本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制備方法。

背景技術(shù)：

低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，簡(jiǎn)稱ltps)薄膜晶體管液晶顯示器有別于傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器，其電子遷移率可以達(dá)到200cm2/v-sec以上，可有效減小薄膜晶體管器件的面積，提高顯示器的開口率，在增進(jìn)顯示器亮度的同時(shí)還可以降低顯示器的整體功耗。另外，由于ltps薄膜晶體管具有較高的電子遷移率，因此可以將ltps薄膜晶體管的部分驅(qū)動(dòng)電路集成在玻璃基板上，從而節(jié)省了驅(qū)動(dòng)電路所占用的空間，大幅度提升了液晶顯示面板的可靠度，降低了液晶顯示面板的制造成本。

目前制造低溫多晶硅薄膜晶體管的工藝方法主要包括不使用掩膜的傳統(tǒng)性受激準(zhǔn)分子激光退火方法(ela)和使用掩膜控制激光照射區(qū)域的連續(xù)側(cè)面結(jié)晶化方法(sls)。采用傳統(tǒng)的ela方法時(shí)，得到低溫多晶硅的晶粒尺寸一般為0.1um以下；采用sls方法時(shí)，結(jié)晶化過程由照射區(qū)域的端部開始向內(nèi)部誘導(dǎo)，最后才進(jìn)行照射區(qū)域中心部的結(jié)晶化，在結(jié)晶化進(jìn)行期間處于熔點(diǎn)以下的溫度時(shí)，如果中心部的溫度下降，則會(huì)進(jìn)行成核，致使不能得到大的晶粒。

可見，采用上述兩種工藝方法制造的多晶硅的晶粒尺寸均較小，低溫多晶硅薄膜晶體管工作時(shí)，多晶硅的小晶粒尺寸限制了外圍驅(qū)動(dòng)電路只能獲得較小的電子遷移率，進(jìn)而限制了外圍驅(qū)動(dòng)電路具有低驅(qū)動(dòng)效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板，增大外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)的多晶硅的晶粒尺寸，提高外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)的驅(qū)動(dòng)效率，提高陣列基板的驅(qū)動(dòng)效率。

一方面，提供了一種陣列基板的制備方法，所述方法包括：

在襯底基板上形成非晶硅層，其中，所述襯底基板包括像素區(qū)和外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)；

在所述外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)的所述非晶硅層上形成減反射薄膜；

對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶處理形成多晶硅層，所述外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)多晶硅層的晶粒尺寸大于所述像素區(qū)內(nèi)多晶硅層的晶粒尺寸；

去除所述減反射薄膜；

對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行圖案化處理，對(duì)應(yīng)形成位于所述像素區(qū)的第一多晶硅有源層和位于所述外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)的第二多晶硅有源層；

在所述第一多晶硅有源層和所述第二多晶硅有源層上依次形成第一絕緣層、柵極、第二絕緣層、源極和漏極，得到所述陣列基板。

進(jìn)一步地，所述對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶處理形成多晶硅層包括：

使用準(zhǔn)分子激光退火方法或固相結(jié)晶方法對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶處理。

進(jìn)一步地，所述減反射薄膜的厚度與所述激光的波長(zhǎng)成正比，與所述減反射薄膜的折射率成反比。

進(jìn)一步地，所述減反射薄膜的厚度為所述激光的波長(zhǎng)與所述減反射薄膜折射率的比值的四分之一。

進(jìn)一步地，所述減反射薄膜的折射率是位于所述減反射薄膜下方的非晶硅層的折射率與形成所述減發(fā)射薄膜時(shí)位于所述減反射薄膜上方的氣相介質(zhì)的折射率的幾何平均值。

進(jìn)一步地，所述減反射薄膜的材質(zhì)為下列之一：

三氧化二鋁、二氧化硅、二氟化鎂或四氮化三硅。

進(jìn)一步地，所述在所述第一多晶硅層有源層和所述第二多晶硅層有源層上依次形成第一絕緣層、柵極、第二絕緣層、源極和漏極，得到所述陣列基板包括：

形成第一絕緣層，其中，所述第一絕緣層覆蓋所述第一多晶硅層有源層和所述第二多晶硅層有源層；

在所述第一絕緣層上圖案化形成位于所述像素區(qū)域內(nèi)的第一柵極和位于所述外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)域內(nèi)的第二柵極；

