本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

在顯示面板制備過程中，陣列基板上由于設(shè)置電極、金屬走線等，在長度方向和寬度方向通常都要比彩膜基板大，陣列基板上未與彩膜基板相對應(yīng)的這部分區(qū)域即為綁定區(qū)域。

在切割陣列基板時，由于陣列基板的綁定區(qū)域位置的襯底基板是單片玻璃(彩膜基板沒有延伸到其上方)，因此，陣列基板的綁定區(qū)域的邊角位置處的襯底基板經(jīng)常會發(fā)生貝殼狀的破損，當襯底基板有毛邊時，還需要進行打磨，但是由于襯底基板的強度不夠，打磨時也容易發(fā)生破損。若陣列基板的綁定區(qū)域的邊角位置發(fā)生破損導致缺角，會影響后續(xù)工藝，降低切割良率，而這種破損不易檢出，或是在工藝過程中產(chǎn)生的進行性的破損，影響后制成，造成產(chǎn)品與材料損失。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，用以至少部分解決在切割過程中陣列基板易發(fā)生破損的問題。

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題，采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括依次形成在襯底基板上的走線和絕緣層，所述陣列基板的絕緣層遠離所述走線的一側(cè)包括綁定區(qū)域，其特征在于，所述陣列基板還包括第一保護層，所述第一保護層位于所述陣列基板的綁定區(qū)域內(nèi)，并至少部分與所述陣列基板的邊緣平齊。

優(yōu)選的，所述第一保護層位于所述陣列基板的未與彩膜基板的邊緣相對應(yīng)的邊緣位置，和/或，位于所述綁定區(qū)域的拐角位置。

進一步的，所述陣列基板還包括第二保護層，所述第二保護層位于所述綁定區(qū)域與封框膠的預留區(qū)域之間的加強區(qū)域。

優(yōu)選的，所述第二保護層位于所述加強區(qū)域的拐角位置，和/或，所述加強區(qū)域的鄰近所述陣列基板的邊緣位置。

優(yōu)選的，所述第一保護層和第二保護層為透明保護層。

優(yōu)選的，所述第一保護層和第二保護層同層設(shè)置，且厚度相同。

優(yōu)選的，所述厚度為4000A-3000A。

本發(fā)明提供一種顯示面板，包括如前所述的陣列基板。所述顯示面板為用于沿顯示面板的長度方向或?qū)挾确较蚰Σ寥∠虻母呒壋S場轉(zhuǎn)換顯示面板或高開口率高級超維場轉(zhuǎn)換顯示面板。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括前所述的顯示面板。

本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)以下有益效果：

本發(fā)明的陣列基板包括依次形成在襯底基板上的走線和絕緣層，陣列基板的絕緣層遠離走線的一側(cè)包括綁定區(qū)域，通過在陣列基板的綁定區(qū)域內(nèi)設(shè)置至少部分與陣列基板的邊緣平齊的第一保護層，在切割陣列基板的過程中，第一保護層在一定程度上可以對襯底基板起到支撐作用，增強襯底基板的強度，避免襯底基板發(fā)生破損，提高切割良率。

附圖說明

圖1a為本發(fā)明實施例的陣列基板的俯視圖之一；

圖1b為圖1a中A-A’處的截面圖；

圖2a為本發(fā)明實施例的陣列基板的俯視圖之二；

圖2b為圖2a中B-B’處的截面圖；

圖3為本發(fā)明實施例制備第一或第二保護層的工藝流程示意圖。

圖例說明：

1、陣列基板 2、彩膜基板 3、封框膠

11、襯底基板 12、走線 13、絕緣層

14、綁定區(qū)域 15、第一保護層 16、第二保護層

17、加強區(qū)域 141、第一綁定區(qū)域 142、第二綁定區(qū)域

4、光刻膠 5、掩膜板

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明中的附圖，對本發(fā)明中的技術(shù)方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

