本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法。

背景技術：

參見圖1a，現(xiàn)有的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)包括：依次形成在基底8上的緩沖層4、信號線5、保護層1(包括第一保護層11和第二保護層12)，在保護層1上的信號線區(qū)域位置形成有貫穿保護層1的過孔2，第一導電層3通過過孔2與信號線5連接。

第二保護層12的厚度約為10000A-20000A(當前生產(chǎn)標準，非行業(yè)標準)，形成在第二保護層12上的第一導電層3的厚度約為400A(當前生產(chǎn)標準，非行業(yè)標準)，第二保護層12與第一導電層3的膜層厚度相差懸殊，因此，在過孔2的位置產(chǎn)生較大的段差。

如圖1b所示，當玻璃處于非倒置狀態(tài)時，過孔孔底是顆粒等殘留物極易積聚的位置，由于第一導電層3的膜層較薄，若在過孔2的孔底有殘留物聚積，在沉積第一導電層3的過程中，殘留物容易將第一導電層3擊穿或影響第一導電層3的膜層沉積，在后續(xù)的刻蝕工藝中，易發(fā)生刻蝕液鉆刻或膜層隨殘留物伴隨，在過孔2的位置發(fā)生膜層脫落現(xiàn)象，影響電極信號傳輸。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術中存在的上述不足，提供一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法，用以解決過孔位置膜層脫落導致的電極信號中斷問題。

本發(fā)明為解決上述技術問題，采用如下技術方案：

本發(fā)明提供一種陣列基板，包括形成在基底上的保護層，以及貫穿所述保護層的過孔，其特征在于，還包括第一導電層，所述第一導電層位于形成有所述過孔的保護層上遠離所述基底的一側(cè)，且所述第一導電層在所述過孔底部的厚度大于所述第一導電層在非過孔區(qū)域的厚度。

優(yōu)選的，所述保護層包括第一保護層和第二保護層，所述陣列基板還包括形成在所述基底上的信號線，所述第一保護層和第二保護層依次形成在所述信號線遠離所述基底的一側(cè)，所述第一導電層通過所述過孔與所述信號線連接。

優(yōu)選的，所述第二保護層的材料為樹脂材料。

優(yōu)選的，所述第一導電層在所述過孔底部的厚度小于所述第二保護層的厚度。

優(yōu)選的，所述第一導電層在所述過孔底部的厚度為1000-5000A。

本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括如前所述的陣列基板。

本發(fā)明還提供一種陣列基板制備方法，所述方法包括：在基底上形成保護層，并形成貫穿所述保護層的過孔，其特征在于，所述方法還包括：

在形成有所述過孔的保護層上遠離所述基底的一側(cè)形成第一導電層，所述第一導電層在所述過孔底部的厚度大于所述第一導電層在非過孔區(qū)域的厚度。

優(yōu)選的，所述在形成有所述過孔的基底上遠離所述基底的一側(cè)形成第一導電層，具體包括：

通過構圖工藝在所述保護層上形成第一導電層的圖形。

優(yōu)選的，所述通過構圖工藝在所述保護層上形成第一導電層的圖形，具體包括：

在所述保護層上沉積第一導電薄膜，并在所述第一導電薄膜上涂覆光刻膠；

對所述光刻膠采用掩膜板曝光、顯影，其中，保留所述過孔區(qū)域的光刻膠，并在顯影后去除非過孔區(qū)域的光刻膠；

刻蝕非過孔區(qū)域的第一導電薄膜，以在所述非過孔區(qū)域形成第一導電層的第二圖形；

剝離所述過孔區(qū)域的光刻膠，以在所述過孔區(qū)域形成第一導電層的第一圖形。

優(yōu)選的，所述在形成有所述過孔的基底上遠離所述基底的一側(cè)形成第一導電層，具體包括：

在所述保護層上涂覆光刻膠；

對完成上述步驟的基底采用掩膜板進行曝光，去除所述過孔內(nèi)的光刻膠；

沉積第一導電薄膜；

剝離所述保護層上非過孔區(qū)域的光刻膠和第一導電薄膜，并保留所述過孔內(nèi)的第一導電薄膜，以形成第一導電層的第一圖形；

通過構圖工藝在所述保護層的非過孔區(qū)域形成第一導電層的第二圖形。

本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)以下有益效果：

本發(fā)明的陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法，陣列基板包括形成在基底上的保護層，以及貫穿所述保護層的過孔，還包括第一導電層，第一導電層位于形成有所述過孔的保護層上遠離所述基底的一側(cè)。通過令第一導電層在過孔底部的厚度大于第一導電層在非過孔區(qū)域的厚度，即增加了第一導電層在過孔底部的厚度，可以減小過孔中孔底與孔頂?shù)亩尾?，從而減小過孔內(nèi)部第一導電膜層脫落的風險，進而避免電極信號中斷，提高TFT的電連接性能。