形成第二絕緣層，其中，所述第二絕緣層覆蓋所述第一柵極和所述第二柵極；

在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上制作源極過孔和漏極過孔，在所述源極過孔和所述漏極過孔內(nèi)，形成所述像素區(qū)域內(nèi)的第一源極和第一漏極以及所述外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)域內(nèi)的第二源極和第二漏極。

另一方面，還提供了一種根據(jù)上述的陣列基板的制備方法制備的陣列基板，所述陣列基板包括形成于襯底基板上的位于像素區(qū)內(nèi)的像素多晶硅薄膜晶體管和位于外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的驅(qū)動(dòng)多晶硅薄膜晶體管；

所述像素多晶硅薄膜晶體管內(nèi)的第一多晶硅有源層的晶粒尺寸小于所述驅(qū)動(dòng)多晶硅薄膜晶體管內(nèi)的第二多晶硅有源層的晶粒尺寸。

進(jìn)一步地，所述像素多晶硅薄膜晶體管還包括在所述襯底基板上的像素區(qū)內(nèi)層疊設(shè)置的第一多晶硅有源層、第一絕緣層、第一柵極和第二絕緣層，以及形成在源極過孔內(nèi)的第一源極和形成在漏極過孔內(nèi)的第一漏極，所述像素區(qū)內(nèi)的所述源極過孔和所述漏極過孔均貫通所述像素區(qū)內(nèi)的所述第一絕緣層和所述第二絕緣層。

進(jìn)一步地，所述驅(qū)動(dòng)多晶硅薄膜晶體管還包括在所述襯底基板上的外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)層疊設(shè)置的第二多晶硅有源層、第一絕緣層、第二柵極和第二絕緣層，以及形成在源極過孔內(nèi)的第二源極和形成在漏極過孔內(nèi)的第二漏極，所述外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的所述源極過孔和所述漏極過孔均貫通所述外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的所述第一絕緣層和所述第二絕緣層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法，本發(fā)明在制備陣列基板時(shí)，在外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的非晶硅層上形成減反射薄膜，在對(duì)非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶處理時(shí)，能量在非晶硅表面的反射被大幅度消弱，在透過率不變的情況下，非晶硅層吸收的能量增大，從而可以有效提高外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的非多晶硅的結(jié)晶效果，得到較大晶粒尺寸的多晶硅層。因此本發(fā)明基于在多晶硅薄膜晶體管的外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的非晶硅層上形成減反射薄膜，增大了外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的多晶硅層的晶粒尺寸，進(jìn)而提高了多晶硅薄膜晶體管的外圍驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)效率，提高了陣列基板的驅(qū)動(dòng)效率。

本發(fā)明中如果減反射薄膜的折射率是位于減反射薄膜下方的非晶硅層的折射率與形成減反射薄膜時(shí)位于減反射薄膜上方的氣相介質(zhì)的折射率的幾何平均值，則在對(duì)非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶時(shí)，減反射薄膜對(duì)光線的折射值為零，減反射薄膜可吸收大量能量，從而有益于多晶硅結(jié)晶，得到較大晶粒尺寸的多晶硅層。

本發(fā)明使用激光對(duì)非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶處理時(shí)，如果減反射薄膜的厚度為激光的波長(zhǎng)與減反射薄膜的折射率的比值的四分之一，則減反射薄膜對(duì)入射激光的吸收最少，所使用的減反射薄膜材料的用量最少，材料成本最低。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制備方法的流程圖；

圖2-圖8是圖1所示實(shí)施例中陣列基板制備過程的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的光線示意圖。

附圖標(biāo)記說明：

1、襯底基板a、像素區(qū)b、外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)

