技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，其包括：在襯底基板上依次形成第一金屬層、柵極層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層，及在第二金屬層上形成源極層與漏極層；其中，在第一金屬層上形成柵極層，包括：在第一金屬層上沉積柵極金屬層；在柵極金屬層上涂布光阻層，對柵極金屬層進(jìn)行曝光顯影，并對柵極金屬層進(jìn)行濕蝕刻；使用第一剝離液去除柵極金屬層上的光阻層，以形成柵極層；其中，第一剝離液中添加有化學(xué)腐蝕電位小于或等于第一金屬層的化學(xué)腐蝕電位的第一金屬陽離子。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中，在使用剝離液對光阻進(jìn)行剝奪的時候，會在柵極層和第一金屬層接觸的邊緣發(fā)生掏空現(xiàn)象，形成裂縫，進(jìn)而導(dǎo)致源極層、漏極層與柵極層短路的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：姜春生;武岳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市華星光電技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.30
技術(shù)公布日：2017.08.08