技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法。所述方法包括：在襯底基板上形成非晶硅層，其中，襯底基板包括像素區(qū)和外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)；在外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)的非晶硅層上形成減反射薄膜；對(duì)非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶處理形成多晶硅層，外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)多晶硅層的晶粒尺寸大于像素區(qū)內(nèi)多晶硅層的晶粒尺寸；去除減反射薄膜；對(duì)多晶硅層進(jìn)行圖案化處理，對(duì)應(yīng)形成位于像素區(qū)的第一多晶硅有源層和位于外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)的第二多晶硅有源層；在第一多晶硅有源層和第二多晶硅有源層上依次形成第一絕緣層、柵極、第二絕緣層、源極和漏極，得到陣列基板。本發(fā)明基于減反射薄膜的設(shè)置，增大了多晶硅薄膜晶體管的外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的多晶硅層的晶粒尺寸，提高了陣列基板的驅(qū)動(dòng)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：宮奎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.21
技術(shù)公布日：2017.08.11