附圖說明

圖1a為現(xiàn)有陣列基板的結(jié)構示意圖；

圖1b為現(xiàn)有陣列基板在過孔位置膜層脫落的示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例的陣列基板的結(jié)構示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例的陣列基板的制備流程圖之一；

圖4為本發(fā)明實施例的陣列基板的制備流程圖之二。

圖例說明：

1、保護層 2、過孔 3、第一導電層

4、緩沖層 5、信號線 6、層間絕緣層

7、第二導電層 11、第一保護層 12、第二保護層

31、第一導電薄膜 32、光刻膠 71、第二導電薄膜

311、第一圖形 312、第二圖形

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明中的附圖，對本發(fā)明中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

以下結(jié)合圖2，詳細說明本發(fā)明的陣列基板的結(jié)構。

如圖2示，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括基底8、形成在基底8上的保護層1，以及貫穿保護層1的過孔2。所述陣列基板還包括第一導電層3，第一導電層3位于形成有過孔2的保護層1上遠離基底8的一側(cè)，即第一導電層3位于保護層1的上方，第一導電層3覆蓋過孔區(qū)域和非過孔區(qū)域，其中，第一導電層3在過孔底部的厚度d2大于第一導電層3在非過孔區(qū)域的厚度d1。

通過令第一導電層3在過孔底部的厚度d2大于第一導電層3在非過孔區(qū)域的厚度d1，即增加了第一導電層3在過孔底部的厚度d2，可以減小過孔3中孔底與孔頂?shù)亩尾?，從而減小過孔內(nèi)部第一導電膜層脫落的風險，進而避免電極信號中斷，提高TFT的電連接性能。

具體的，保護層1可以包括第一保護層11和第二保護層12，所述陣列基板還包括形成在基底8上的信號線5，即第一保護層11和第二保護層12依次形成在信號線5遠離所述基底8的一側(cè)(即信號線5上方)，第一導電層3通過過孔2與信號線5連接。

優(yōu)選的，第一保護層11的材料可以選用硅的氧化物(如SiOx)或者硅的氮化物(如SiNx)等，也可以是兩者的組合，氮化硅，第二保護層12的材料可以為樹脂材料。

第二保護層12的厚度遠大于第一保護層11的厚度，例如，第二保護層12的厚度可以為15000A，第一保護層11的厚度可以為1150A。

第一導電層3在非過孔區(qū)域的厚度d1可以為400A左右，第一導電層3在過孔底部的厚度d2為1000-5000A，優(yōu)選的，可以為2000A。

由于第一導電層3在過孔底部的厚度d2一般在百?；蚯О５牧考墕挝?，第二保護層12是樹脂材料，其厚度D一般在千?；颚痰牧考墕挝唬虼?，第一導電層3在過孔底部的厚度d2與第二保護層12的厚度D相差懸殊。如圖2所示，第一導電層3在過孔底部的厚度d2小于第二保護層12的厚度D，即d1<d2<D。

需要說明的是，所述陣列基板還可以包括形成在基底8上的緩沖層4，信號線5形成于緩沖層4上，位于第一保護層11與緩沖層4之間。第一導電層3通過過孔2與信號線5連接，信號線5可以為數(shù)據(jù)線，相應的，第一導電層3為像素電極。

優(yōu)選的，緩沖層4的材料可以選用硅的氧化物(如SiOx)或者硅的氮化物(如SiNx)等，也可以是兩者的組合。

需要說明的是，第一導電層3在過孔底部的厚度d2大于第一導電層3在非過孔區(qū)域的厚度的d1，還可以避免過孔2過刻導致的信號線5斷線的問題，從而保證第一導電層3與信號線5能夠有效連接。此外，由于第一導電層3在過孔底部的厚度d2增加，因此，過孔2刻蝕的工藝條件可以相對放寬，并可以適當減小信號線5的厚度，從而降低工藝要求，并降低陣列基板的整體厚度。

進一步的，如圖2所示，所述陣列基板還可以包括依次形成于第一導電層3上的層間絕緣層6和第二導電層7，第二導電層7可以為公共電極。

優(yōu)選的，層間絕緣層6的材料選用硅的氧化物(如SiOx)或者硅的氮化物(如SiNx)等，也可以是兩者的組合，第二導電層7的材料與第一導電層3的材料相同，可以為氧化銦錫(ITO)。

