柔性基板，并且包含玻璃或聚酰亞胺(pi)以實(shí)現(xiàn)柔性顯示裝置。另外，可使用諸如聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)等的柔性材料。另外，基板110可以是透明材料和不透明材料中的任一種。

基板110可以是設(shè)置有第一電極120的布線基板，因此第一電極120可被布置在基板110上。如所示，絕緣層160可設(shè)置在包括第一電極120的基板110上，輔助電極170可布置在絕緣層160上。在這種情況下，絕緣層160被沉積在基板110上的配置可以是單個(gè)布線基板。更具體地，絕緣層160可利用諸如聚酰亞胺(pi)、pet、pen等的絕緣和柔性材料被并入基板110中以形成單個(gè)布線基板。

將第一電極120電連接到半導(dǎo)體發(fā)光器件150的輔助電極170被布置在絕緣層160上，并且與第一電極120的位置對應(yīng)地設(shè)置。例如，輔助電極170具有點(diǎn)形狀，并且可通過穿過絕緣層160的電極孔171電連接到第一電極120。電極孔171可通過在通孔中填充導(dǎo)電材料來形成。

參照附圖，導(dǎo)電粘合層130可形成在絕緣層160的一個(gè)表面上，但是本公開不限于此。例如，還可具有在沒有絕緣層160的情況下將導(dǎo)電粘合層130設(shè)置在基板110上的結(jié)構(gòu)。另外，在導(dǎo)電粘合層130被設(shè)置在基板110上的結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電粘合層130可起到絕緣層的作用。

另外，導(dǎo)電粘合層130具有粘附性和導(dǎo)電性，因此，導(dǎo)電材料和粘合材料可被混合在導(dǎo)電粘合層130上。另外，導(dǎo)電粘合層130可具有柔性，從而允許顯示裝置中的柔性功能。

例如，導(dǎo)電粘合層130可以是各向異性導(dǎo)電膜(acf)、各向異性導(dǎo)電糊劑、包含導(dǎo)電顆粒的溶液等。導(dǎo)電粘合層130允許穿過其厚度的z方向上的電互連，但是可被配置為在其水平x-y方向上具有電絕緣的層。因此，導(dǎo)電粘合層130可被稱作z軸導(dǎo)電層(以下稱作“導(dǎo)電粘合層”)。

各向異性導(dǎo)電膜具有各向異性導(dǎo)電介質(zhì)與絕緣基件混合的形式，因此，當(dāng)對其施加熱和壓力時(shí)，僅其特定部分通過各向異性導(dǎo)電介質(zhì)而具有導(dǎo)電性。以下，對各向異性導(dǎo)電膜施加熱和壓力，但是其它方法也可用于各向異性導(dǎo)電膜以使其部分地具有導(dǎo)電性。所述方法包括僅對其施加熱和壓力中的任一個(gè)、uv固化等。

另外，各向異性導(dǎo)電介質(zhì)可以是導(dǎo)電球或顆粒。根據(jù)附圖，在本實(shí)施方式中，各向異性導(dǎo)電膜具有各向異性導(dǎo)電介質(zhì)與絕緣基件混合的形式，因此，當(dāng)對其施加熱和壓力時(shí)，僅其特定部分通過導(dǎo)電球而具有導(dǎo)電性。各向異性導(dǎo)電膜也可以是具有導(dǎo)電材料的芯，其包含被具有聚合物材料的絕緣層涂覆的多個(gè)顆粒，在這種情況下，它可在被施加熱和壓力的部分上具有絕緣層的同時(shí)通過芯而具有導(dǎo)電性。這里，可使芯變形以實(shí)現(xiàn)在膜的厚度方向上具有對象所接觸的兩個(gè)表面的層。

對于更具體的示例，對各向異性導(dǎo)電膜整體施加熱和壓力，z軸方向上的電連接通過相對于利用各向異性導(dǎo)電膜粘附的配對對象的高度差來部分地形成。在另一示例中，各向異性導(dǎo)電膜可包括多個(gè)顆粒，其中導(dǎo)電材料被涂覆在絕緣芯上。在這種情況下，被施加熱和壓力的部分可被轉(zhuǎn)變?yōu)?加壓并粘附到)導(dǎo)電材料以在膜的厚度方向上具有導(dǎo)電性。在另一示例中，膜可被形成為在厚度方向上具有導(dǎo)電性，其中導(dǎo)電材料在z方向上穿過絕緣基件。在這種情況下，導(dǎo)電材料可具有尖的端部。

根據(jù)附圖，各向異性導(dǎo)電膜可以是固定陣列各向異性導(dǎo)電膜(acf)，其中導(dǎo)電球被插入絕緣基件的一個(gè)表面中。更具體地，絕緣基件包括粘合材料，導(dǎo)電球被密集地設(shè)置在絕緣基件的底部，當(dāng)對其施加熱和壓力時(shí)，基件隨導(dǎo)電球一起改性，從而在其垂直方向上具有導(dǎo)電性。

然而，本公開不限于此，各向異性導(dǎo)電膜可包括隨機(jī)地與絕緣基件混合的導(dǎo)電球或者導(dǎo)電球被設(shè)置在任一層的多個(gè)層(雙acf)等。各向異性導(dǎo)電糊劑可包括與絕緣和粘合基材混合的導(dǎo)電球。另外，包含導(dǎo)電顆粒的溶液可包括導(dǎo)電顆?；蚣{米顆粒。

再參照圖3a和圖3b，第二電極140位于絕緣層160處并與輔助電極170分離。換言之，導(dǎo)電粘合層130被設(shè)置在設(shè)置有輔助電極170和第二電極140的絕緣層160上。當(dāng)在設(shè)置有輔助電極170和第二電極140的狀態(tài)下形成導(dǎo)電粘合層130，然后在施加熱和壓力的情況下半導(dǎo)體發(fā)光器件150以倒裝芯片形式連接到導(dǎo)電粘合層130時(shí)，半導(dǎo)體發(fā)光器件150電連接到第一電極120和第二電極140。

參照圖4，半導(dǎo)體發(fā)光器件150可以是倒裝芯片型半導(dǎo)體發(fā)光器件。例如，半導(dǎo)體發(fā)光器件150可包括p型電極156、形成有p型電極156的p型半導(dǎo)體層155、形成在p型半導(dǎo)體層155上的有源層154、形成在有源層154上的n型半導(dǎo)體層153、以及在水平方向上與p型電極156分離地設(shè)置在n型半導(dǎo)體層153上的n型電極152。在這種情況下，p型電極156可通過導(dǎo)電粘合層130電連接到焊接部分，n型電極152可電連接到第二電極140。

再參照圖2、圖3a和圖3b，輔助電極170可按照一個(gè)方向上的細(xì)長方式形成，以電連接到多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件150。例如，輔助電極周圍的半導(dǎo)體發(fā)光器件的左p型電極和右p型電極可電連接到一個(gè)輔助電極。更具體地，半導(dǎo)體發(fā)光器件150被壓到導(dǎo)電粘合層130中，通過這樣，僅半導(dǎo)體發(fā)光器件150的p型電極156與輔助電極170之間的部分以及半導(dǎo)體發(fā)光器件150的n型電極152與第二電極140之間的部分具有導(dǎo)電性，剩余部分不具有導(dǎo)電性。

