技術(shù)特征：

1.一種大功率平面柵D-MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，所述平面柵D-MOSFET為N-MOS結(jié)構(gòu)或P-MOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N-MOS結(jié)構(gòu)的P-阱結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)角區(qū)域?yàn)樽与A梯構(gòu)成的階梯狀結(jié)構(gòu)；所述P-MOS結(jié)構(gòu)的N-阱結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)角區(qū)域?yàn)樽与A梯構(gòu)成的階梯狀結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的大功率平面柵D-MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其特征在于，所述階梯狀結(jié)構(gòu)至少包括2個(gè)子階梯。

3.如權(quán)利要求1所述的大功率平面柵D-MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其特征在于，所述每個(gè)子階梯的轉(zhuǎn)角曲率相同或不同。

4.如權(quán)利要求1所述的大功率平面柵D-MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其特征在于，所述子階梯中位于最下方的子階梯弧度曲率最小。

5.如權(quán)利要求1所述的大功率平面柵D-MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其特征在于，所述子階梯的外輪廓形狀相同或不同。

6.如權(quán)利要求1所述的大功率平面柵D-MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其特征在于，所述子階梯的外輪廓為弧形、曲線形、折線形或這三類形狀的任意組合。

7.如權(quán)利要求1所述的大功率平面柵D-MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其特征在于，所述子階梯的數(shù)量k需滿足[0.5μm*(k-1)]<W_min；所述W_min為所述P-阱結(jié)構(gòu)或所述N-阱結(jié)構(gòu)的總深度W_y和總寬度W_x的較小值。

8.如權(quán)利要求7所述的大功率平面柵D-MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其特征在于，所述子階梯為深度和寬度均為0.5μm的單一子階梯。

9.如權(quán)利要求7所述的大功率平面柵D-MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其特征在于，所述每個(gè)子階梯的深度和/或?qū)挾炔煌?，深度不超過W_y/k，寬度不超過W_x/k。

10.如權(quán)利要求1-9任一所述的大功率平面柵D-MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其特征在于，所述階梯狀結(jié)構(gòu)通過至少兩次掩模和/或保護(hù)層形成的離子注入窗進(jìn)行離子注入形成，所述每次離子注入的注入能量不同，較大的離子注入窗配合較小能量的離子注入。