本發(fā)明的另一實施例還提供一種顯示面板，所述顯示面板包括如前所述的陣列基板，其結(jié)構在此不再贅述。

通過令第一導電層3在過孔底部的厚度d2大于第一導電層3在非過孔區(qū)域的厚度d1，即增加了第一導電層3在過孔底部的厚度d2，可以減小過孔3的段差，從而減小過孔位置膜層脫落的風險，提高顯示效果。

本發(fā)明的另一實施例還提供一種陣列基板制備方法，所述方法用于制備前述的陣列基板。如圖3所示，所述方法包括以下步驟：

步驟S31，通過構圖工藝在基底8上形成包括信號線5的圖形。

具體的，通過構圖工藝在基底8上形成緩沖層4，并在緩沖層4上形成包括信號線5的圖形。

其中，在緩沖層4上與信號線區(qū)域相對應的位置沉積用于形成信號線5的導電薄膜，涂覆光刻膠，并對完成上述步驟的基底8采用掩膜板進行曝光、顯影、刻蝕、剝離，在緩沖層4上與信號線區(qū)域相對應的位置形成包括信號線5的圖形。所述導電薄膜可以為金屬薄膜，例如，可以采用鉻(Cr)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、釹(Nd)中的一種，也可以采用上述金屬的合金。

步驟S32，在基底8上形成保護層1，并形成貫穿保護層1的過孔2。

具體的，可以采用等離子體增強化學氣相沉積等方法在緩沖層4上形成保護層1。保護層1包括第一保護層11和第二保護層12，第一保護層11的材料可以選用硅的氧化物(如SiOx)或者硅的氮化物(如SiNx)等，也可以是兩者的組合，第二保護層12的材料可以選用樹脂材料。

可以通過構圖工藝在信號線區(qū)域相對應的位置形成貫穿第一保護層11和第二保護層12的過孔2。

步驟S33，在形成有過孔2的保護層1上遠離基底8的一側(cè)形成第一導電層3，第一導電層3在過孔底部的厚度d2大于第一導電層3在非過孔區(qū)域的厚度d1。

具體的，可以通過構圖工藝在保護層1上形成第一導電層3的圖形。所述通過構圖工藝在保護層1上形成第一導電層3的圖形，具體包括：

步驟S331，在保護層1上沉積第一導電薄膜31，并在第一導電薄31膜上涂覆光刻膠32。

具體的，第一導電薄膜31用于形成第一導電層3，可以通過采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積第一導電薄膜31，第一導電薄膜31的厚度為1000-5000A，在本發(fā)明實施例中，第一導電薄膜31的厚度可以為2000A。優(yōu)選的，第一導電薄膜31的材料為氧化銦錫。

步驟S332，對所述光刻膠采用掩膜板曝光、顯影，其中，保留所述過孔區(qū)域的光刻膠，并在顯影后去除非過孔區(qū)域的光刻膠?？涛g非過孔區(qū)域的第一導電薄膜，以在所述非過孔區(qū)域形成第一導電層的第二圖形312；此時，由于過孔區(qū)域的第一導電薄膜被光刻膠保護，不會被刻蝕。

具體的，在本發(fā)明實施例中，將厚度為2000A的第一導電薄膜31刻蝕到厚度為400A。

步驟S333，剝離所述過孔區(qū)域的光刻膠，以在所述過孔區(qū)域形成第一導電層的第一圖形，從而得到包括第一圖形311和第二圖形312的第一導電層3(如圖3中S333所示)。

可以通過控制第一導電層3的非過孔區(qū)域的刻蝕工藝條件，例如，溫度、刻蝕時間、刻蝕速率等，控制第一導電層3的厚度。

需要說明的是，經(jīng)過步驟S332后，第一導電層3在所述過孔底部的厚度d2小于第二保護層12的厚度D，且大于第一導電層3在非過孔區(qū)域的厚度d1，其中，d2仍然為1000-5000A(在本發(fā)明實施例中為2000A)，d1約為400A。

第一導電層3通過過孔2與信號線5連接，信號線5可以為數(shù)據(jù)線，第一導電層3為像素電極。

進一步的，在形成有過孔2的基底8上遠離基底8的一側(cè)形成第一導電層3(即步驟S332)之后，所述方法還可以包括：

步驟S34，通過構圖工藝依次在第一導電層3上形成包括層間絕緣層6和第二導電層7的圖形。

具體的，可以采用等離子體增強化學氣相沉積等方法形成層間絕緣層6，層間絕緣層6的材料可以選用硅的氧化物(如SiOx)或者硅的氮化物(如SiNx)等，也可以是兩者的組合。