2、緩沖層3、非晶硅層4、減反射薄膜

41、外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的減反射薄膜5、多晶硅層

51、像素區(qū)內(nèi)的多晶硅層、52、外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的多晶硅層

511、第一多晶硅有源層522、第二多晶硅有源層

6、第一絕緣層7、第二絕緣層

8、第一柵極9、第二柵極

10、源極過孔11、漏極過孔12、氣相介質(zhì)

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上；術(shù)語“上”、“下”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的機(jī)或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。

使用現(xiàn)有方法制備陣列基板時(shí)，具體制備陣列基板中的多經(jīng)過薄膜晶體管時(shí)，對(duì)形成在襯底基板上的非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶處理，得到結(jié)晶硅層，結(jié)晶硅層內(nèi)的像素區(qū)內(nèi)的晶粒尺寸與外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的晶粒尺寸相同，晶粒尺寸均較小，多晶硅薄膜晶體管的外圍驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)效率較低，陣列基板的驅(qū)動(dòng)效率較低。

為了增大多晶硅薄膜晶體管的外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的晶粒尺寸，提高多晶硅薄膜晶體管的外圍驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)效率，提高陣列基板的驅(qū)動(dòng)效率，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制備方法，使用該方法制造的陣列基板中，多晶硅薄膜晶體管的外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的多晶硅層具有較大晶粒尺寸。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制備方法的方法流程圖，圖1所示的陣列基板的制備方法包括：

步驟101、在襯底基板上形成非晶硅層，其中，所述襯底基板包括像素區(qū)和外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)。

使用本發(fā)明實(shí)施例提供的方法制備陣列基板時(shí)，具體制備陣列基板的多晶硅薄膜晶體管時(shí)，選取襯底基板1，襯底基板1可以為玻璃基板或其他適用材質(zhì)的基板。基于陣列基板的結(jié)構(gòu)和功能，襯底基板1可以劃分為像素區(qū)a和外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b。選取襯底基板1后，在襯底基板1上形成非晶硅層3?；谝r底基板1的區(qū)域劃分，非晶硅層3一部分形成在像素區(qū)a內(nèi)，一部分形成在外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b內(nèi)。

為了提高多晶硅薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)性能，可以在襯底基板1上形成非晶硅層3之前，先在襯底基板1上形成緩沖層2，之后在緩沖層2上形成非晶硅層。可以通過多種方法在緩沖層2上形成非晶硅層3，如利用化學(xué)氣相沉積方法在緩沖層2上沉積形成非晶硅層3。上述襯底基板1和緩沖層2的結(jié)構(gòu)如圖2所示，非晶硅層3的結(jié)構(gòu)如圖3所示。

步驟102、在所述外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)的所述非晶硅層上形成減反射薄膜。

減反射薄膜又稱增透膜，用于減少或消除透鏡、冷靜、平面鏡等光學(xué)表面的發(fā)射光，從而增加上述元件的透光量，減少或消除系統(tǒng)的雜散光。最簡(jiǎn)單的減反射薄膜是單層膜，可以是鍍?cè)诠鈱W(xué)表面上的一層折射率較低的薄膜。

為了增大外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b內(nèi)多晶硅層5的晶粒尺寸，本發(fā)明實(shí)施例在外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b的非晶硅層3上形成減反射薄膜4。減反射薄膜4可以減少結(jié)晶處理過程中非晶硅層3表面的反射能量，在透過率不變的情況下，可以增大非晶硅層3的吸收能量，從而提高非晶硅層3的結(jié)構(gòu)效果，得到大晶粒尺寸的多晶硅層5。

制備過程中可以在非晶硅層3的背離襯底基板1的面上形成減反射薄膜4，如附圖4所示，之后去除像素區(qū)內(nèi)的減反射薄膜4，得到形成于外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的減反射薄膜41，如附圖5所示。

步驟103、對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶處理形成多晶硅層，所述外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)多晶硅層的晶粒尺寸大于所述像素區(qū)內(nèi)多晶硅層的晶粒尺寸。