另外，多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件150構(gòu)成發(fā)光陣列，熒光粉層180形成在該發(fā)光陣列上。發(fā)光器件可包括具有不同的自亮度值的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件。各個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件150構(gòu)成子像素，并且電連接到第一電極120。例如，可存在多個(gè)第一電極120，并且例如，半導(dǎo)體發(fā)光器件150按照多行排列，各行的半導(dǎo)體發(fā)光器件150可電連接到多個(gè)第一電極中的任一個(gè)。

另外，半導(dǎo)體發(fā)光器件150可按照倒裝芯片形式連接，因此，半導(dǎo)體發(fā)光器件在透明介電基板上生長。另外，例如，半導(dǎo)體發(fā)光器件150可以是氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件。半導(dǎo)體發(fā)光器件150具有優(yōu)異的亮度特性，因此可配置各個(gè)子像素，即使其尺寸較小。

根據(jù)圖3b，間壁190可形成在半導(dǎo)體發(fā)光器件150之間。在這種情況下，間壁190將各個(gè)子像素彼此分割，并且可與導(dǎo)電粘合層130形成為整體。例如，當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光器件150被插入各向異性導(dǎo)電膜中時(shí)，各向異性導(dǎo)電膜的基件可形成間壁。

另外，當(dāng)各向異性導(dǎo)電膜的基件為黑色時(shí)，在沒有附加黑色絕緣體的情況下間壁190可具有反射特性，同時(shí)增大對比度。在另一示例中，可與間壁190分離地設(shè)置反射間壁。在這種情況下，根據(jù)顯示裝置的目的，間壁190可包括黑色或白色絕緣體。另外，當(dāng)使用白色絕緣體的間壁時(shí)，間壁190可具有增強(qiáng)反射率的效果，并且在具有反射特性的同時(shí)增大對比度。

另外，熒光粉層180可設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件150的外表面。例如，半導(dǎo)體發(fā)光器件150可以是發(fā)射藍(lán)色(b)光的藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件，因此熒光粉層180起到將藍(lán)色(b)光轉(zhuǎn)換為子像素的顏色的作用。熒光粉層180還可以是構(gòu)成各個(gè)像素的紅色熒光粉層181或綠色熒光粉層182。

換言之，能夠?qū)⑺{(lán)色光轉(zhuǎn)換為紅色(r)光的紅色熒光粉181可沉積在藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件150上實(shí)現(xiàn)紅色子像素的位置處，能夠?qū)⑺{(lán)色光轉(zhuǎn)換為綠色(g)光的綠色熒光粉182可沉積在藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件150上實(shí)現(xiàn)綠色子像素的位置處。另外，在實(shí)現(xiàn)藍(lán)色子像素的位置處可僅單獨(dú)地使用藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件150。在這種情況下，紅色(r)、綠色(g)和藍(lán)色(b)子像素可實(shí)現(xiàn)一個(gè)像素。更具體地講，一種顏色的熒光粉可沿著第一電極120的各行沉積。因此，第一電極120上的一行可以是控制一種顏色的電極。換言之，可依次設(shè)置紅色(r)、綠色(g)和藍(lán)色(b)，從而實(shí)現(xiàn)子像素。

然而，本公開不限于此，代替熒光粉，半導(dǎo)體發(fā)光器件150可與量子點(diǎn)(qd)組合，以實(shí)現(xiàn)諸如紅色(r)、綠色(g)和藍(lán)色(b)的子像素。另外，黑色基底191可設(shè)置在各個(gè)熒光粉層之間以增強(qiáng)對比度。換言之，黑色基底191可增強(qiáng)亮度的對比度。然而，本公開不限于此，實(shí)現(xiàn)紅色、綠色和藍(lán)色的另一結(jié)構(gòu)也可適用。

參照圖5a，各個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件150可利用發(fā)射包括藍(lán)色的各種光的高功率發(fā)光器件來實(shí)現(xiàn)，其中主要使用氮化鎵(gan)，并且添加有銦(in)和或鋁(al)。在這種情況下，半導(dǎo)體發(fā)光器件150可分別是紅色、綠色和藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件，以實(shí)現(xiàn)各個(gè)子像素。例如，紅色、綠色和藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件(r、g、b)交替地設(shè)置，并且紅色、綠色和藍(lán)色子像素通過紅色、綠色和藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件實(shí)現(xiàn)一個(gè)像素，從而實(shí)現(xiàn)全彩色顯示器。

參照圖5b，半導(dǎo)體發(fā)光器件可具有針對各個(gè)元件設(shè)置有黃色熒光粉層的白色發(fā)光器件(w)。在這種情況下，紅色熒光粉層181、綠色熒光粉層182和藍(lán)色熒光粉層183可設(shè)置在白色發(fā)光器件(w)上以實(shí)現(xiàn)子像素。另外，以紅色、綠色和藍(lán)色在白色發(fā)光器件(w)上重復(fù)的濾色器可用于實(shí)現(xiàn)子像素。

參照圖5c，還可具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中紅色熒光粉層181、綠色熒光粉層182和藍(lán)色熒光粉層183可設(shè)置在紫外發(fā)光器件(uv)上。因此，半導(dǎo)體發(fā)光器件可用在直至紫外光(uv)以及可見光的整個(gè)區(qū)域上，并且可擴(kuò)展至紫外光(uv)可用作激勵(lì)源的半導(dǎo)體發(fā)光器件的形式。

再考慮當(dāng)前示例，半導(dǎo)體發(fā)光器件150被布置在導(dǎo)電粘合層130上以配置顯示裝置中的子像素。半導(dǎo)體發(fā)光器件150具有優(yōu)異的亮度特性，因此可配置各個(gè)子像素，即使其尺寸較小。各個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件150的尺寸(其一條邊長)可小于80μm，并且利用矩形或正方形形狀的元件形成。對于矩形形狀的元件，其尺寸可小于20×80μm。

另外，即使當(dāng)邊長為10μm的正方形形狀的半導(dǎo)體發(fā)光器件150用于子像素時(shí)，它也將表現(xiàn)出足夠的亮度以實(shí)現(xiàn)顯示裝置。因此，例如，對于子像素的一條邊的尺寸為600μm，其剩余一條邊為300μm的矩形像素，半導(dǎo)體發(fā)光器件之間的相對距離變得足夠大。因此，在這種情況下，可實(shí)現(xiàn)具有hd圖像質(zhì)量的柔性顯示裝置。

使用上述半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置將通過新型的制造方法來制造。以下，將參照圖6來描述該制造方法。具體地講，圖6包括示出根據(jù)本公開的實(shí)施方式的使用半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置的制造方法的橫截面圖。

參照圖6，首先，在設(shè)置有輔助電極170和第二電極140的絕緣層160上形成導(dǎo)電粘合層130。另外，絕緣層160被沉積在第一基板110上以形成一個(gè)基板(或布線基板)，第一電極120、輔助電極170和第二電極140被設(shè)置在布線基板處。在這種情況下，第一電極120和第二電極140可按照彼此垂直的方向設(shè)置。另外，第一基板110和絕緣層160可分別包含玻璃或聚酰亞胺(pi)，以實(shí)現(xiàn)柔性顯示裝置。如上面所討論的，例如，導(dǎo)電粘合層130可以是各向異性導(dǎo)電膜，因此，各向異性導(dǎo)電膜可被涂覆在設(shè)置有絕緣層160的基板上。

