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一種用于超級(jí)電容器電極材料的NiTe2的制備方法與流程

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一種用于超級(jí)電容器電極材料的NiTe2的制備方法與流程

本發(fā)明涉及電池領(lǐng)域,尤其涉及超級(jí)電容器的電極材料領(lǐng)域及其制備方法。



背景技術(shù):

超級(jí)電容器是一種新型儲(chǔ)能器件,它采用具有高比表面積的多孔碳材料作為電極或利用電極活性物質(zhì)進(jìn)行欠電位沉積,使其發(fā)生快速、可逆的化學(xué)吸附/脫附或氧化/還原反應(yīng)來(lái)獲得法拉第數(shù)量級(jí)的電容量,因此它既具有電池的能量貯存特性,又具有電容器的功率特性,它比傳統(tǒng)電解電容器的比能量高上千倍,而漏電電流小數(shù)千倍,可充放電10 萬(wàn)次以上而不需要維護(hù)和保養(yǎng),可用于極大電流瞬間放電的工作狀態(tài)、而不易產(chǎn)生發(fā)熱著火等現(xiàn)象。鑒于超級(jí)電容器具有高比功率、循環(huán)壽命長(zhǎng)、使用溫度范圍寬、充電時(shí)間短、綠色環(huán)保等優(yōu)異特性,目前在很多領(lǐng)域都受到廣泛關(guān)注,它既可以應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)域,又可以應(yīng)用于太陽(yáng)能能源發(fā)電系統(tǒng)、智能電網(wǎng)系統(tǒng)、新能源汽車、工業(yè)節(jié)能系統(tǒng)、脈沖電源系統(tǒng)等眾多領(lǐng)域。

而電極材料是決定超級(jí)電容器性能的最重要因素之一,從國(guó)、內(nèi)外的超級(jí)電容器產(chǎn)品來(lái)看,其電極材料主要采用傳統(tǒng)碳系材料,產(chǎn)品的能量密度低。自從加拿大Conway 為首的課題組進(jìn)行以氧化釕等過(guò)渡金屬氧化物電極材料的研究,發(fā)現(xiàn)有著多種價(jià)態(tài)的過(guò)渡金屬氧化物、由于具備贗電容性質(zhì)、能同時(shí)提供較高的能量密度、其電容量是傳統(tǒng)碳系材料的雙電層電容的10~100 倍、且此類電極材料具有高度的充放電可逆性,是前景非常光明的超級(jí)電容器電極材料。在過(guò)渡金屬氧化物中,RuO2有著很高的比電容,但是它很高的成本、很低的儲(chǔ)量及會(huì)帶來(lái)嚴(yán)重的環(huán)境污染限制了它的實(shí)際應(yīng)用。其他過(guò)渡金屬氧化物比如MnO2,NiO和Co3O4,也被廣泛研究,這些電極材料比起RuO2來(lái)說(shuō),在能量密度相對(duì)低,其中MnO2有豐富的儲(chǔ)量、較低的成本、環(huán)境友好、具有高理論比電容值,可由于其導(dǎo)電性很差導(dǎo)致其實(shí)際比電容較低。

基于以上,為了得到各方面具有更好特性的超級(jí)電容器電極材料,開(kāi)發(fā)新的電極材料可以考慮兩種途徑,一是尋找新材料;二是對(duì)已有材料進(jìn)行復(fù)合,通過(guò)材料間的協(xié)同作用克服單組分的缺點(diǎn),以期得到理想的電極材料。其中新材料除了本身可以作為超級(jí)電容器電極材料,其和傳統(tǒng)材料的復(fù)合可以帶來(lái)更多可能的選擇。不斷開(kāi)發(fā)新而有用的材料是解決能源問(wèn)題的重大突破口。

由于過(guò)渡金屬氧化物電極材料在能量密度上占有一定的優(yōu)勢(shì),科研工作者們總是嘗試著研究各種過(guò)渡金屬氧化物,而碲化物、硒化物等傳統(tǒng)過(guò)渡金屬氧化物具有更好的導(dǎo)電率,可能具有更高的電化學(xué)效率,對(duì)它的研究可以極大拓展超級(jí)電容器電極材料的選擇。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明在目前超級(jí)電容器電極材料的基礎(chǔ)上,旨在研究開(kāi)發(fā)出一種可應(yīng)用于超級(jí)電容器電極的新材料,提供一種應(yīng)用于超級(jí)電容器的碲化鎳電極材料及其制備方法。