第二導電薄膜71用于形成第二導電層7，第二導電層7可以為公共電極，具體的，可以通過采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法在層間絕緣層6上沉積第二導電薄膜71。第二導電薄膜71的厚度d3可以為400A。

優(yōu)選的，第二導電薄膜的材料可以與第一導電薄膜的材料相同。

本發(fā)明的另一實施例還提供另一種陣列基板制備方法，所述方法用于制備前述的陣列基板。所述方法包括以下步驟：

步驟S41，通過構圖工藝在基底8上形成包括信號線5的圖形。

步驟S42，在基底8上形成保護層1，并形成貫穿保護層1的過孔2。

其中，步驟S41和步驟S42的具體實現(xiàn)方式分別與步驟S31和步驟S32的具體實現(xiàn)方式相同，在此不再贅述。通過步驟S41和步驟S42可以得到圖3中步驟S32對應的結(jié)構。

在執(zhí)行完步驟S42之后，可以采用離地剝離技術制備第一導電層3，以下結(jié)合圖4，對采用離地剝離技術制備第一導電層3的具體實現(xiàn)方式進行詳細說明。

所述在形成有過孔2的基底8上遠離所述基底8的一側(cè)形成第一導電層3，具體包括：

步驟S43，在保護層1上涂覆光刻膠32。

步驟S44，對完成上述步驟的基底8采用掩膜板進行曝光，去除過孔2內(nèi)的光刻膠32。

具體的，利用掩膜板遮擋非過孔區(qū)域，以使光線照射過孔2，從而去除過孔2內(nèi)的光刻膠32。

步驟S45，沉積第一導電薄膜31。

具體的，第一導電薄膜31用于形成第一導電層3，可以通過采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積第一導電薄膜31，第一導電薄膜31的厚度為(d2-d1)，其中，d2約為1000-5000A，d1約為400A。

需要說明的是，采用離地剝離技術制備第一導電層3時，分兩次沉積第一導電薄膜31，為了在過孔2的底部得到厚度為d2的第一導電層3，第一次沉積的第一導電薄膜31的厚度為(d2-d1)，即步驟45；第二次沉積的第一導電薄膜31的厚度為d1，即步驟47。

優(yōu)選的，第一導電薄膜31的材料為氧化銦錫。

步驟S46，剝離保護層1上非過孔區(qū)域的光刻膠32和第一導電薄膜31，并保留過孔2內(nèi)的第一導電薄膜31，以形成第一導電層3的第一圖形311。

具體的，所述第一導電層3的第一圖形311是指第一導電層3在過孔2底部的圖形，在剝離保護層1上非過孔區(qū)域的光刻膠32和第一導電薄膜31的過程中，第一導電層3的第一圖形311的厚度保持不變，始終為(d2-d1)。

通過步驟S43-步驟S46，可以在形成有過孔2的基底8上遠離所述基底8的一側(cè)形成第一導電層3的第一圖形311。

在完成步驟S46之后，可以在保護層1上形成第一導電層3的第二圖形312，即執(zhí)行步驟S47。

步驟S47，通過構圖工藝在保護層1的非過孔區(qū)域形成第一導電層3的第二圖形312。

具體的，在保護層1上再次沉積第一導電薄膜31，本次沉積的第一導電薄膜31的厚度為d1，這樣，最終第一導電層3在過孔2底部的第一圖形厚度即為d2，第一導電層3在非過孔區(qū)域的第二圖形312的厚度為d1。

需要說明的是，經(jīng)過步驟S47后，第一導電層3在過孔底部的厚度d2小于第二保護層12的厚度D，大于第一導電層3在非過孔區(qū)域的厚度d1。

進一步的，在完成步驟S47之后，所述方法還可以包括：

步驟S48，通過構圖工藝依次在第一導電層3上形成包括層間絕緣層6和第二導電層7的圖形。

具體的，步驟S48的具體實現(xiàn)方式與前述步驟S34的實現(xiàn)方式相同，在此不再贅述。

通過步驟S31-步驟S34，或者，通過步驟S41-步驟S48，均可以得到如圖2所示的陣列基板，上述陣列基板的制備方法簡單，易于實現(xiàn)。

本發(fā)明提供的陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法，通過更改保護層過孔中的導電層結(jié)構，將原本較深的過孔墊高，降低過孔段差，有效解決深孔殘留物沉積膜層后，膜層易脫落的問題。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。