接下來，將設(shè)置有與輔助電極170和第二電極140的位置對應(yīng)并且構(gòu)成各個(gè)像素的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件150的第二基板112設(shè)置為使得半導(dǎo)體發(fā)光器件150面向輔助電極170和第二電極140。在這種情況下，作為用于生長半導(dǎo)體發(fā)光器件150的生長基板的第二基板112可以是藍(lán)寶石基板或硅基板。另外，半導(dǎo)體發(fā)光器件可在以晶圓為單位形成時(shí)具有能夠?qū)崿F(xiàn)顯示裝置的間隙和尺寸，因此有效地用于顯示裝置。

接下來，將布線基板熱壓到第二基板112。例如，可通過應(yīng)用acf沖頭來將布線基板和第二基板112彼此熱壓。布線基板和第二基板112利用熱壓而彼此結(jié)合。另外，由于通過熱壓而具有導(dǎo)電性的各向異性導(dǎo)電膜的特性，僅半導(dǎo)體發(fā)光器件150與輔助電極170和第二電極140之間的部分具有導(dǎo)電性，從而使得電極和半導(dǎo)體發(fā)光器件150能夠彼此電連接。此時(shí)，半導(dǎo)體發(fā)光器件150可插入各向異性導(dǎo)電膜中，從而形成半導(dǎo)體發(fā)光器件150之間的間壁。

接下來，去除第二基板112。例如，可利用激光剝離(llo)或化學(xué)剝離(clo)方法來去除第二基板112。最后，去除第二基板112以將半導(dǎo)體發(fā)光器件150暴露于外?？稍谶B接至半導(dǎo)體發(fā)光器件150的布線基板上涂覆硅氧化物(siox)等以形成透明絕緣層。

該方法還可包括在半導(dǎo)體發(fā)光器件150的一個(gè)表面上形成熒光粉層的工藝。例如，半導(dǎo)體發(fā)光器件150可以是發(fā)射藍(lán)色(b)光的藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件，用于將藍(lán)色(b)光轉(zhuǎn)換為子像素的顏色的紅色或綠色熒光粉可在藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件的一個(gè)表面上形成層。

另外，使用上述半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置的制造方法或結(jié)構(gòu)可按照各種形式來修改。例如，上述顯示裝置可適用于垂直半導(dǎo)體發(fā)光器件。以下，將參照圖5和圖6來描述垂直結(jié)構(gòu)。另外，根據(jù)以下修改示例或?qū)嵤┓绞?，相同或相似的?biāo)號被指定給與上述示例相同或相似的配置，其描述將由早前描述代替。

圖7是示出根據(jù)本公開的另一實(shí)施方式的使用半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置200的立體圖，圖8是沿著圖7中的線d-d截取的橫截面圖，圖9是示出圖8中的垂直型半導(dǎo)體發(fā)光器件的概念圖。

如所示，顯示裝置200可使用無源矩陣(pm)型垂直半導(dǎo)體發(fā)光器件。顯示裝置200可包括基板210、第一電極220、導(dǎo)電粘合層230、第二電極240以及多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件250。另外，作為設(shè)置有第一電極220的布線基板的基板210可包括聚酰亞胺(pi)以實(shí)現(xiàn)柔性顯示裝置。另外，也可使用任一種，只要它是絕緣和柔性材料即可。

第一電極220可被設(shè)置在基板210上并且利用在一個(gè)方向上伸長的條形電極形成。另外，第一電極220可起到數(shù)據(jù)電極的作用。導(dǎo)電粘合層230形成在設(shè)置有第一電極220的基板210上。類似于應(yīng)用倒裝芯片型發(fā)光器件的顯示裝置，導(dǎo)電粘合層230可以是各向異性導(dǎo)電膜(acf)、各向異性導(dǎo)電糊劑、包含導(dǎo)電顆粒的溶液等。然而，本實(shí)施方式示出導(dǎo)電粘合層230由各向異性導(dǎo)電膜實(shí)現(xiàn)。

當(dāng)在將第一電極220設(shè)置在基板210上時(shí)設(shè)置各向異性導(dǎo)電膜，然后施加熱和壓力以連接半導(dǎo)體發(fā)光器件250時(shí)，半導(dǎo)體發(fā)光器件250電連接到第一電極220。此時(shí)，半導(dǎo)體發(fā)光器件250優(yōu)選被設(shè)置在第一電極220上。當(dāng)如上所述施加熱和壓力時(shí)，由于各向異性導(dǎo)電膜在厚度方向上部分地具有導(dǎo)電性，生成電連接。因此，各向異性導(dǎo)電膜被分割成在其厚度方向上具有導(dǎo)電性的部分和不具有導(dǎo)電性的部分。

另外，各向異性導(dǎo)電膜包含粘合組分，因此導(dǎo)電粘合層230實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體發(fā)光器件250與第一電極220之間的機(jī)械連接以及電連接。因此，半導(dǎo)體發(fā)光器件250被布置在導(dǎo)電粘合層230上，從而配置顯示裝置中的單獨(dú)的子像素。半導(dǎo)體發(fā)光器件250具有優(yōu)異的亮度特性，因此可配置各個(gè)子像素，即使其尺寸較小。各個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件250的尺寸(其一條邊長)可小于80μm并且利用矩形或正方形形狀的元件形成。對于矩形形狀的元件，其尺寸可小于20×80μm。

半導(dǎo)體發(fā)光器件250可以是垂直結(jié)構(gòu)。另外，設(shè)置在與第一電極220的長度方向交叉的方向上并且電連接到垂直半導(dǎo)體發(fā)光器件250的多個(gè)第二電極240可設(shè)置在垂直半導(dǎo)體發(fā)光器件之間。

參照圖9，垂直半導(dǎo)體發(fā)光器件250可包括p型電極256、形成有p型電極256的p型半導(dǎo)體層255、形成在p型半導(dǎo)體層255上的有源層254、形成在有源層254上的n型半導(dǎo)體層253以及形成在n型半導(dǎo)體層253上的n型電極252。在這種情況下，位于其底部的p型電極256可通過導(dǎo)電粘合層230電連接到第一電極220，位于其頂部的n型電極252可電連接到第二電極240(將稍后描述)。電極可在向上/向下方向上設(shè)置在垂直半導(dǎo)體發(fā)光器件250中，從而有利地減小芯片尺寸。

參照圖8，熒光粉層280可形成在半導(dǎo)體發(fā)光器件250的一個(gè)表面上。例如，半導(dǎo)體發(fā)光器件250可以是發(fā)射藍(lán)色(b)光的藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件，將藍(lán)色(b)光轉(zhuǎn)換為子像素的顏色的熒光粉層280可設(shè)置在其上。在這種情況下，熒光粉層180可以是構(gòu)成各個(gè)像素的紅色熒光粉281和綠色熒光粉282。