結(jié)合圖1a、圖1b、圖2a和圖2b所示，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板1，所述陣列基板包括依次形成在襯底基板11上的走線12和絕緣層13。走線12可以是柵線、數(shù)據(jù)線、測試線等金屬線，絕緣層13覆蓋在走線12上，起到絕緣和保護的作用。陣列基板1的絕緣層13遠離走線12的一側(cè)包括綁定區(qū)域14，也就是說，綁定區(qū)域14為位于陣列基板1的與彩膜基板2對盒的一側(cè)，且未與彩膜基板2相對應(yīng)的區(qū)域。如圖1a所示，綁定區(qū)域14包括沿陣列基板1的寬度方向延伸的第一綁定區(qū)域141(即圖1a中陣列基板1的短邊對應(yīng)的綁定區(qū)域)和沿陣列基板1的長度方向延伸的第二綁定區(qū)域142(即圖1a中陣列基板1的長邊對應(yīng)的綁定區(qū)域)。陣列基板1還包括第一保護層15，第一保護層15位于陣列基板1的綁定區(qū)域14內(nèi)，并至少部分與陣列基板1的邊緣平齊。

通過在陣列基板1的綁定區(qū)域14內(nèi)設(shè)置至少部分與陣列基板1的邊緣平齊的第一保護層15，在切割陣列基板1的過程中，第一保護層15在一定程度上可以用對襯底基板11起到支撐作用，增強襯底基板11的強度，避免襯底基板11發(fā)生破損，提高切割良率。

具體的，如圖1a所示，第一保護層15可以位于陣列基板1的未與彩膜基板2的邊緣相對應(yīng)的邊緣位置(即第一綁定區(qū)域141和第二綁定區(qū)域142的邊緣)和綁定區(qū)域14的拐角位置(即第一綁定區(qū)域141和第二綁定區(qū)域142相交的位置)。

由于綁定區(qū)域14的拐角位置相對于陣列基板1的邊緣位置受到撞擊后更容易破損，造成陣列基板1缺角，因此，優(yōu)選的，位于綁定區(qū)域14的拐角位置的第一保護層15的寬度大于位于陣列基板1的邊緣位置的第一保護層15的寬度，這樣，可以使陣列基板1的拐角位置處得到更有效的保護，降低破損率。

如圖2a所示，第一保護層15也可以只設(shè)置在陣列基板1的未與彩膜基板2的邊緣相對應(yīng)的邊緣位置。第一保護層15也可以只設(shè)置在綁定區(qū)域14的拐角位置，即圖1a所示的拐角位置(但不在陣列基板1的邊緣位置設(shè)置第一保護層15)。當然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可知，同時在陣列基板1的未與彩膜基板2的邊緣相對應(yīng)的邊緣位置和綁定區(qū)域14的拐角位置設(shè)置第一保護層15(即圖1a所示)的方案，對陣列基板1的襯底基板11的保護效果最佳。

進一步的，陣列基板1與彩膜基板2之間通過封框膠3密封。陣列基板1還可以包括第二保護層16，第二保護層16位于綁定區(qū)域14與封框膠3的預留區(qū)域之間的加強區(qū)域17。

如圖1b和圖2b所示，加強區(qū)域17為封框膠3的邊緣與彩膜基板2的邊緣之間的區(qū)域在陣列基板1上的投影區(qū)域。結(jié)合圖1a和圖1b所示，圖中虛線箭頭為彩膜基板2的切割線。彩膜基板2也包括襯底基板(圖中未示出)，在切割彩膜基板2時，彩膜基板2的襯底基板的邊緣受力，由于彩膜基板2上與加強區(qū)域17對應(yīng)的區(qū)域是懸空的，使得彩膜基板2上與加強區(qū)域17對應(yīng)的邊緣容易發(fā)生破損，因此，在加強區(qū)域17內(nèi)設(shè)置第二保護層16，第二保護層16可以對彩膜基板2起到緩沖作用，減少彩膜基板2的襯底基板的破損率。

具體的，如圖1a和圖2a所示，第二保護層16可以位于加強區(qū)域17的拐角位置，以及加強區(qū)域17的鄰近陣列基板1的邊緣位置。

當沿彩膜基板2的長度方向(x方向)切割時，位于加強區(qū)域17的拐角位置的第二保護層16和位于加強區(qū)域17的鄰近陣列基板1的寬度方向的邊緣位置的第二保護層16(即圖1a和圖1b中加強區(qū)域17最右端的第二保護層16)共同對彩膜基板2起到支撐作用，可以在一定程度上對切割產(chǎn)生的作用力進行緩沖。當沿彩膜基板2的寬度方向(y方向)切割時，位于加強區(qū)域17的拐角位置的第二保護層16和位于加強區(qū)域17的鄰近陣列基板1的長度方向的邊緣位置的第二保護層16(即圖1a和圖1b中加強區(qū)域17最下端的第二保護層16)共同對彩膜基板2起到支撐作用，可以在一定程度上對切割產(chǎn)生的作用力進行緩沖。