在外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b的非晶硅層上3形成減反射薄膜4后，對(duì)非晶硅層3進(jìn)行結(jié)晶處理，非晶硅層3轉(zhuǎn)變成多晶硅層5。由于外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b的非晶硅層上3形成了減反射薄膜4，因此結(jié)晶過程中外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b的非晶硅層3得到了較多的吸收能量，結(jié)晶處理后外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b的多晶硅層5具有較大的晶粒尺寸。由于像素區(qū)a的非晶硅層3上未形成減反射薄膜4，因此結(jié)晶處理后像素區(qū)a的多晶硅層5具有較小的晶粒尺寸。多晶硅層5的結(jié)構(gòu)如附圖6所示，由圖6可以看出，外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b內(nèi)的多晶硅層5的晶粒尺寸大于像素區(qū)a內(nèi)的多晶硅層5的晶粒尺寸。

可以使用多種方法對(duì)非晶硅層3進(jìn)行結(jié)晶處理，如使用準(zhǔn)分子激光退火(ela)方法或固相結(jié)晶(spc)方法對(duì)非晶硅層3進(jìn)行結(jié)晶處理。采用ela方法或spc方法對(duì)非晶硅層3進(jìn)行結(jié)晶處理時(shí)，激光鐳射能量在非晶硅層3表面的反射被大幅度消弱，在透射率不變的情況下，非晶硅層3吸收的激光鐳射能量增大，從而可以提高非晶硅層3的結(jié)晶效果，得到晶粒尺寸較大的多晶硅層5。

圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的光線示意圖。圖9所示，在陣列基板的多晶硅薄膜晶體管的非晶硅層3結(jié)晶過程中，部分光線從真空或空氣傳輸至減反射薄膜4、并透過減反射薄膜4傳輸至非晶硅層3內(nèi)部，部分光線在減反射薄膜4表面發(fā)生反射，部分光線穿過減反射薄膜4并在非晶硅層3表面發(fā)生反射，最終反射至真空或空氣中。

如果從非晶硅層3表面反射到減反射薄膜4表面的反射光線與從減反射薄膜4表面反射的反射光的相位相差180°，則基于光線的干涉作用，反射光線可以在一定程度上相互抵消，減弱反射光線。

在正常入射光束中，從覆蓋了一層厚度為d1的減反射薄膜4表面反射的反射能量所占比例即反射率r為：

其中，不同層的折射率r1、r2和反射角度θ可由下式得出：

其中，n0為空氣層或真空層的折射率，n1為減反射薄膜4的折射率，n2為非晶硅層3的折射率；

當(dāng)減反射薄膜4的厚度d1滿足條件：n1d1＝(2x+1)λ/4，其中，n1為減反射薄膜4的折射率，λ為準(zhǔn)分子激光退火(ela)或者固相結(jié)晶(spc)方法中使用的激光的波長(zhǎng)，x＝0,1,2,3……，即當(dāng)穿透減反射薄膜4后被非晶硅層3反射回來的反射光線與減反射薄膜4表面的反射光線的相位差為π時(shí)，多種反射光線會(huì)產(chǎn)生干涉作用，反射光線可以在一定程度上相互抵消，非晶硅層3對(duì)光線的反射率最小。基于節(jié)省材料、減反射薄膜4對(duì)入射激光的吸收最少以及減反射效果最好的原則，優(yōu)選地，d1＝λ/4n1；

當(dāng)n1d1＝λ/4時(shí)，反射率有最小值為：

由公式(3)可知，當(dāng)減反射薄膜4的折射率n1是位于減反射薄膜4下方的非晶硅層3的折射率n2與形成減發(fā)射薄膜4時(shí)位于減反射薄膜4上方的氣相介質(zhì)的折射率n0的幾何平均值時(shí)，光線的反射率為零，減反射薄膜4的減反效果最好，減反射薄膜4對(duì)光線的折射值為零。其中氣相介質(zhì)為真空或空氣。

