技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種基于可變功函數(shù)柵極的晶體管器件制備方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底上形成偽柵堆疊，并對(duì)偽柵堆疊兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底暴露區(qū)域進(jìn)行離子注入，形成源/漏區(qū)；除去偽柵，對(duì)源/漏區(qū)進(jìn)行退火；提供單原子層沉積反應(yīng)設(shè)備；在單原子層沉積反應(yīng)設(shè)備中引入前驅(qū)源反應(yīng)物；控制單原子層沉積的環(huán)境因素，生長(zhǎng)功函數(shù)金屬層。本發(fā)明還提供一種可變功函數(shù)柵極的晶體管器件。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)功函數(shù)的可調(diào)，使用相同的材料體系，獲得具有可調(diào)節(jié)范圍的可調(diào)節(jié)閾值電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：項(xiàng)金娟;王曉磊;楊紅;劉實(shí);李俊峰;王文武;趙超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.11
技術(shù)公布日：2017.08.11