換言之，能夠?qū)⑺{(lán)色光轉(zhuǎn)換為紅色(r)光的紅色熒光粉281可沉積在藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件250上實(shí)現(xiàn)紅色子像素的位置處，能夠?qū)⑺{(lán)色光轉(zhuǎn)換為綠色(g)光的綠色熒光粉282可沉積在藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件250上實(shí)現(xiàn)綠色子像素的位置處。另外，在實(shí)現(xiàn)藍(lán)色子像素的位置處可僅單獨(dú)地使用藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件250。在這種情況下，紅色(r)、綠色(g)和藍(lán)色(b)子像素可實(shí)現(xiàn)一個(gè)像素。

然而，本公開不限于此，在應(yīng)用倒裝芯片型發(fā)光器件的顯示裝置中如上所述也可適用實(shí)現(xiàn)藍(lán)色、紅色和綠色的另一結(jié)構(gòu)。再考慮本實(shí)施方式，第二電極240設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件250之間并且電連接到半導(dǎo)體發(fā)光器件250。例如，半導(dǎo)體發(fā)光器件250可按照多行設(shè)置，第二電極240可設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件250的行之間。

由于構(gòu)成各個(gè)像素的半導(dǎo)體發(fā)光器件250之間的距離足夠大，所以第二電極240可設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件250之間。另外，第二電極240可利用在一個(gè)方向上伸長的條形電極形成，并且設(shè)置在與第一電極垂直的方向上。

另外，第二電極240可通過從第二電極240突出的連接電極來電連接到半導(dǎo)體發(fā)光器件250。更具體地講，連接電極可以是半導(dǎo)體發(fā)光器件250的n型電極。例如，n型電極利用用于歐姆接觸的歐姆電極來形成，第二電極通過印刷或沉積而覆蓋歐姆電極的至少一部分。通過這樣，第二電極240可電連接到半導(dǎo)體發(fā)光器件250的n型電極。

根據(jù)圖8，第二電極240可設(shè)置在導(dǎo)電粘合層230上。另外，可在包括半導(dǎo)體發(fā)光器件250的基板210上形成包含硅氧化物(siox)的透明絕緣層。當(dāng)形成透明絕緣層，然后在其上布置第二電極240時(shí)，第二電極240可被布置在透明絕緣層上。另外，第二電極240可被形成為與導(dǎo)電粘合層230或透明絕緣層分離。

如果使用諸如銦錫氧化物(ito)的透明電極來將第二電極240設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件250上，則ito材料具有與n型半導(dǎo)體的粘附性較差的問題。因此，第二電極240可被布置在半導(dǎo)體發(fā)光器件250之間，從而獲得不需要透明電極的優(yōu)點(diǎn)。因此，n型半導(dǎo)體層和具有良好粘附性的導(dǎo)電材料可用作水平電極，而不受透明材料的選擇的限制，從而增強(qiáng)光提取效率。

根據(jù)圖8，間壁290可形成在半導(dǎo)體發(fā)光器件250之間。換言之，間壁290可設(shè)置在垂直半導(dǎo)體發(fā)光器件250之間以將構(gòu)成各個(gè)像素的半導(dǎo)體發(fā)光器件250隔離。在這種情況下，間壁290將各個(gè)子像素彼此分割，并且可與導(dǎo)電粘合層230形成為整體。例如，當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光器件250插入各向異性導(dǎo)電膜中時(shí)，各向異性導(dǎo)電膜的基件可形成間壁。

另外，當(dāng)各向異性導(dǎo)電膜的基件為黑色時(shí)，在沒有附加黑色絕緣體的情況下，間壁290可具有反射特性，同時(shí)增大對比度。在另一示例中，可與間壁290分離地設(shè)置反射間壁。在這種情況下，根據(jù)顯示裝置的目的，間壁290可包括黑色或白色絕緣體。

如果第二電極240被精確地設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件250之間的導(dǎo)電粘合層230上，則間壁290可被設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件250與第二電極240之間。因此，各個(gè)子像素即使小尺寸也可利用半導(dǎo)體發(fā)光器件250來配置，并且半導(dǎo)體發(fā)光器件250之間的距離可相對足夠大以將第二電極240布置在半導(dǎo)體發(fā)光器件250之間，從而具有實(shí)現(xiàn)hd圖像質(zhì)量的柔性顯示裝置的效果。

另外，黑色基底291可設(shè)置在各個(gè)熒光粉層之間以增強(qiáng)對比度。換言之，黑色基底291可增強(qiáng)亮度的對比度。如上所述，半導(dǎo)體發(fā)光器件250被設(shè)置在導(dǎo)電粘合層230上，從而構(gòu)成顯示裝置上的各個(gè)像素。半導(dǎo)體發(fā)光器件250也具有優(yōu)異的亮度特性，從而配置各個(gè)子像素，即使其尺寸較小。結(jié)果，可實(shí)現(xiàn)全彩色顯示器，其中紅色(r)、綠色(g)和藍(lán)色(b)子像素通過半導(dǎo)體發(fā)光器件實(shí)現(xiàn)一個(gè)像素。

在上述顯示裝置中，彼此交叉的布線線路被設(shè)置在布線基板上，以使得驅(qū)動(dòng)信號可被發(fā)送至半導(dǎo)體發(fā)光器件。向一個(gè)方向延伸的一些布線線路構(gòu)成掃描電極。向與所述一個(gè)方向垂直的另一方向延伸的其它布線線路構(gòu)成數(shù)據(jù)電極。為了將掃描驅(qū)動(dòng)信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)信號分別提供給掃描電極和數(shù)據(jù)電極，用于提供驅(qū)動(dòng)信號的驅(qū)動(dòng)部電連接至布線線路。這種布線結(jié)構(gòu)通過附加布線工藝來實(shí)現(xiàn)，并且本發(fā)明提供一種能夠簡化這些布線工藝的結(jié)構(gòu)和方法。

以下，將參照附圖更詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)。具體地講，圖10a是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置的立體圖，圖10b是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電極被布置在顯示裝置的布線基板上的結(jié)構(gòu)的概念圖。

參照圖10a和圖10b，示出使用半導(dǎo)體發(fā)光器件的無源矩陣(pm)型顯示裝置1000。然而，以下實(shí)施方式也適用于使用半導(dǎo)體發(fā)光器件的有源矩陣(am)型顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置1000包括基板(或布線基板)1010、第一電極(或第一布線線路)1020、導(dǎo)電粘合層1030、第二電極(或第二布線線路)1040、多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件1050和連接部1060。在以下描述中，第一電極可被稱作“第一布線線路”，第二電極可被稱作“第二布線線路”。

布線基板1010(布置有布線線路1020和1040的基板)可包括用于實(shí)現(xiàn)柔性顯示裝置的聚酰亞胺(pi)。布線基板1010可由具有絕緣性質(zhì)和柔性的任何材料形成。更具體地，第一布線線路1020和第二布線線路1040可分別形成在布線基板1010的一個(gè)表面(同一表面)上。

如所示，第一布線線路1020可形成為在一個(gè)方向(例如，“f-f”方向)上伸長的條型電極。第一布線線路1020可用作數(shù)據(jù)電極。第二布線線路1040可被設(shè)置在布線基板1010的邊緣處，并且可向與第一布線線路1020垂直的方向(例如，“e-e”方向)延伸。第二布線線路1040可用作掃描電極。