本發(fā)明提供了一種用于超級(jí)電容器電極材料的NiTe2的制備方法,包括如下步驟:

1)稱量碲源和鎳源;將稱量物質(zhì)放入反應(yīng)釜中,加入還原劑和溶劑,攪拌形成混合溶液;其中碲源為Te粉末,鎳源為六水合硫酸鎳或六水合硝酸鎳,還原劑為水合肼,溶劑為去離子水或乙醇;

2)放入泡沫鎳片于混合溶液中;將反應(yīng)釜放入加熱爐,在一定溫度下反應(yīng)一段時(shí)間;之后讓反應(yīng)釜隨爐冷卻;取出鎳片;

3)用無(wú)水乙醇和去離子水反復(fù)清洗鎳片,之后放入 60℃的干燥箱中干燥,最后得到干燥的鎳片;在鎳片表面就形成了最終的NiTe2材料。

進(jìn)一步地,步驟1)所用反應(yīng)物碲源和鎳源的摩爾比為1.3~2,每毫摩鎳源分別添加100ml的還原劑水合肼,還原劑與溶劑的體積為1:1。

進(jìn)一步地,步驟2)中反應(yīng)溫度為100℃,反應(yīng)時(shí)間10~24小時(shí),進(jìn)一步優(yōu)選反應(yīng)時(shí)間為10小時(shí)。

進(jìn)一步地,所述溶劑為去離子水。

本發(fā)明還提供了一種根據(jù)上述制備方法制得的用于超級(jí)電容器電極NiTe2材料;在Ni襯底上,NiTe2形成豎直排列的納米片、納米片彼此交叉連通、形成三維多孔的納米墻結(jié)構(gòu);且所述NiTe2用作超級(jí)電容器電極材料時(shí),其電荷轉(zhuǎn)移電阻低至0.021 ohm,恒流充放電1000次循環(huán)后均能保持100%電容。

本發(fā)明的有益成果在于:

1)本發(fā)明制備工藝非常簡(jiǎn)單、制備方法的反應(yīng)條件易于控制、耗時(shí)短,生產(chǎn)成本低、設(shè)備資金投入少,適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。

2)本發(fā)明制備的NiTe2生長(zhǎng)于泡沫鎳網(wǎng)上,利用泡沫鎳網(wǎng)多孔的結(jié)構(gòu)獲得較大的電極比表面積,增強(qiáng)制得的NiTe2材料的電化學(xué)性能。

3)本發(fā)明制備的電極襯底鎳網(wǎng)具有較好的導(dǎo)電性,直接在鎳網(wǎng)上生長(zhǎng)可以最小化電極的電阻,減少不必要的阻抗。

附圖說(shuō)明

圖1為實(shí)施例1制得的NiTe2測(cè)得的XRD相圖。

圖2為實(shí)施1制得的NiTe2的測(cè)得的SEM圖。

圖3為實(shí)施例1測(cè)得的5、10、20、30mV/s的掃描速度下的循環(huán)伏安曲線。

圖4為實(shí)施例1的恒電流充放電測(cè)試曲線。

圖5為實(shí)施例1制得的NiTe2為電極材料的超級(jí)電容器測(cè)試的EIS能譜圖。

具體實(shí)施方式

下面以具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說(shuō)明。

實(shí)施例1~4的實(shí)驗(yàn)步驟如下:

1、按照表一中的摩爾數(shù)稱量碲源(Te粉)和鎳源;將稱量物質(zhì)放入聚四氟乙烯反應(yīng)釜中,加入還原劑水合肼和適量的溶劑,攪拌形成混合溶液;具體用量和溶劑的選擇如表1中所示;

2、放入泡沫鎳片于混合溶液中;將反應(yīng)釜放入加熱爐,在一定溫度下反應(yīng)一段時(shí)間;之后讓反應(yīng)釜隨爐冷卻;取出鎳片;

3、用無(wú)水乙醇和去離子水反復(fù)清洗鎳片,之后放入 60℃的干燥箱中干燥,最后得到干燥的鎳片;在鎳片表面就形成了最終的NiTe2材料。

本發(fā)明列舉四個(gè)實(shí)施例,各實(shí)施例按照上述步驟,且各實(shí)施例各步驟依照下面表1中的原料和工藝參數(shù)進(jìn)行。

