技術(shù)編號：12725300
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種大功率平面柵D-MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于大功率半導體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種針對寬禁帶材料大功率平面柵D-MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計。背景技術(shù)新型寬禁帶半導體材料如碳化硅和氮化鎵等可大幅提高半導體器件性能，但同時在器件設(shè)計和工藝上也帶來諸多挑戰(zhàn)。寬禁帶材料MOSFET(如碳化硅MOSFET)是一種高性能大功率可控開關(guān)功率半導體器件，具有關(guān)斷狀態(tài)下漏電流小、開通狀態(tài)下導通損耗低、開關(guān)速度快、工作頻率高、最高運行溫度高等優(yōu)點。采用寬禁帶材料MOSFET可使變頻器開關(guān)頻率提升，整體損耗降低...
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