另外，第一布線線路1020通過導(dǎo)電粘合層1030電連接至多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件1050。導(dǎo)電粘合層1030形成在第一布線線路1020所在的布線基板1010上。如應(yīng)用了倒裝芯片型半導(dǎo)體發(fā)光器件的上述顯示裝置中一樣，導(dǎo)電粘合層1030可被配置為各向異性導(dǎo)電膜(acf)、各向異性導(dǎo)電糊劑、包含導(dǎo)電顆粒的溶液等。在此實(shí)施方式中，導(dǎo)電粘合層1030被配置為各向異性導(dǎo)電膜(acf)。

在這種情況下，隨著第一布線線路1020通過導(dǎo)電粘合層1030電連接至多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件1050，形成第一導(dǎo)電路徑，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)信號沿著第一導(dǎo)電路徑被施加至多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件1050。通過連接部1060實(shí)現(xiàn)第二導(dǎo)電路徑，掃描驅(qū)動(dòng)信號沿著第二導(dǎo)電路徑被施加至多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件1050。

例如，第二布線線路1040通過導(dǎo)電粘合層1030電連接至連接部1060。連接部1060被配置為將布線基板與多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件電連接，并且被設(shè)置為面向第二布線線路1040。當(dāng)布線基板1010設(shè)置有第一布線線路1020和第二布線線路1040時(shí)，各向異性導(dǎo)電膜被設(shè)置在布線基板1010上。然后，通過對各向異性導(dǎo)電膜施加熱和壓力來將半導(dǎo)體發(fā)光器件1050和連接部1060連接至布線基板1010。

結(jié)果，半導(dǎo)體發(fā)光器件1050和連接部1060分別電連接至第一布線線路1020和第二布線線路1040。由于各向異性導(dǎo)電膜當(dāng)被施加熱和壓力時(shí)在厚度方向上部分地具有導(dǎo)電性，所以生成電連接。因此，各向異性導(dǎo)電膜在厚度方向上被分成導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域。由于各向異性導(dǎo)電膜包含粘合材料，所以導(dǎo)電粘合層1030實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體發(fā)光器件1050與第一布線線路1020之間以及連接部1060與第二布線線路1040之間的電連接和機(jī)械聯(lián)接。

被配置為將半導(dǎo)體發(fā)光器件1050與連接部1060電連接并且被配置為將第二布線線路1040與驅(qū)動(dòng)部電連接的連接線1070可被設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件1050上。連接線1070可在與第一布線線路1020交叉的方向上將鄰近的半導(dǎo)體發(fā)光器件1050彼此連接。

更具體地，第一布線線路1020在“f-f”方向上將鄰近的半導(dǎo)體發(fā)光器件1050彼此電連接。另外，連接線1070在與第一布線線路1020交叉的“e-e”方向上將鄰近的半導(dǎo)體發(fā)光器件1050彼此電連接。連接部1060與半導(dǎo)體發(fā)光器件1050一起生長。

以下，將首先說明連接部1060和半導(dǎo)體發(fā)光器件1050的結(jié)構(gòu)。然后，將更詳細(xì)地說明半導(dǎo)體發(fā)光器件、第一布線線路1020、第二布線線路1040、連接部1060、連接線1070和驅(qū)動(dòng)部之間的電連接通路以及實(shí)現(xiàn)這種電連接通路的結(jié)構(gòu)。具體地講，圖11a和圖11b是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件和連接部的結(jié)構(gòu)的截面圖，圖12a和圖12b是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件和連接部生長在基板上的結(jié)構(gòu)的概念圖。

將參照圖11a說明半導(dǎo)體發(fā)光器件1050的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體發(fā)光器件1050包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層(例如，p型半導(dǎo)體層)1055以及與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055交疊的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層(例如，n型半導(dǎo)體層)1053。另外，半導(dǎo)體發(fā)光器件1050包括設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053之間的激活層1054。在這種情況下，第一導(dǎo)電電極1056可被設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055上，并且第二導(dǎo)電電極1052可被設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053上。

激活層1054設(shè)置有第一表面和第二表面。第一表面被設(shè)置為面向第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055，第二表面被設(shè)置為面向第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053。在這種情況下，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055形成在激活層1054的一個(gè)表面上。

半導(dǎo)體發(fā)光器件1050可包括絕緣部1058，其被形成為覆蓋第二導(dǎo)電電極1052。絕緣部1058可被形成為與第二導(dǎo)電電極1052一起覆蓋第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055的部分。在這種情況下，第一導(dǎo)電電極1056可形成在未被絕緣部1058覆蓋而暴露于外的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055處。

更具體地，第二導(dǎo)電電極1052和激活層1054形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053的一個(gè)表面上，并且它們在一個(gè)方向上隔著絕緣部1058彼此間隔開。所述一個(gè)方向(水平方向)可以是半導(dǎo)體發(fā)光器件的寬度方向，垂直方向可以是半導(dǎo)體發(fā)光器件的厚度方向。由于第一導(dǎo)電電極1056和第二導(dǎo)電電極1052通過絕緣部1058彼此間隔開，所以半導(dǎo)體發(fā)光器件的n型電極和p型電極彼此絕緣。

參照圖12a和圖12b，在具有這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，第二導(dǎo)電電極1052朝著鄰近半導(dǎo)體發(fā)光器件延伸以電連接至鄰近半導(dǎo)體發(fā)光器件。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置1000中，布置在各列中的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件可電連接至驅(qū)動(dòng)部。這可減少用于制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的工藝以及用于形成掃描電極的附加布線工藝。

在這種情況下，第二導(dǎo)電電極1052電連接至鄰近半導(dǎo)體發(fā)光器件，然后朝著連接部1060延伸。通過這種結(jié)構(gòu)，連接線1070可與第二導(dǎo)電電極1052一起被沉積或印刷在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053上，從而與第二導(dǎo)電電極1052一體地形成。第二導(dǎo)電電極1052可形成為用于歐姆接觸的歐姆電極。

參照圖11b，當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光器件1050在晶圓上生長時(shí)通過一起生長來形成連接部1060。因此，連接部1060將多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件與布線基板電連接。為此，連接部1060設(shè)置有第一導(dǎo)電電極1056、第二導(dǎo)電電極1052以及與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053對應(yīng)的多個(gè)層。

例如，連接部1060包括半導(dǎo)體層1063、第一導(dǎo)電層1066和第二導(dǎo)電層1062。半導(dǎo)體層1063可由與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053(n型半導(dǎo)體層)相同的材料形成。在這種情況下，半導(dǎo)體層1063和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053可以是諸如n型氮化鎵(n-gan)的氮化物半導(dǎo)體層，以一起在基板(半導(dǎo)體晶圓)上生長。參照圖12a和圖12b，半導(dǎo)體層1063和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053可按照層壓在未摻雜氮化鎵(u-gan)上的n型氮化鎵(n-gan)的形式被設(shè)置在生長基板上。未摻雜氮化鎵(u-gan)可稍后被去除。

半導(dǎo)體層1063和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053一起在生長基板上生長以具有相同的高度。另外，第一導(dǎo)電層1066由與第一導(dǎo)電電極1056相同的材料形成，第二導(dǎo)電層1062由與第二導(dǎo)電電極1052相同的材料形成。因此，連接部1060可與半導(dǎo)體發(fā)光器件1050一起生長。