由于非晶硅層3的折射率一般為3～4左右，真空或空氣的折射率為1，因此減反射薄膜4需要具有透過率高以及折射率滿足要求的性質(zhì)。減反射薄膜4可以為多種材質(zhì)，如折射率為1.8-1.9的三氧化二鋁、折射率為1.4-1.5的二氧化硅、折射率為1.3-1.4的二氟化鎂或折射率為1.9的四氮化三硅。本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選地，選擇三氧化二鋁al2o3作為減反射薄膜4的材質(zhì)，al2o3是一種新型的iii-vi族寬禁帶半導(dǎo)體材料，al2o3薄膜在從紫外至中遠(yuǎn)紅外光譜范圍內(nèi)透明度高、吸收小，具有良好的物理和化學(xué)性質(zhì)，被廣泛應(yīng)用為折射率光學(xué)材料，通過控制成膜質(zhì)量，可以使al2o3薄膜對(duì)光的吸收率極小，所得的al2o3薄膜具有極高的透過率。

步驟104、去除所述減反射薄膜。

完成對(duì)非晶硅層3的結(jié)晶處理后，去除外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b的多晶硅層5上的減反射薄膜4。

步驟105、對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行圖案化處理，對(duì)應(yīng)形成位于所述像素區(qū)的第一多晶硅有源層和位于所述外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)的第二多晶硅有源層。

去除外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b的多晶硅層5上的減反射薄膜4后，圖案化處理像素區(qū)內(nèi)的多晶硅層51，得到第一多晶硅有源層511，圖案化處理外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的多晶硅層52，得到第二多晶硅有源層522。第一多晶硅有源層511和第二多晶硅有源層522的結(jié)構(gòu)如附圖7所示。

步驟106、在所述第一多晶硅有源層和所述第二多晶硅有源層上依次形成第一絕緣層、柵極、第二絕緣層、源極和漏極，得到所述陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例在形成第一多晶硅有源層511和第二多晶硅有源層522后，在第一多晶硅有源層511和第二多晶硅有源層522上依次形成第一絕緣層6、柵極、第二絕緣層7、源極和漏極，得到多晶硅薄膜晶體管，進(jìn)一步使用本發(fā)明實(shí)施例提供的多晶硅薄膜晶體管制備陣列基板。除本發(fā)明實(shí)施例制備的多晶硅薄膜晶體管結(jié)構(gòu)外，陣列基板的其他結(jié)構(gòu)為現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在此不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例制備的陣列基板的多晶硅薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如附圖8所示。

本步驟在所述第一多晶硅有源層和所述第二多晶硅有源層上依次形成第一絕緣層、柵極、第二絕緣層、源極和漏極的過程具體可以包括以下步驟：

首先，形成第一絕緣層6，第一絕緣層6覆蓋第一多晶硅層有源層511和第二多晶硅層有源層522，將第一多晶硅層有源層511和第二多晶硅層有源層522包覆在第一絕緣層6內(nèi)，可以使用多種方式形成第一絕緣層6，如化學(xué)氣相沉積方法。

其次，在第一絕緣層6上圖案化形成柵極，具體地在第一絕緣層6上圖案化形成像素區(qū)a內(nèi)的第一柵極8和外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b內(nèi)的第二柵極9。

實(shí)際中可以利用磁控濺射、光刻、刻蝕等工藝，在第一絕緣層6上形成像素區(qū)a內(nèi)的第一柵極8以及外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b內(nèi)的第二柵極9。

再次，形成第二絕緣層7，第二絕緣層7覆蓋第一柵極8和第二柵極9。可以采用多種方式形成第二絕緣層7，如采用化學(xué)氣相沉積方法在第一柵極8、第二柵極9以及第一絕緣層6上沉積形成第二絕緣層7。

最后，在第一絕緣層6和第二絕緣層7上制作過孔，具體地在像素區(qū)a和外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b內(nèi)分別制作源極過孔10和漏極過孔11，在源極過孔10和漏極過孔11內(nèi)，形成像素區(qū)域a內(nèi)的第一源極和第一漏極以及外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)域b內(nèi)的第二源極和第二漏極。

