1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括設(shè)置在襯底基板上的柵極、公共電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極、漏極、鈍化層、連接電極和像素電極；其中：
所述柵極包括第一透明電極和第一金屬電極，所述公共電極包括第三透明電極，所述第一金屬電極位于所述第一透明電極遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述第一透明電極和所述第三透明電極位于同一層，所述柵絕緣層覆蓋所述柵極，所述柵極與所述公共電極彼此絕緣；
所述鈍化層覆蓋所述源極、所述漏極和所述公共電極，所述像素電極位于所述鈍化層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述公共電極和所述像素電極在彼此交疊的區(qū)域與所述柵絕緣層不相交疊；
所述連接電極與所述漏極和所述像素電極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極和所述公共電極通過一次光刻形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層、所述半導(dǎo)體層、所述源極和所述漏極通過一次光刻形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括掃描線和數(shù)據(jù)線，所述掃描線包括第二透明電極和第二金屬電極，所述第二透明電極和所述第一透明電極位于同一層，所述第二金屬電極和所述第一金屬電極位于同一層，所述第二金屬電極覆蓋與所述數(shù)據(jù)線交疊的所述第二透明電極的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括公共電極線，所述公共電極線包括第四金屬電極，所述第四金屬電極和所述第一金屬電極位于同一層；
所述公共電極線設(shè)置在所述公共電極上并且與所述公共電極彼此電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線設(shè)置在所述公共電極上靠近所述掃描線的一側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極與所述公共電極部分交疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二金屬電極還覆蓋與所述數(shù)據(jù)線不相交疊的所述第二透明電極的區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極和所述第三透明電極由透明金屬氧化物半導(dǎo)體摻雜離子而形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極和所述第三透明電極的厚度大于500nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極在像素區(qū)域具有多個(gè)長條狀的開口。
12.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在襯底基板上依次沉積第一透明導(dǎo)電層、第一金屬導(dǎo)電層和第一光刻膠層；
使用第一掩膜版使所述第一透明導(dǎo)電層和所述第一金屬導(dǎo)電層形成柵極和公共電極；
在所述柵極和所述公共電極上依次沉積第一絕緣層、本征非晶硅層、摻雜非晶硅層、第二金屬導(dǎo)電層和第二光刻膠層；
使用第二掩膜版使所述第一絕緣層形成柵絕緣層，使所述本征非晶硅層和所述摻雜非晶硅層形成半導(dǎo)體層，使所述第二金屬導(dǎo)電層形成源極和漏極；
在所述源極、所述漏極和所述公共電極上依次沉積第二絕緣層和第三光刻膠層；
使用第三掩膜版使所述第二絕緣層形成鈍化層；
在所述鈍化層上依次沉積第二透明導(dǎo)電層和第四光刻膠層；以及
使用第四掩膜版使所述第二透明導(dǎo)電層形成連接電極和像素電極，所述公共電極和所述像素電極在彼此交疊的區(qū)域與所述柵絕緣層不相交疊，所述連接電極與所述漏極和所述像素電極電連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述使用第一掩膜版使所述第一透明導(dǎo)電層和所述第一金屬導(dǎo)電層形成柵極和公共電極的步驟包括：
使用所述第一掩膜版通過光刻工藝使所述第一光刻膠層形成第一光刻膠圖案，所述第一光刻膠圖案覆蓋所述第一金屬導(dǎo)電層在待形成所述柵極的區(qū)域和待形成所述公共電極的區(qū)域的部分；
通過刻蝕工藝去除所述第一金屬導(dǎo)電層和所述第一透明導(dǎo)電層中沒有被所述第一光刻膠圖案覆蓋的區(qū)域；以及