如所示，第二導(dǎo)電電極1052朝著鄰近半導(dǎo)體發(fā)光器件延伸以電連接至鄰近半導(dǎo)體發(fā)光器件。然后，第二導(dǎo)電電極1052連接至第二導(dǎo)電層1062。更具體地，多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件1050被設(shè)置為形成發(fā)光器件陣列，并且第二導(dǎo)電電極1052設(shè)置有通過沿著發(fā)光器件陣列延伸而形成線的連接線1070。在這種情況下，連接部1060可被設(shè)置在連接線1070的端部。

對于這種結(jié)構(gòu)，第二導(dǎo)電電極1052設(shè)置有延伸部1059，延伸部1059延伸以從第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053的側(cè)表面突出。連接線1070形成在與延伸部1059的延伸方向垂直的方向上，從而將鄰近半導(dǎo)體發(fā)光器件的延伸部1059彼此電連接。

在連接部1060處，第二導(dǎo)電層1062可設(shè)置有突起1069，突起1069可連接至連接線1070。突起1069可通過從半導(dǎo)體層1063的側(cè)表面突出來連接至連接線1070。通過這種結(jié)構(gòu)，第二導(dǎo)電電極1052、連接線1070、第二導(dǎo)電層1062和第一導(dǎo)電層1066可依次彼此連接，從而形成導(dǎo)電路徑。

在這種情況下，由與絕緣部1058相同的材料形成的第三絕緣部1068可形成在連接部1060處。第三絕緣部1068可被形成為由與第二導(dǎo)電電極1052對應(yīng)的第二導(dǎo)電層1062覆蓋，并且覆蓋與第一導(dǎo)電電極1056對應(yīng)的第一導(dǎo)電層1066。

另外，第三絕緣部1068可被形成為僅覆蓋第二導(dǎo)電層1062的一部分，以使得第一導(dǎo)電層1066的至少部分可直接接觸第二導(dǎo)電層1062。另外，第一導(dǎo)電層1066被層壓在第三絕緣部1068上以覆蓋第三絕緣部1068的側(cè)表面。第一導(dǎo)電層1066的覆蓋第三絕緣部1068的側(cè)表面的部分電連接至第二導(dǎo)電層1062。另外，第一導(dǎo)電層1066在被層壓在第三絕緣部1068上的狀態(tài)下電連接至第二導(dǎo)電層1062。另外，絕緣部1058覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光器件中的第二導(dǎo)電電極1052和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055的部分。由于兩個(gè)結(jié)構(gòu)彼此組合，連接部1060具有與半導(dǎo)體發(fā)光器件1050相同或相似的高度。

由于上述半導(dǎo)體發(fā)光器件和連接部被附接至圖10a和圖10b的布線基板，半導(dǎo)體發(fā)光器件、設(shè)置在布線基板上的布線線路以及連接至布線線路的驅(qū)動(dòng)部可彼此電連接。

另外，如果連接部1060和布線基板1010之間的距離顯著不同于半導(dǎo)體發(fā)光器件1050和布線基板1010之間的距離，則包括在導(dǎo)電粘合層1030中的導(dǎo)電材料(或?qū)щ娗?在相對遠(yuǎn)側(cè)不會變形。在這種情況下，如果連接部1060和布線基板1010之間的距離大于半導(dǎo)體發(fā)光器件1050和布線基板1010之間的距離，則設(shè)置在布線基板1010處的第二布線線路1040和連接部1060不會彼此電連接。

在此實(shí)施方式中，連接部形成為第二導(dǎo)電層，并且第三絕緣部和第一導(dǎo)電層依次層壓在半導(dǎo)體層上。因此，布置在連接部1060和第二布線線路1040之間的導(dǎo)電材料(或?qū)щ娗?可與布置在半導(dǎo)體發(fā)光器件和第一布線線路1020之間的導(dǎo)電材料(或?qū)щ娗?一起變形。通過這種結(jié)構(gòu)，第二布線線路1040和連接部1060可彼此電連接。

通過這種層壓結(jié)構(gòu)，第一導(dǎo)電電極1056的最遠(yuǎn)離第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053的下表面以及第一導(dǎo)電層1066的最遠(yuǎn)離第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053的下表面可形成在同一平面(或差不多同一平面)上。第一布線線路1020和第二布線線路1040也可按照相同的厚度形成在布線基板1010上。

因此，布線基板的第一布線線路1020和第一導(dǎo)電電極1056之間的距離以及連接部的第二布線線路1040和第一導(dǎo)電層1066之間的距離可彼此相似，或者可相同。通過這種結(jié)構(gòu)，使用導(dǎo)電粘合層1030的布線基板和半導(dǎo)體發(fā)光器件之間的電連接具有可靠性。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置中，可簡化布線工藝。

在應(yīng)用了倒裝芯片型半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置中，第一電極和第二電極被設(shè)置在同一平面上。這可導(dǎo)致難以實(shí)現(xiàn)精細(xì)間距。另外，在應(yīng)用了垂直型半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置中，應(yīng)該執(zhí)行用于形成歐姆電極的蝕刻工藝和真空工藝。本發(fā)明的實(shí)施方式解決了這些問題。

以下，將參照附圖更詳細(xì)地說明包括具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置的制造方法。具體地講，圖13a至圖13f和圖14a至圖14d是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的概念圖。

首先，在生長基板(w，或者半導(dǎo)體晶圓)上生長第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053、激活層1054和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055(參照圖13a)。在生長第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053之后，在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1052上生長激活層1054，然后在激活層1054上生長第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055。一旦第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053、激活層1054和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055依次生長，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053、激活層1054和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055如所示形成層壓結(jié)構(gòu)。

生長基板(w)可包括透光材料。例如，生長基板(w)可包括藍(lán)寶石(al2o3)、gan、zno和alo中的一種。然而，本發(fā)明不限于此。生長基板(w)可形成為由適合于生長半導(dǎo)體材料的材料形成的載體晶圓。另選地，生長基板(w)可由具有優(yōu)異導(dǎo)熱性的材料形成。作為生長基板(w)，不僅可使用導(dǎo)電基板或絕緣基板，而且可使用導(dǎo)熱性大于藍(lán)寶石(al2o3)基板的sic基板。另選地，生長基板(w)可由si、gaas、gap、inp和ga2o3中的至少一種形成。另外，作為n型半導(dǎo)體層的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053可以是諸如n-gan的氮化物半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053可包括u-gan。

接下來，執(zhí)行蝕刻工藝以用于將p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體彼此分離。例如，參照圖13b，蝕刻第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055和激活層1054的至少部分，從而將第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055分割成多個(gè)區(qū)域(臺面蝕刻)。在這種情況下，在垂直方向上部分地去除激活層1054和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055，以使得第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053暴露于外。

通過蝕刻，多個(gè)半導(dǎo)體層形成陣列。在與該陣列間隔開的位置處形成要布置上述連接部的區(qū)域。例如，在要布置上述連接部的區(qū)域處完全地蝕刻第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055和激活層1054，以使得僅第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055留下。