需要說明的是，第二保護層16也可以只設(shè)置在加強區(qū)域17的拐角位置，或者，只設(shè)置在加強區(qū)域17的鄰近陣列基板1的邊緣位置。當然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可知，同時在加強區(qū)域17的拐角位置和加強區(qū)域17的鄰近陣列基板1的邊緣位置設(shè)置第二保護層16(即圖1a和圖2a所示)的方案，對彩膜基板2的襯底基板的保護效果最佳。

由于陣列基板1和彩膜基板2上設(shè)置有對位標記和切割標記，為了避免遮擋對位標記和切割標記，優(yōu)選的，第一保護層15和第二保護層16為透明保護層，從而保證對盒工藝和切割工藝的順利進行。

優(yōu)選的，第一保護層15和第二保護層16同層設(shè)置，且材料和厚度相同，這樣，可以通過一次構(gòu)圖工藝同步形成第一保護層15的圖案和第二保護層16的圖案，簡化制備工藝。

如圖3所示，可以在完成制備絕緣層13的步驟之后，增加制備第一保護層15和第二保護層16的步驟。即在制備完成絕緣層13的陣列基板1上涂覆光刻膠(PR)4，并采用掩膜板5進行曝光、顯影、刻蝕，在絕緣層13上未與彩膜基板2的邊緣相對應(yīng)的邊緣位置和/或綁定區(qū)域14的拐角位置形成第一保護層15的圖形，以及，在絕緣層13上的加強區(qū)域17的拐角位置和/或加強區(qū)域17的鄰近陣列基板1的邊緣位置形成第二保護層16的圖形。

圖3所示的工藝中，是以光刻膠4為負性光刻膠，在陣列基板1上形成與掩膜板5的遮光圖案相反的圖形為例說明的，即形成的第一保護層15和第二保護層16的圖形為與掩膜板4的鏤空部圖案相同的圖形。需要說明的是，在制備第一保護層15和第二保護層16的過程中，可以根據(jù)掩膜板的結(jié)構(gòu)和圖案選用正性光刻膠或負性光刻膠。

優(yōu)選的，第一保護層15和第二保護層16的厚度為4000-3000A。

如圖1b和圖2b所示，第一保護層15和第二保護層16的厚度略小于封框膠3的厚度，也就是說，第一保護層15和第二保護層16與彩膜基板2之間具有間隙，當切割彩膜基板2時，彩膜基板2受到向下的作用力，封框膠3受力壓縮，彩膜基板2可以與位于其下方的第二保護層16接觸，這樣，第二保護層16可以對彩膜基板2起到輔助支撐和緩沖的作用。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，所述顯示面板包括彩膜基板2和如前所述的陣列基板1。

通過在陣列基板1的綁定區(qū)域14內(nèi)設(shè)置至少部分與陣列基板1的邊緣平齊的第一保護層15，在切割陣列基板1的過程中，第一保護層15在一定程度上可以用對襯底基板11起到支撐作用，增強襯底基板11的強度，避免襯底基板11發(fā)生破損，提高切割良率。

優(yōu)選的，所述顯示面板為用于沿顯示面板的長度方向或?qū)挾确较蚰Σ寥∠虻腁DS(Advanced Super Dimension Switch，高級超維場轉(zhuǎn)換)或H-ADS(高開口率ADS)顯示面板。如圖1a和圖2a所示，所述顯示面板AA區(qū)(顯示區(qū))位于封框膠3所包圍的區(qū)域內(nèi)，由于第一保護層15和第二保護層16均位于AA區(qū)之外，在進行摩擦取向時，沿顯示面板的長度方向或?qū)挾确较蚰Σ寥∠?，不會影響AA區(qū)的取向。

本發(fā)明在陣列基板的綁定區(qū)域的邊緣以及綁定區(qū)域的夾角位置等易發(fā)生破損的薄弱區(qū)域，設(shè)置透明的第一保護層，第一保護層設(shè)置在AA區(qū)以外，能夠適用于沿顯示面板的長度方向或?qū)挾确较蚰Σ寥∠虻腁DS或H-ADS顯示面板。

本發(fā)明的陣列基板及顯示面板，能夠?qū)﹃嚵谢搴筒誓せ暹M行局部加強保護，在切割中產(chǎn)生較少的邊角破損與缺角，而且可以減少后制成中進行性破損造成的宕機影響和產(chǎn)品損失。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。