去除所述第一光刻膠圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述使用第一掩膜版使所述第一透明導(dǎo)電層和所述第一金屬導(dǎo)電層形成柵極和公共電極的步驟包括：
使用所述第一掩膜版通過光刻工藝使所述第一光刻膠層形成具有第一厚度的第一光刻膠圖案和具有第二厚度的第二光刻膠圖案，所述第一光刻膠圖案覆蓋所述第一金屬導(dǎo)電層中待形成所述柵極的區(qū)域，所述第二光刻膠圖案覆蓋所述第一金屬導(dǎo)電層在待形成所述公共電極的區(qū)域中沒有被所述第一光刻膠圖案覆蓋的部分，所述第一厚度大于所述第二厚度；
通過刻蝕工藝去除所述第一金屬導(dǎo)電層和所述第一透明導(dǎo)電層中沒有被所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案覆蓋的區(qū)域；
通過灰化工藝使所述第一光刻膠圖案變薄并去除所述第二光刻膠圖案；
通過刻蝕工藝去除所述第一金屬導(dǎo)電層中沒有被灰化后的第一光刻膠圖案覆蓋的區(qū)域；以及
去除所述灰化后的第一光刻膠圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述使用第二掩膜版使所述第一絕緣層形成柵絕緣層，使所述本征非晶硅層和所述摻雜非晶硅層形成半導(dǎo)體層，使所述第二金屬導(dǎo)電層形成源極和漏極的步驟包括：
使用所述第二掩膜版通過光刻工藝使所述第二光刻膠層形成具有第三厚度的第三光刻膠圖案和具有第四厚度的第四光刻膠圖案，所述第三光刻膠圖案覆蓋所述第二金屬導(dǎo)電層中待形成所述源極和所述漏極的區(qū)域，所述第四光刻膠圖案覆蓋所述第二金屬導(dǎo)電層在待形成溝道區(qū)的區(qū)域的部分，所述第三厚度大于所述第四厚度；
通過刻蝕工藝去除所述第二金屬導(dǎo)電層、所述摻雜非晶硅層、所述本征非晶硅層中沒有被所述第三光刻膠圖案和所述第四光刻膠圖案覆蓋的區(qū)域；
通過灰化工藝使所述第三光刻膠圖案變薄并去除所述第四光刻膠圖案；
通過刻蝕工藝去除所述第二金屬導(dǎo)電層、所述摻雜非晶硅層、所述第一絕緣層和所述第一金屬導(dǎo)電層中沒有被灰化后的第三光刻膠圖案覆蓋的區(qū)域；以及
去除所述灰化后的第三光刻膠圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述使用第二掩膜版使所述第一絕緣層形成柵絕緣層，使所述本征非晶硅層和所述摻雜非晶硅層形成半導(dǎo)體層，使所述第二金屬導(dǎo)電層形成源極和漏極的步驟包括：
使用所述第二掩膜版通過光刻工藝使所述第二光刻膠層形成具有第三厚度的第三光刻膠圖案和具有第四厚度的第四光刻膠圖案，所述第三光刻膠圖案覆蓋所述第二金屬導(dǎo)電層中待形成所述源極和所述漏極的區(qū)域，所述第四光刻膠圖案覆蓋所述第二金屬導(dǎo)電層在待形成溝道區(qū)的區(qū)域的部分，所述第三厚度大于所述第四厚度；
通過刻蝕工藝去除所述第二金屬導(dǎo)電層、所述摻雜非晶硅層和所述本征非晶硅層中沒有被所述第三光刻膠圖案和所述第四光刻膠圖案覆蓋的區(qū)域；
通過灰化工藝使所述第三光刻膠圖案變薄并去除所述第四光刻膠圖案；
通過刻蝕工藝去除所述第二金屬導(dǎo)電層、所述摻雜非晶硅層和所述第一絕緣層中沒有被灰化后的第三光刻膠圖案覆蓋的區(qū)域；以及
去除所述灰化后的第三光刻膠圖案。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，使用所述第一掩膜版在形成所述柵極和所述公共電極的同時(shí)，還使所述第一金屬導(dǎo)電層形成公共電極線；
所述公共電極線位于所述公共電極上并與所述公共電極彼此電連接，所述第一光刻膠圖案還覆蓋所述第一金屬導(dǎo)電層中待形成所述公共電極線的區(qū)域。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述公共電極線形成在所述公共電極上靠近掃描線的一側(cè)。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一光刻膠圖案還覆蓋所述第一金屬導(dǎo)電層中待形成掃描線的區(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述漏極與所述公共電極部分交疊。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層通過對透明金屬氧化物半導(dǎo)體進(jìn)行離子摻雜而形成。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層的厚度大于500nm。
23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述像素電極在像素區(qū)域具有多個(gè)長條狀的開口。