1.一種溝槽金屬－氧化物半導體,其特征在于，包括：
柵極溝槽，所述柵極溝槽的底部及側壁上淀設有柵氧化物層，且柵極溝槽槽壁下半部及底部的柵氧化物層的厚度相同且厚于柵極溝槽頂部的柵氧化物層。
2.根據(jù)權利要求1所述的溝槽金屬－氧化物半導體,其特征在于，還包括多晶硅層，且多晶硅層將柵極溝槽淀設滿。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的溝槽金屬－氧化物半導體,其特征在于，所述柵極溝槽設于N-型外延層內(nèi)，N-型外延層的一側淀設有N型基片。
4.根據(jù)權利要求3所述的溝槽金屬－氧化物半導體,其特征在于，還包括：源極溝槽，源極溝槽設于N-型外延層內(nèi)；源極溝槽的底部及側壁上淀設有柵氧化物層，源極溝槽通過多晶硅淀設滿，且源極溝槽與相鄰柵極溝槽之間的N-型外延層的上方淀設有與源極溝槽的底部同等厚度的柵氧化物層。
5.根據(jù)權利要求4所述的溝槽金屬－氧化物半導體,其特征在于，N-型外延層的頂部源極溝槽及柵極溝槽之間通過雜質(zhì)注入形成溝道注入層，溝道注入層內(nèi)部設有通過源區(qū)注入及雜質(zhì)激活形成的源區(qū)注入層。
6.根據(jù)權利要求1所述的溝槽金屬－氧化物半導體,其特征在于，柵極溝槽兩側設有接觸孔，源極溝槽內(nèi)部的多晶硅層內(nèi)設有接觸孔，接觸孔的底部設于溝道注入層且穿過源區(qū)注入層，接觸孔內(nèi)淀積第一金屬，且第一金屬上方淀設第二金屬，第二金屬層與柵氧化物層之間淀設有介質(zhì)層。
7.一種制備如權利要求1至6中任意一項所述的溝槽金屬－氧化物半導體的制備方法,其特征在于，包括以下步驟：
溝槽上生長一層較厚的氧化層，形成柵氧，該柵氧化層淀設于溝槽的槽底及槽壁；
淀積光刻膠，將溝槽內(nèi)填充滿；
光刻膠進行半曝光，通過調(diào)節(jié)曝光能量，使溝槽內(nèi)底部的光刻膠保留；
氧化層刻蝕，溝槽內(nèi)光刻膠上方的氧化層被去除，溝槽底部的氧化層保留；
除光刻膠，并生長氧化層，在溝槽上方及溝槽之間內(nèi)再生長一層更薄的柵氧化層。
8.根據(jù)權利要求7所述的制備方法,其特征在于，還包括以下步驟：
淀積多晶硅，對溝槽內(nèi)部及柵氧化層外側淀設多晶硅，并將溝槽內(nèi)部淀設滿，并對多晶硅進行重摻雜，降低電阻率；
刻蝕掉多余的多晶硅，使多晶硅表面與源區(qū)表面相平，但溝槽內(nèi)的多晶硅保留，形成MOSFET的柵極。
9.根據(jù)權利要求8所述的制備方法,其特征在于，還包括以下步驟：
溝道注入?yún)^(qū)光刻、注入，并進行退火，得到溝道區(qū)雜質(zhì)分布，形成注入溝道區(qū)；
進行源區(qū)光刻、注入，并進行退火，激活雜質(zhì),形成注入源區(qū)；
淀積介質(zhì)層，介質(zhì)層淀設在柵氧化層的外側；
去除介質(zhì)層，進行接觸孔光刻，并進行接觸孔注入，淀積一層金屬填充源極接觸孔和柵極接觸孔，并去除表面多余金屬，形成源極和柵極。
10.根據(jù)權利要求9所述的制備方法,其特征在于，還包括以下步驟：
淀積第二層金屬并進行光刻、刻蝕，形成MOSFET引出電極；
淀積鈍化層，進行光刻、刻蝕，將第二層金屬表面的鈍化層去除，留出封裝打線接觸的引出孔。