表1:各實(shí)施例和對(duì)比例的原材料和工藝參數(shù)表

為進(jìn)一步驗(yàn)證本發(fā)明,對(duì)各實(shí)施例制得的碲化鎳材料進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證其超級(jí)電容器應(yīng)用性能。

1)XRD測(cè)試:將各實(shí)施例及對(duì)比例制得的最終產(chǎn)物進(jìn)行XRD測(cè)試,如圖1為實(shí)施例1測(cè)得的XRD相圖,峰位與NiTe2標(biāo)準(zhǔn)圖像符合,說(shuō)明反應(yīng)產(chǎn)物以NiTe2 為主,同時(shí),Ni峰位明顯,該Ni峰位應(yīng)為襯底鎳網(wǎng)。測(cè)試表明實(shí)施例2~4的XRD相圖均與圖1類似,均制得了最終材料為NiTe2。

2) SEM測(cè)試:將各實(shí)施例及對(duì)比例制得的NiTe2材料進(jìn)行掃描電子顯微鏡(SEM)測(cè)試,如圖2為實(shí)施例1測(cè)得的SEM圖,顯示所制得的NiTe2形成豎直排列的納米片,納米片彼此交叉連通,形成三維多孔的納米墻結(jié)構(gòu)。

3)電化學(xué)性能測(cè)試:將各實(shí)施例最后在表面長(zhǎng)有NiTe2的鎳片分別制成電極片裝配成三電極體系進(jìn)行循環(huán)伏安測(cè)試、恒流充放電測(cè)試,循環(huán)充放電測(cè)試和交流阻抗測(cè)試。

圖3分別為實(shí)施例1測(cè)得的5、10、20、30mV/s的掃描速度下的循環(huán)伏安曲線,圖3表現(xiàn)出了氧化峰和還原峰,說(shuō)明NiTe2的存在有贗電容性質(zhì)和超電應(yīng)用性能。其中實(shí)施例1測(cè)得的循環(huán)伏安曲線相比實(shí)施例2的峰位更高,圖像也更穩(wěn)定,實(shí)施例1相比實(shí)施2,使用去離子水為溶劑,反應(yīng)物在水中有較好的溶解能力和輸運(yùn)作用。實(shí)施例3實(shí)施例4測(cè)試均表現(xiàn)出了氧化峰和還原峰,實(shí)施例3相比實(shí)施例4的峰形更為飽滿,兩者使用的鎳源不一樣,硝酸鎳相比硫酸鎳更為優(yōu)選。

圖4為實(shí)施例1的恒電流充放電測(cè)試曲線,電流密度為10或20mA/cm2,電壓范圍為 0-0.5V。從圖中可以看出電壓隨時(shí)間變化非線性關(guān),說(shuō)明電極表面上主要發(fā)生的是準(zhǔn)法拉第反應(yīng),即 有贗電容產(chǎn)生,與循環(huán)伏安曲線測(cè)試相吻合;計(jì)算其比電容,在10或20mA/cm2電流條件下,實(shí)施1比電容為70.8 F/g和90.3F/g、實(shí)施例2比電容為39.5 F/g和45.0F/g,實(shí)施例3比電容為40.6 F/g和59.4F/g, 實(shí)施例4比電容為42.36 F/g和54.43F/g。

對(duì)各實(shí)施例進(jìn)行了交流阻抗測(cè)試測(cè)試(EIS能譜圖)其電荷轉(zhuǎn)移阻抗,如圖5為實(shí)施例1制得的NiTe2為電極材料的超級(jí)電容器測(cè)試的EIS能譜圖,從中可以計(jì)算出,其電荷轉(zhuǎn)移電阻為0.021 ohm,具有很小的電荷轉(zhuǎn)移電阻,實(shí)施例2為0.025 ohm, 實(shí)施例3為0.031 ohm,實(shí)施例4為0.027 ohm。對(duì)各實(shí)施例制得NiTe2為電極材料的超級(jí)電容器進(jìn)行多次恒流充放電測(cè)試驗(yàn)證其循環(huán)穩(wěn)定性試驗(yàn),1000次循環(huán)后各實(shí)施例均能保持100%電容,具有非常優(yōu)異循環(huán)穩(wěn)定性能。

以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下,都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾,或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此,凡是未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。

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