在第一絕緣層6和第二絕緣層7上制作過孔，過孔貫穿第一絕緣層6和第二絕緣層7，過孔的底端孔口位于第一多晶硅有源層511上表面或第二多晶硅有源層522上表面。

之后在像素區(qū)a的源極過孔10內(nèi)形成第一源極，在像素區(qū)a的漏極過孔11內(nèi)形成第一漏極，在外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b的源極過孔10內(nèi)形成第二源極，在外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b的漏極過孔11內(nèi)形成第二漏極。制作陣列基板的多晶硅薄膜晶體管時(shí)，在源極過孔10和漏極過孔11內(nèi)形成源極和漏極是本領(lǐng)域的現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制備方法制得的。陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖8所示。陣列基板包括形成于襯底基板1上的位于像素區(qū)a內(nèi)的像素多晶硅薄膜晶體管和位于外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b內(nèi)的驅(qū)動(dòng)多晶硅薄膜晶體管；

像素多晶硅薄膜晶體管內(nèi)的第一多晶硅有源層511的晶粒尺寸小于驅(qū)動(dòng)多晶硅薄膜晶體管內(nèi)的第二多晶硅有源層522的晶粒尺寸。

由于驅(qū)動(dòng)多晶硅薄膜晶體管內(nèi)的第二多晶硅有源層522的晶粒尺寸較大，因此驅(qū)動(dòng)多晶硅薄膜晶體管具有較大的驅(qū)動(dòng)效率，進(jìn)而陣列基板具有較大的驅(qū)動(dòng)效率。

像素多晶硅薄膜晶體管還可以包括在襯底基板1上的像素區(qū)a內(nèi)層疊設(shè)置的第一多晶硅有源層511、第一絕緣層6、像素區(qū)內(nèi)的第一柵極81和第二絕緣層7，以及形成在源極過孔10內(nèi)的第一源極和形成在漏極過孔11內(nèi)的第一漏極，像素區(qū)a內(nèi)的源極過孔10和漏極過孔11均貫通像素區(qū)a內(nèi)的第一絕緣層6和第二絕緣層7。

驅(qū)動(dòng)多晶硅薄膜晶體管還可以包括在襯底基板1上的外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b內(nèi)層疊設(shè)置的第二多晶硅有源層522、第一絕緣層6、外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的第二柵極9和第二絕緣層7，以及形成在源極過孔10內(nèi)的第二源極和形成在漏極過孔11內(nèi)的第二漏極，外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b內(nèi)的源極過孔10和漏極過孔11均貫通外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)b內(nèi)的第一絕緣層6和第二絕緣層7。

本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法，本發(fā)明在制備陣列基板時(shí)，在外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的非晶硅層上形成減反射薄膜，在對(duì)非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶處理時(shí)，能量在非晶硅表面的反射被大幅度消弱，在透過率不變的情況下，非晶硅層吸收的能量增大，從而可以有效提高外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的非多晶硅的結(jié)晶效果，得到較大晶粒尺寸的多晶硅層。因此本發(fā)明基于在多晶硅薄膜晶體管的外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的非晶硅層上形成減反射薄膜，增大了外圍驅(qū)動(dòng)區(qū)內(nèi)的多晶硅層的晶粒尺寸，進(jìn)而提高了多晶硅薄膜晶體管的外圍驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)效率，提高了陣列基板的驅(qū)動(dòng)效率。

本發(fā)明中如果減反射薄膜的折射率是位于減反射薄膜下方的非晶硅層的折射率與形成減反射薄膜時(shí)位于減反射薄膜上方的氣相介質(zhì)的折射率的幾何平均值，則在對(duì)非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶時(shí)，減反射薄膜對(duì)光線的折射值為零，減反射薄膜可吸收大量能量，從而有益于多晶硅結(jié)晶，得到較大晶粒尺寸的多晶硅層。

本發(fā)明使用激光對(duì)非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶處理時(shí)，如果減反射薄膜的厚度為激光的波長(zhǎng)與減反射薄膜的折射率的比值的四分之一，則減反射薄膜對(duì)入射激光的吸收最少，所使用的減反射薄膜材料的用量最少，材料成本最低。

本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的陣列基板及其制備方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。