接下來，彼此隔離的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件通過蝕刻工藝形成在基板上(參照圖13c)。在這種情況下，蝕刻周邊區(qū)域，以使得要布置連接部的區(qū)域可在基板上被隔離。要布置連接部的區(qū)域是上述半導(dǎo)體層1063，并且由與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053相同的材料形成。在這種情況下，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053具有n-gan層1053b被層壓在u-gan層1053a上的結(jié)構(gòu)?？蓤?zhí)行蝕刻，直至u-gan層1053a暴露于外。

接下來，分別將第一導(dǎo)電電極和第二導(dǎo)電電極層壓在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上。然后，在與多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件間隔開的位置處形成連接部(參照圖13d至圖13f)。在這種情況下，形成多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件和連接部的步驟可包括第一至第三步驟。

第一步驟可以是在與多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件間隔開的位置處形成由與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層相同的材料形成的半導(dǎo)體層(參照圖13b)。第二步驟可以是當(dāng)?shù)诙?dǎo)電電極被層壓時(shí)通過從第二導(dǎo)電電極延伸來形成第二導(dǎo)電層以與半導(dǎo)體層交疊，使得形成從第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層連接至半導(dǎo)體層的導(dǎo)電路徑(參照圖13d)。第三步驟可以是當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電電極被層壓時(shí)在第二導(dǎo)電層上形成第一導(dǎo)電層(參照圖13f)。

更具體地，第一導(dǎo)電電極1056可被層壓在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055上，第二導(dǎo)電電極1052可被層壓在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053上。為了實(shí)現(xiàn)倒裝芯片型半導(dǎo)體發(fā)光器件，第一導(dǎo)電電極1056和第二導(dǎo)電電極1052可按照在水平方向上間隔開的方式分別被設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053處。

另外，第二導(dǎo)電電極1052被印刷或沉積在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053上。如上所述，第二導(dǎo)電電極1052將布置在發(fā)光器件陣列的一個(gè)方向(例如，列方向)上的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件彼此電連接。另外，第二導(dǎo)電電極1052連接至上述連接部。

在這種情況下，第二導(dǎo)電電極1052可被形成為延伸直至半導(dǎo)體層1063。另外，與第二導(dǎo)電電極1052相同的材料可被層壓在半導(dǎo)體層1063上，從而形成上述第二導(dǎo)電層1062。由與第二導(dǎo)電電極1052相同的材料形成的電極線可形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053和半導(dǎo)體層1063(例如，u-gan暴露于外的部分)之間，以用于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053和半導(dǎo)體層1063之間的電連接。

接下來，在形成有第二導(dǎo)電電極1052和第二導(dǎo)電層1062處施加絕緣體，從而形成絕緣部1058(參照圖13e)。第二導(dǎo)電電極1052和激活層1054形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053的一個(gè)表面上，并且在水平方向上隔著絕緣部1058彼此間隔開。形成發(fā)光器件陣列的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件可被布置為隔著預(yù)定空間遠(yuǎn)離開鄰近半導(dǎo)體發(fā)光器件。

形成在半導(dǎo)體發(fā)光器件之間的預(yù)定空間可被絕緣部1058填充。即，絕緣部1058可通過被設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件之間來用作屏障。在這種情況下，絕緣部1058可僅被半導(dǎo)體發(fā)光器件的陣列區(qū)域覆蓋。另外，絕緣部1058被形成為不覆蓋第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055的部分，以用于第一導(dǎo)電電極1056和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055之間的電連接。

在陣列區(qū)域以外的區(qū)域處，由與絕緣部1058相同的材料形成的材料可僅被層壓在第二導(dǎo)電層1062的部分上。通過這種配置，在連接部1060處形成第三絕緣部1068。接下來，將第一導(dǎo)電電極1056層壓在絕緣部1058以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055的未被絕緣部1058覆蓋的部分上(參照圖13f)。在這種情況下，與第一導(dǎo)電電極1056相同的材料可被層壓在第三絕緣部1068以及第二導(dǎo)電層1062的未被第三絕緣部1068覆蓋的部分上。結(jié)果，可形成上述第一導(dǎo)電層1066。

通過這些工藝，可實(shí)現(xiàn)形成在圖12a和圖12b所示的晶圓上的半導(dǎo)體發(fā)光器件和連接部的結(jié)構(gòu)。接下來，連接部連接至布線基板，以使得第二導(dǎo)電電極1052可用作顯示裝置1000處的掃描電極(參照圖14a至圖14d)。在這種情況下，布線基板可以是上面參照圖10a和圖10b提及的布線基板。因此，第一布線線路1020和第二布線線路1040可分別形成在布線基板1010的一個(gè)表面(同一表面)上。

首先，在布線基板上形成導(dǎo)電粘合層1030(參照圖14a)。即，在第一布線線路1020和第二布線線路1040所在的基板1010上形成導(dǎo)電粘合層1030。如上所述，導(dǎo)電粘合層1030可被配置為各向異性導(dǎo)電膜(acf)、各向異性導(dǎo)電糊劑、包含導(dǎo)電顆粒的溶液等。在此實(shí)施方式中，導(dǎo)電粘合層1030被配置為各向異性導(dǎo)電膜(acf)。

然后，形成在布線基板1010和生長基板上的半導(dǎo)體發(fā)光器件和連接部彼此對準(zhǔn)，使得第一布線線路1020和第二布線線路1040分別面向第一導(dǎo)電電極和連接部。然后，對形成在布線基板和生長基板上的半導(dǎo)體發(fā)光器件和連接部進(jìn)行熱壓(參照圖14b)。

例如，可利用acf沖頭來對布線基板和生長基板進(jìn)行熱壓。布線基板和生長基板通過熱壓彼此結(jié)合。由于通過熱壓而具有導(dǎo)電性的各向異性導(dǎo)電膜的特性，僅在第一布線線路1020和第一導(dǎo)電電極之間以及第二布線線路1040和連接部之間實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電性。通過這種結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)電極、掃描電極和半導(dǎo)體發(fā)光器件可彼此電連接。在這種情況下，半導(dǎo)體發(fā)光器件和連接部可被插入各向異性導(dǎo)電膜中。結(jié)果，可在半導(dǎo)體發(fā)光器件1050之間形成間壁。

然后，去除生長基板(參照圖14c)。例如，可通過激光剝離(llo)方法或化學(xué)剝離(clo)方法來去除生長基板。如果需要，可通過在聯(lián)接有半導(dǎo)體發(fā)光器件1050的布線基板上涂覆硅氧化物(siox)等來形成透明絕緣層。在這種情況下，第二導(dǎo)電電極1052的延伸部1059、連接線1070和第二導(dǎo)電層1062的突起1063被第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053的u-gan層1053a覆蓋，以使得它們可免受在激光剝離(llo)方法期間生成的激光影響。

最后，通過蝕刻工藝去除層壓在第二導(dǎo)電電極1052和第二導(dǎo)電層1062上的u-gan層以及設(shè)置在第二導(dǎo)電電極1052和第二導(dǎo)電層1062之間的u-gan層(參照圖14d)。顯示裝置的制造方法還可包括在半導(dǎo)體發(fā)光器件1050的一個(gè)表面上形成熒光粉層。例如，半導(dǎo)體發(fā)光器件1050可以是用于發(fā)射藍(lán)色(b)光的藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件。用于將藍(lán)色(b)光轉(zhuǎn)換為單元像素的顏色的紅色熒光粉或綠色熒光粉可在藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光器件的一個(gè)表面上形成層。

根據(jù)該制造方法，當(dāng)生長半導(dǎo)體發(fā)光器件并形成n電極時(shí)，制造連接至布線基板并具有柱狀的連接部。這可簡化布線工藝。到目前為止，說明了第二導(dǎo)電電極從半導(dǎo)體發(fā)光器件的陣列延伸因此連接至連接部的結(jié)構(gòu)。然而，可按照各種方式來修改該結(jié)構(gòu)。例如，可增強(qiáng)從半導(dǎo)體發(fā)光器件的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層連接至連接部的半導(dǎo)體層的導(dǎo)電路徑。這將參照圖15更詳細(xì)地說明。

具體地講，圖15是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的顯示裝置的立體圖。根據(jù)此實(shí)施方式的水平型半導(dǎo)體發(fā)光器件包括形成在激活層1054上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055以及形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1055上的第一導(dǎo)電電極1056。激活層1054形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053上，并且第二導(dǎo)電電極1057形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1053上。水平型半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與上面參照圖10a至圖12b提及的水平型半導(dǎo)體發(fā)光器件相同，因此其詳細(xì)說明將被省略。

如圖15所示，連接線1070通過從半導(dǎo)體發(fā)光器件的第二導(dǎo)電電極1052延伸來連接直至連接部1060，從而將半導(dǎo)體發(fā)光器件與第二布線線路1040電連接。在這種情況下，連接線1070被導(dǎo)電線1071覆蓋。即，導(dǎo)電線1071分別電連接至第二導(dǎo)電電極1057、連接線1070和第二導(dǎo)電層1062。

導(dǎo)電線1071可在與第一布線線路1020垂直的方向上將鄰近半導(dǎo)體發(fā)光器件1050彼此連接。另外，導(dǎo)電線1071可由透明材料形成，并且可具有導(dǎo)電性。導(dǎo)電線1071也可被配置為透明電極。另外，導(dǎo)電線1071可通過薄膜布線工藝和印刷布線工藝來形成。

更具體地，第一布線線路1020可在圖10b的f-f方向上將鄰近半導(dǎo)體發(fā)光器件1050電連接，并且導(dǎo)電線1071可在與圖10b的第一布線線路1020垂直的e-e方向上將鄰近半導(dǎo)體發(fā)光器件1050電連接。在這種情況下，導(dǎo)電線1071可被形成為完全覆蓋連接線1070。

另外，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流大于基準(zhǔn)值時(shí)可形成導(dǎo)電線1071，導(dǎo)電線1071可起到連接線1070的輔助作用。在這種情況下，導(dǎo)電線1071可被形成為具有小于布線基板的第二布線線路1040的厚度。這可縮短執(zhí)行布線工藝所花費(fèi)的時(shí)間。

本發(fā)明的導(dǎo)電路徑不限于具有上述結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)沒有另外提供連接線1070和導(dǎo)電線1071時(shí)，第二導(dǎo)電電極可按照條形形式延伸。延伸的第二導(dǎo)電電極可將鄰近半導(dǎo)體發(fā)光器件彼此連接，然后可連接至連接部。以下，將參照圖16說明這種結(jié)構(gòu)。

具體地講，圖16是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的顯示裝置的立體圖。如所示，半導(dǎo)體發(fā)光器件的第二導(dǎo)電電極2052被配置為用于將布置在發(fā)光器件陣列的一個(gè)方向(例如，列方向)上的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件彼此電連接的電極線。即，第二導(dǎo)電電極2052被配置為電極線，而沒有上述實(shí)施方式中提供的連接線或?qū)щ娋€。

通過這種結(jié)構(gòu)，布置在發(fā)光器件陣列的各列中的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件2050可共享第二導(dǎo)電電極2052。第二導(dǎo)電電極2052被形成為從一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件延伸到至少一個(gè)鄰近半導(dǎo)體發(fā)光器件，以將各列中彼此相鄰的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件250電連接。

被配置為將布置在列方向上的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件彼此電連接的第二導(dǎo)電電極2052可用作如上所述的顯示裝置中的掃描電極。即，第二導(dǎo)電電極2052用作顯示裝置的掃描電極，并且用作半導(dǎo)體發(fā)光器件的n型電極。在這種情況下，作為上述半導(dǎo)體發(fā)光器件的p型電極的第一導(dǎo)電電極2056被層壓在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2055上。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2055也示出在圖16中。

如所示，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2055和第二導(dǎo)電電極2052的至少部分被絕緣部2058覆蓋。連接部2060被布置在電極線的端部處，并且通過上述制造方法和布線基板的結(jié)構(gòu)電連接至布線基板的第二布線線路。

在這種情況下，連接部2060具有半導(dǎo)體層2063、第二導(dǎo)電層2062、第三絕緣部2068和第一導(dǎo)電層2066依次彼此層壓的結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電層2062被配置為由第二導(dǎo)電電極2052形成的電極線的部分。第二導(dǎo)電電極2052被形成為直至第二導(dǎo)電層2062沒有彎曲線的長條。因此，連接部2060可被設(shè)置在從第二導(dǎo)電電極2052連接的線上。關(guān)于半導(dǎo)體層2063或第三絕緣部2068和第一導(dǎo)電層2066的說明對應(yīng)于關(guān)于上面參照圖10a至圖12b提及的連接部的說明。

在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置中，布置在各列中的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件可通過第二導(dǎo)電電極2052電連接至驅(qū)動(dòng)部。因此，用于制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的工藝的數(shù)量可減少，并且用于形成掃描電極的附加工藝可被省略。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置可具有以下優(yōu)點(diǎn)。首先，由于當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光器件生長時(shí)在晶圓上形成連接至布線基板的連接部，所以可執(zhí)行布線連接而沒有任何弱連接區(qū)域。

第二，由于當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光器件生長時(shí)連接部一起形成，所以連接部可被實(shí)現(xiàn)為柱結(jié)構(gòu)而無需附加工藝。第三，半導(dǎo)體發(fā)光器件與連接部之間的電連接所需的布線基板上的電極線可利用連接部以一定的自由度來布置。

第四，由于半導(dǎo)體發(fā)光器件的導(dǎo)電電極連接至連接部，所以布線線路的厚度可減小，并且工藝時(shí)間可縮短。第五，由于第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層被層壓在半導(dǎo)體層上，可使連接部和布線基板之間的距離與半導(dǎo)體發(fā)光器件和布線基板之間的距離相等或相似。

由于本發(fā)明的特征可在不脫離其特性的情況下按照多種形式來具體實(shí)現(xiàn)，還應(yīng)該理解的是，除非另外指明，否則上述實(shí)施方式不由以上描述的任何細(xì)節(jié)限制，而是相反應(yīng)該在如所附權(quán)利要求書中所限定的其范圍內(nèi)廣義地解釋，因此，落入權(quán)利要求的范圍或其等同范圍內(nèi)的所有改變和修改因此旨在被所附權(quán)利要求書涵蓋。